- •Глава 6. Полупроводниковые диоды
- •6.1. Выпрямительные диоды
- •6.2. Импульсные диоды
- •6.2.1. Переходные процессы в диодах с p-n переходом
- •Включение диода в прямое направление
- •6.2.2. Пути повышения быстродействия импульсных диодов
- •Диоды с накоплением заряда
- •6.4. Параметрические диоды и варикапы
- •Добротность варикапа
- •6.5. Стабилитроны
- •Варисторы
- •6.6. Сверхвысокочастотные диоды
- •Смесительные диоды
- •Детекторные диоды
- •Переключательные и ограничительные диоды
- •6.7. Туннельные диоды
- •6.8. Диоды Ганна
- •Режим ограничения накопления объемного заряда (оноз)
- •6.9. Лавинно-пролетные диоды
- •Конструкции, параметры и применение генераторов на лпд.
- •Регенеративные усилители на лпд.
- •Усиление мощности в режиме синхронизации.
- •Умножители частоты на лпд.
- •6.10. Инжекционно-пролетные диоды
- •Контрольные вопросы
Варисторы
Разновидностью стабилитронов – ограничителей перенапряжений являются варисторы – нелинейные сопротивления. Варисторы изготовляют методом керамической технологии, путем высокотемпературного обжига порошкообразного карбида кремния со связкой. Варисторы имеют форму дисков или цилиндров с электродами на противоположных поверхностях. Нелинейность ВАХ варисторов обусловлена туннельными и надбарьерными токами на точечных контактах между кристаллами карбида кремния (рисунок 6.28). ВАХ варистора может быть представлена в виде:
I = A∙Uβ ,
где
– коэффициент нелинейности варистора,
[2….10].
I
В зависимости от размеров
зерен и техно-
логии обжига напряжение, при котором
резко возрастает ток, может лежать в
диапазоне от десятков вольт до тысячи
вольт. Нелинейность ВАХ, а также высокая
устойчивость карбида кремния к высоким
температурам позволяет использовать
(10 – 103)В U варисторы в качестве ограничителей пере-
напряжений и подавателей импульсных
энергетических помех. Кроме того, они
могут быть использованы как дугогасители
в системах коммутации двигателей и
других индуктивных нагрузок.
Рисунок 6.28 - ВАХ варистора
Подобное применение находят также мощные кремниевые p+-n–-p+ структуры (двуханодные стабилитроны), работающие на инжекционном пробое или смыкании базы областью пространственного заряда.
6.6. Сверхвысокочастотные диоды
Сверхвысокочастотные диоды (СВЧ-диоды) предназначены для преобразования и обработки сверхвысокочастотных сигналов.
Полупроводниковые СВЧ-диоды применяют в различной радиоэлектронной аппаратуре и измерительной технике СВЧ-диапазона, т.е. на частотах более 300 МГц. Вначале СВЧ-диоды использовали для детектирования и смешения сигналов. Для этих целей применяли точечные диоды, выпрямляющий электрический переход в которых возникал между кристаллом полупроводника и прижимным металлическим электродом в виде заостренной пружинки. Созданные в последнее время новые типы СВЧ-диодов практически целиком заменили детекторные и смесительные диоды. Они дают возможность решать задачи генерации и усиления электромагнитных колебаний СВЧ-диапазона, умножения частоты, модуляции, регулирования, ограничения сигналов и т. п.
СВЧ-диоды, имеющие специфический принцип действия (туннельные и обращенные диоды, лавинно-пролетные диоды, генераторы Ганна), будут рассмотрены далее.
