- •Глава 9. Полевые Транзисторы
- •9.1. Классификация и области применения
- •9.2. Канальный транзистор с управляющим p-n переходом
- •9.2.1. Структура и принцип действия
- •9.2.2. Статические вах полевого транзистора с p-n переходом
- •9.2.3. Параметры и эквивалентная схема канального транзистора
- •9.2.4. Частотные свойства канального транзистора
- •9.2.5. Температурная зависимость параметров канального транзистора
- •9.3. Канальный транзистор с управляющим барьером Шоттки
- •9.4. Гетероструктурный канальный транзистор с барьером Шоттки
9.2.4. Частотные свойства канального транзистора
Частотные свойства канального транзистора
определяются инерционностью передачи
переменного сигнала от входа к выходу.
Постоянная времени этого процесса
включает в себя постоянную времени
перезаряда емкости затвора и время
пролета носителей от истока к стоку. В
связи с емкостным импедансом входа
переменное напряжение на выходе будет
отставать по времени (фазе) от переменного
напряжения на входе (рисунок 9.10).
Напряжение на «внутреннем» затворе
отстает по фазе (φ1 = ω∙tRC)
от входного напряжения. В свою очередь,
ток стока и напряжение стока отстают
от
на tпр (φ2
= ω∙tпр).
Результирующая инерционность крутизны:
.
(9.23)
Распределенная емкость затвора может быть представлена как
.
(9.24)
Воспользовавшись значением gm (9.21), получим выражение для постоянной времени перезаряда емкости затвора,
.
(9.25)
Аналогично для времени пролета канала (9.23):
.
(9.26)
Таким образом, граничная частота крутизны:
.
(9.27)
Для канальных транзисторов с короткой
длиной канала время пролета определяется
максимальной дрейфовой скоростью и
может быть значительно меньше (9.26),
.
Т
ем
не менее, этот факт не изменяет качественной
зависимости граничной частоты крутизны
от параметров структуры канального
транзистора. Для повышения быстродействия
необходимо использовать полупроводник
с большим значением подвижности (GaAs,
InP), применять структуру
с коротким каналом в режиме высокой
проводимости канала (UЗ
≈ 0).
lg f
lg fg
φ
lg f
lg fg
0
Рисунок 9.10 - Векторная диаграмма Рисунок 9.11 - Зависимость крутизны
переменных напряжений и фазы от частоты
В силу внутренней инерционности крутизна канального транзистора так же, как коэффициент усиления тока биполярного транзистора, зависит от частоты. В однополюсном приближении:
.
(9.28)
Модуль крутизны и фаза определяются выражением (рисунок 9.11),
;
.
(9.29)
В схеме с общим истоком канальный транзистор обладает дополнительной инерционностью, обусловленной перезарядом сток-затворной емкости через сопротивление нагрузки. Поэтому граничная частота крутизны (9.27) определяет максимальное быстродействие при условии генератора напряжения в цепи стока, т. е. при малых сопротивлениях нагрузки.
