- •Введение
- •1.1.4 Вольт-амперная характеристика диода
- •1.1.5 Параметры диода
- •1.1.6 Однополупериодный выпрямитель на диоде
- •1.2 Порядок выполнения лабораторной работы
- •1.2.1 Моделирование вольт-амперной характеристики (вах) диода
- •1.2.2 Моделирование работы диода в динамическом режиме
- •1.2.3 Моделирование работы однополупериодного выпрямителя с фильтром
- •1.3 Требования к отчету и его содержание
- •1.4 Контрольные вопросы
- •1.2.4 Задание на моделирование
- •2.1.2 Режимы работы и схемы включения биполярных транзисторов
- •2.1.3 Принцип работы биполярного транзистора в отсечке
- •2.1.4 Принцип работы биполярного транзистора в активном режиме
- •2.1.5 Эффект усиления мощности в активном режиме
- •2.1.6 Коэффициенты усиления тока
- •2.1.7 Принцип работы биполярного транзистора в режиме насыщения
- •2.1.8 Статические вольт-амперные характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
- •2.1.9 Малосигнальная физическая модель биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
- •2.1.10 Модель биполярного транзистора как линейного четырехполюсника, h-параметры
- •2.1.11 Графический метод определения h-параметров
- •2.1.12 Предельные параметры биполярного транзистора
- •2.2 Порядок выполнения работы
- •2.2.1 Моделирование входных характеристик в схеме с общим эмиттером
- •2.2.2 Моделирование выходных характеристик в схеме с общим эмиттером
- •2.2.3 Задание на моделирование
- •2.3 Содержание отчета
- •2.4 Контрольные вопросы
- •3.1.2 Способы обеспечения закрытого состояния ключа
- •3.1.3 Открытое состояние ключа
- •3.1.4 Процесс открывания (включения) ключа
- •3.1.5 Процесс закрывания (выключения) ключа
- •3.1.6 Способы повышения быстродействия ключа. Ключ с форсирующим конденсатором в цепи базы
- •3.1.7 Ключ с нелинейной обратной связью. Транзистор Шоттки
- •3.1.8 Работа ключа на емкостную нагрузку
- •3.2 Порядок выполнения работы
- •3.2.1 Моделирование амплитудной передаточной характеристики (апх) простейшего ключа
- •3.2.2 Моделирование динамического режима простейшего ключа
- •3.2.3 Моделирование динамического режима ключа с форсирующим конденсатором
- •3.2.4 Задание на моделирование
- •3.3 Содержание отчета
- •3.4 Контрольные вопросы
- •4.1.2 Порядок построения эквивалентной схемы усилителя для переменного сигнала
- •4.1.3 Параметры усилителя для переменного сигнала
- •4.2 Порядок выполнения работы
- •4.2.1 Настройка начальной рабочей точки
- •4.2.2 Определение параметров усилителя по переменному току
- •4.2.3 Моделирование амплитудно-частотной (ачх) и фазочастотной (фчх) характеристик
- •4.2.4 Задание на моделирование
- •4.3 Содержание отчета
- •4.4 Контрольные вопросы
- •5.1.2 Параметрический стабилизатор напряжения
- •5.1.3 Компенсационный стабилизатор напряжения
- •5.1.4 Защита компенсационного стабилизатора от короткого замыкания
- •5.1.5 Структурная схема импульсного стабилизатора напряжения
- •5.2 Порядок выполнения работы
- •5.2.1 Моделирование амплитудной передаточной характеристики (апх) компенсационного стабилизатора
- •5.2.2 Определение параметров стабилизатора
- •5.2.3 Задание на моделирование
- •5.3 Содержание отчета
- •5.4 Контрольные вопросы
- •6.1.2 Схемы включения операционных усилителей
- •6.1.3 Выполнение математических операций с применением операционных усилителей
- •6.1.4 Компаратор напряжения на основе операционного усилителя
- •6.1.5 Релаксационный генератор (мультивибратор) на основе компаратора напряжения
- •6.2 Порядок выполнения работы
- •6.2.1 Моделирование инвертирующего усилителя
- •6.2.2 Моделирование неинвертирующего усилителя
- •6.2.3 Моделирование релаксационного генератора
- •6.2.4 Задание на моделирование
- •6.3 Содержание отчета
- •5.4 Контрольные вопросы
- •Список литературы
- •Содержание
- •Электроника: лабораторные работы на персональном компьютере
- •426069, Г. Ижевск, ул. Студенческая, 11
3.1.4 Процесс открывания (включения) ключа
Пусть в исходном
состоянии на вход ключа рис. 3.3, а
подан низкий уровень напряжения
В. Напряжение на базе равно входному
напряжению, поэтому БТ находится в
отсечке и ключ закрыт. Токи базы и
коллектора равны нулю. На выходе ключа
– высокий уровень напряжения
(см. рис. 3.4, а).
