Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
KP изданная шишлаков.doc
Скачиваний:
2
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
3 Мб
Скачать
☆
  1. Расчет оконечного каскада усиления, работающего в классе в

  1. Выбор транзисторов мощного каскада усиления

В двухтактной схеме с двухполярным источником питания, усилительные элементы которой работают в классе В, максимальное значение напряжения Uкэ max на закрытом транзисторе достигает почти полного напряжения источника питания [1, 3]. С учетом коэффициента запаса по напряжению

где K3U =1,1…1,3;

либо в случае симметричного источника питания

MERGEFORMAT

Напряжение источника питания усилителя определяется следующим образом:

где UН max – максимальное значение напряжения на нагрузке, заданное по техническому заданию; ULm=0,5IнLнω – максимальная величина ЭДС самоиндукции в случае активно-индуктивной нагрузки; – падение напряжения на эмиттерном сопротивлении силового транзистора; Uкэ – падение напряжения на полностью открытом транзисторе.

Поскольку расчет схемы еще не выполнен, полагаем

тогда формула (2.2) принимает вид

откуда следует

Полученное в ходе расчетов значение напряжения источника питания следует округлить до ближайшего большего из номинальных напряжений: 2,4 В; 3,0 В; 6,0 В; 6,3 В; 9,0 В; 10 В; 12,5 В; 15 В; 20 В; 24 В; 27 В; 30 В; 40 В; 48 В; 60 В; 80 В; 100 В; 125 В; 150 В.

Максимально возможный ток в силовой цепи выходного транзистора с учетом коэффициента запаса по току определяется соотношением

где K3i =1,1…1,3.

Максимальное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе выходного транзистора в двухтактной схеме усилителя постоянного тока класса В, как следует из разд. 1

Далее из справочника выбираются транзисторы, параметры которых удовлетворяют условиям:

причем при выборе транзисторов, безусловно, должны выполняться лишь требования, относящиеся к максимально допустимому напряжению. Требования к максимально допустимым значениям тока и мощности для одного транзистора могут быть не выполнены, но только с учетом возможности параллельного соединения нескольких транзисторов.

При выборе транзисторов необходимо учитывать не только выполнение условий (2.6), но и другие характеристики транзисторов: коэффициент передачи тока ; обратный ток коллекторного перехода Iкб0; тепловое сопротивление переход – корпус ; частотный диапазон работы; размеры и массу транзистора и т. д.

Целесообразно выбирать транзисторы, составляющие комплиментарную пару, что упрощает последующие расчеты усилителя, так как в этом случае ведется расчет только одного плеча усилительного каскада.

Осуществляя выбор транзисторов, следует избегать применения приборов с необоснованно избыточными параметрами. Так, например, при использовании мощного транзистора в маломощной схеме тепловой ток коллектора может оказаться соизмеримым с рабочим, что может привести к отказу каскада. Кроме того, при малых, по сравнению с номинальным, токах может оказаться уменьшенным коэффициент передачи тока и т.д.

Параметры всех отобранных транзисторов сводятся в таблицу вида табл. 2.1, для предварительной оценки и принятия решения по окончательному выбору транзистора.

Пример. Покажем выбор транзисторов для следующих исходных данных: Iн = 2 А; Rн = 3,5 Ом; Lн = 0,001 Гн; ω = 100 Гц.

Из (2.2) получаем максимальное значение ЭДС самоиндукции

а затем, используя (2.3) находим

В соответствии с рядом номинальных напряжений полученное значение округляем до UИП = 9 В. Тогда из соотношений (2.1), (2.4), (2.5) получаем

Таким образом, из справочных данных выбираем транзисторы КТ816А и КТ817А, удовлетворяющие условиям (2.6), паспортные данные которых приведены в табл. 2.1:

Выбранные типы транзисторов представляют собой комплиментарную пару, что облегчает расчет проектируемого усилителя.

При выполнении курсового проекта следует сопоставить две-три пары транзисторов, проанализировав их параметры.

Таблица 2.1

Паспортные данные транзистора

Параметры

Единица измерения

Марки транзисторов и

тип их проводимости

КТ816А

p-n-p

КТ817А

n-p-n

…

…

Uкэ.доп.

В

40

40

Uкэ.нас.,

(при Iк=3А; Iб=0,3А)

В

1

1

Uбэ.доп.

В

5

5

Uбэ.нас.,

(при Iк=3А; Iб=0,3А)

В

1,5

1,5

Iк.доп.

А

3

3

Iб.доп.

А

1

1

Iкб0

мА

0,1

0,1

Iэ0

мА

-

-

Pк.доп.

Вт

1

1

βmin

-

20

20

βmax

-

-

-

0С/Вт

5

5

0С/Вт

95

95

0С

150

150

fгр.

кГц

3000

3000

Q1

см2

0,858

0,858

m

г

0,7

0,7

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]