Хід роботи

1 Зняття вхідних статичних характеристик транзистора І_Б = f(U_БЕ) при U_КЕ = const

Перед зняттям характеристик заготовляють таблицю спостережень (табл.1 і табл.2).

Таблиця 1

UКЕ = 0 В		UКЕ = 5 В
UБЕ , В	ІБ , мА	UБЕ , В	ІБ , мА

Вхідні статичні характеристики транзистора знімають для двох значень напруги U_КЕ . Напругу між базою та емітером змінюють потенціометром R₁.

2 Зняття вихідних статичних характеристик транзистора І_К = f(U_КЕ) при І_Б = const

Таблиця 2

ІБ = 500 , мкА		ІБ = 1000 , мкА		ІБ = 2000 , мкА
UКЕ , В	ІК , мА	UКЕ , В	ІК , мА	UКЕ , В	ІК , мА

Вихідні статичні характеристики знімають для трьох значень струму бази, що встановлюють потенціометром R1 та підтримують у процесі спостережень незмінними. Напругу U_КЕ змінюють, потенціометром R2.

3 Побудова статичних характеристик транзистора

За результатами вимірювань (табл.1 і табл.2) побудувати сімейства вхідних та вихідних статичних характеристик транзистора на міліметровому папері. Зразковий приклад цих характеристик приведено на рис.2.

а) б)

Рисунок 2 – Вхідні (а) та вихідні (б) ВАХ біполярного транзистора

4 Визначення вхідного та вихідного опорів, коефіцієнтів підсилення транзистора.

За вихідними статичними характеристиками (рис.2,б) можна знайти вихідний опір транзистора R_вих для заданої точки Т. По прирощенням ∆U_КЕ і ∆І_К між точками В і С при постійному струмі І_Б = 40 мкА

R_вих = ∆U_КЕ / ∆І_К =(15В - 1В) / (1,4-0,9)10^-3 А = 28000 Ом = 28 кОм.

Вхідний опір транзистора R_вх визначаємо за вхідними статичними характеристиками (рис.2,а). Точка Т відповідає тому ж режиму, що й на вихідних характеристиках (І_Б = 40 мкА).

По прирощенням ∆І_Б та ∆U_БЕ між точками А і Б при постійній напрузі U_КЕ = 8 В, знаходимо

R_вх = ∆U_БЕ /∆І_Б = (185 мВ-140 мВ) / (50-30)10^-3 мА = 2250 Ом = 2,25 кОм.

Коефіцієнт підсилення струму К_І визначаємо за вихідними характеристиками транзистора (рис.2,б). Нехай транзистор працює при напрузі між колектором і емітером U_КЕ = 8 В, а струм бази дорівнює І_Б = 40 мкА. Цьому режиму на сімействі вихідних характеристик транзистора відповідає точка Т.

По прирощенням ∆І_К та ∆І_Б між точками А і Б при постійній напрузі U_КЕ знаходимо

К_І = ∆І_К /∆І_Б = (1,6 - 0,6 )мА / (60 - 20)10^-3 мА = 25, при U_КЕ = 8 В = const.

Коефіцієнт підсилення напруги К_U визначаємо за вхідними характеристиками транзистора (рис.2,а).

Нехай І_Б = const = 30 мкА (т. КА).

Для точки К U_БЕ = 110 мВ, U_КЕ = 0 В

Для точки А U_БЕ = 140 мВ, U_КЕ = 8 В.

К_І = ∆ U_КЕ /∆ U_БЕ = (8 - 0)В / (140-110)10^-3 В = 270.

Коефіцієнт підсилення потужності К_Р визначаємо за формулою:

К_Р = К_І К_U = 25∙270 = 6750.

ЗМІСТ ЗВІТУ:

- найменування та мета роботи;

- схема дослідження:

- перелік приладів:

- результати вимірювань (таблиці);

- вхідні статичні характеристики транзистора І_Б = f(U_БЕ), при U_БЕ = const (на міліметровому папері):

- вихідні статичні характеристики транзистора І_К = f(U_КЕ), при І_Б = const (на міліметровому папері);

- розрахунок основних параметрів транзистора: вхідного і вихідного опорів, коефіцієнтів підсилення струму, напруги, потужності;

- висновки;

- відповіді на контрольні запитання.

КОНТРОЛЬНІ ЗАПИТАННЯ ДО ЗАХИСТУ:

1 Чому БТ називається біполярним.

2 В якому режимі БТ має підсилювальні властивості?

3 Динамічний режим роботи БТ це?

4 Яка схема включення БТ найбільш застосовується і чому?

5 У якій області знаходиться транзистор p-n-p- структури, якщо U_БЕ = - 0,2 В В; U_КЕ = 6В?

ПІДВЕДЕННЯ ПІДСУМКІВ І ОЦІНЮВАННЯ РІВНЯ ЗНАНЬ: по результатам виконання, оформлення лабораторної роботи робляться узагальнені висновки і оцінюється виконання, своєчасність і правильність оформлення звіту, з виставленням оцінки по п’ятибальній шкалі в журнал.

ВИКЛАДАЧ - Т.І.Ковальова