|
|
а) |
б) |
Рисунок 3.4 – Временные диаграммы ключа
В
момент
В момент
база-эмиттер открывается. Появляется ток базы
|
|
БТ переходит в
активный режим. Из эмиттера в базу
начинают поступать электроны, заряд
электронов
в базе нарастает. Пропорционально
заряду увеличивается ток коллектора
и уменьшается напряжение
на выходе ключа.
В момент
ток коллектора достигает своего
максимального значения
,
а напряжение на выходе ключа – минимального
значения
.
Переход база-коллектор открывается, и
БТ входит в насыщение. Заряд электронов
в базе, соответствующий этому моменту,
называется граничным –
.
В момент
заряд в базе достигает максимального
значения
,
и процесс открывания ключа завершается.
Заряд в базе, превышающий
,
называется избыточным.
На временных диаграммах переходного процесса открывания ключа (рис. 3.4, а) можно выделить три временных интервала, соответствующих разным физическим процессам и режимам работы БТ:
-
- время задержки фронта включения
БТ (происходит заряд паразитных емкостей
эмиттерного и коллекторного переходов,
режим отсечки);
-
- время фронта нарастания тока
коллектора (нарастает ток коллектора,
активный режим);
-
- время накопления избыточного
заряда в базе (в базе накапливается
избыточный заряд неосновных носителей,
режим насыщения).
Длительность открывания ключа (время включения), таким образом, можно представить как сумму трех временных интервалов:
.
(3.1.6)
На
практике учитывают только время фронта
,
так как интервал
у современных транзисторов мал, а к
моменту наступления интервала
выходное напряжение ключа достигает
своего установившегося значения, и его
величина не влияет на задержку прохождения
сигнала через ключ.
3.1.5 Процесс закрывания (выключения) ключа
Рассмотрим временные диаграммы на рис. 3.4, б.
В исходном состоянии
на вход ключа подан высокий уровень
напряжения
.
Ключ открыт, БТ находится в насыщении.
На базе – напряжение
.
Протекают открывающий ток базы
и ток коллектора насыщения
.
В базе накоплен максимальный заряд
неосновных носителей
,
инжектируемых из эмиттера. На выходе
ключа присутствует низкий уровень
напряжения
.
В момент
напряжение на входе скачком уменьшается
до низкого уровня
В. Поскольку заряд неосновных носителей
в базе мгновенно рассасаться не может,
то БТ продолжает оставаться в режиме
насыщения и на базе сохраняется напряжение
.
В результате ток в цепи базы меняет
направление на противоположное и
принимает значение
.
(3.1.7)
Под действием токов базы и коллектора заряд в базе начинает рассасываться.
В момент
уровень заряда достигает граничного
значения
,
и БТ переходит в активный режим.
Пропорционально заряду в базе начинает
уменьшаться ток коллектора и увеличиваться
напряжение на выходе ключа.
К моменту
заряд в базе полностью рассасывается.
Ток коллектора достигает минимального
уровня, соответствующего закрытому
состоянию ключа, который можно принять
равным нулю. Напряжение на выходе
увеличивается до
.
БТ переходит в отсечку.
Далее происходит
разряд паразитных емкостей коллекторного
и эмиттерного переходов, который
завершается в момент
,
и процесс закрывания ключа заканчивается.
Как при включении, на временных диаграммах присутствуют три временных интервала:
-
- время рассасывания избыточного
заряда в базе (режим насыщения БТ);
-
- время спада тока коллектора
(активный режим);
-
- время восстановления закрытого
состояния ключа (режим отсечки).
Время выключения записывается в виде
.
(3.1.8)
На практике в расчет
берут только
и
,
так как к моменту начала интервала
выходное напряжение ключа принимает
установившееся значение и дальше не
изменяется.

напряжение на входе скачком возрастает
до высокого уровня
.
Напряжение на базе
мгновенно увеличиться не может, так
как к базе подключены емкости закрытых
эмиттерного и коллекторного переходов,
на заряд которых требуется определенное
время.
напряжение
достигает уровня
,
и переход
.
(3.1.5)