Контрольные вопросы

1. Приведите классификацию полупроводниковых диодов по применению и физическим механизмам работы.

2. Почему кремниевые выпрямительные диоды изготавливаются на основе р⁺-n-n⁺ структуры?

3. Перечислите механизмы, протекающие в структуре импульсного диода при переключении.

4. Объясните эпюры переходного процесса по току и напряжению при переключении диода из прямого смещения в обратное.

5. Объясните основные конструкторско-технологические направления повышения быстродействия импульсных диодов.

6. Какая конструктивная особенность структуры ДНЗ обеспечивает малое время выключения?

7. В каких устройствах применяются диоды с накоплением заряда?

8. В чем заключается принцип действия параметрического усилителя?

9. Перечислите и объясните назначения основных параметров варикапа.

10. С какой целью реализуются варикапы на основе сверхрезкого р-n перехода?

11. Чем определяется чувствительность параметрического усилителя на основе варикапа?

12. Объясните частотную зависимость добротности при различных температурах.

13. Какие механизмы пробоя используются в кремниевых стабилитронах?

14. Перечислите и объясните назначение основных параметров стабилитрона.

15. Объясните принцип параметрической стабилизации напряжения с помощью стабилитрона.

16. Почему изменяется знак ТКН кремниевых стабилитронов в диапазоне напряжений стабилизации (5…6) B?

17. Что такое варисторы? Основные области применения.

18. Для каких областей применения предназначены СВЧ диоды?

19. Объясните назначение смесительных диодов. Назовите основные параметры и базовые конструкции и материалы для смесительных диодов.

20. Чем определяется чувствительность по току детекторного диода?

21. Поясните принцип действия переключательного р-i-n диода.

22. Поясните принцип действия туннельного диода. Почему туннельные диоды могут быть реализованы только на сильнолегированных вырожденных полупроводниках?

23. Чем определяются параметры U_max, I_max, U_min, I_min и отрицательное дифференциальное сопротивление?

24. Перечислите области применения туннельных диодов.

25. В чем заключается основное преимущество обращенных диодов по сравнению с детекторами и смесителями на основе р-n перехода и барьере Шоттки?

26. На каком принципе работают диоды Ганна?

27. Объясните условие (6.11) пролетного режима генерации диодов Ганна. Почему длительность переднего фронта переменного тока значительно больше заднего фронта?

28. В чём заключается режим ограничения накопления объемного заряда? В каком частотном диапазоне он реализуется?

29. Перечислите основные области применения диодов Ганна.

30. В чем заключается принцип работы регенеративных усилителей на диодах Ганна? Какие характеристики диодов Ганна со сверхкритическим легированием предопределили их применение в СВЧ усилителях?

31. Поясните принцип действия лавинно – пролетных диодов.

32. В чем заключается причина появления динамического отрицательного сопротивления ЛПД?

33. Чем определяется частотный диапазон пролетного режима работы ЛПД IMPATT?

34. Почему для ЛПД диодов используют структуру Рида p⁺-n-n^–-n⁺?

35. В чем заключается режим работы ЛПД с захваченной плазмой TRAPATT? Какие его особенности по сравнению с IMPATT режимом?

36. Перечислите области применения ЛПД.

37. В чем заключаются преимущества и недостатки усилителей в режиме синхронизации по сравнению с регенеративным режимом усиления?

38. Укажите на особенности структуры умножительных ЛПД по сравнению со структурой усилительных ЛПД?

39. Поясните принцип действия инжекционно – пролетного диода (ИПД).

40. Чем определяется частотный диапазон, в котором реализуется динамическое отрицательное сопротивление?

41. В чем заключается преимущество ИПД перед ЛПД, и где они применяются?