3.8 Суретте екіжартылайпериодты түзеткіш схемасы – түзеткіш
диодтарды қосудың типтік схемасы көрсетілген.
Мұндай атау жүктеме (нагрузка) арқылы өтетін ток кіріс кернеудің екі жартыпериодында да ағып өтетініне байланысты қойылған. Схема Т төмендеткіш трансформатордын, иіндеріне (плечо) VD1-VD4 төрт диод жалғанған диодтық көпірден, сонымен қатар С конденсатордан (сглаживающий) тұрады. Айнымалы кернеу көпірдің бір диагоналіне беріледі, ал жүктеме екіншісіне жалғанады. Кіріс кернеудің оң жартытолқыны әсерінен VD2, VD3 диодтары ашық болады, ал теріс жартытолқын әсерінен – VD1, VD4. Бұл схемадағы кіріс, шығыс кернеудің, жүктеме тогының формалары 3.9 суретте көрсетілген. Берілген схемадағы конденсатор жүктемедегі пульсирующий кернеуді тегістеуді, деңгейлестіруді (сглаживание) қамтамасыз етеді. Бұл периодтың бір бөлігі аралығында қорек көзінен зарядталудан және іс жүзінде кіріс кернеудің периодының жартысына ∆tраз р≈T/2=1/(2∙f) тең болатын уақыт аралығында жүктеме арқылы разрядталу есебінен жүзеге асады. Жүктеме тогының Iн м максимал мәнінде жүктемедегі кернеу соғуының (пульсация) ∆Uвых амплитудасын қамтамасыз ететін конденсатор сыйымдылығы мына өрнек бойынша анықталады:
Берілген схемада теріс жартытолқынның әсері кезінде бір диодқа берілетін кері кернеудің максимал мәні іс жүзінде кіріс кернеудің амплитудасына тең:
Um обр ≈ Uвх m
Жоғары жиілікті (детекторлы) диодтар жоғары жиілікті электр сигналдарын түзетуге арналған. Төменгі жиілікті түзеткіш диодтар сияқты белгіленеді. Радиоқабылдағыштарда, телеарналарда және басқа да аппараттарда (детекторлар және демодуляторлар) қолданылады. Төменгі жиілікті түзеткіштерге қарағанда Iпр max және U обр max шамалары аз болады. Жоғары жиілікті диодтарда меншікті сыйымдылықтың минимал мәнін алуға тырысады, себебі жеткілікті жоғары жиілікте бұл сыйымдылықтың реактивті кедергісінің мәні диодтың p-n-өткелінің кері кедергісінің мәнінен аз болады, яғни түзету әсері (эффект выпрямления) (детектілеу) тез азаяды. P-n-өткелдің ауданын, осының әсерінен сыйымдылығын төмендету үшін, диодтың нүктелік конструкциясын қолданады. Нүктелік диодтардың барьерлік сыйымдылығы 1пФ-тан аспайды, ал жұмыс жасайтын жиілігі 150 МГЦ не одан да жоғары болады.
Диод сыйымдылығы корпус сыйымдылығы мен p-n-өткел сыйымдылығының қосындысы болып табылады (Сд = Ск + Сп). Ск корпус сыйымдылығының азаюы арнайы құрастырылған корпусты қолдану әсерінен болады. Осы мақсатта жоғары жиілікті диодтар көбіне корпуссыз жасалады, мұндай жағдайда олар гибридті интегралды схемалардың немесе герметикалық корпусқа орналасатын модульдің құраушы бөлігі ретінде қолданылады.
Нүктелік диодтың ВАС-ның тура тармағы іс жүзінде p-n-өткелдің реал ВАС-нан айырмашылығы болмайды, ал кері тармағында ешқандай анық білінетін қанығу аймағы болмайды, бұл тасқындық көбею (лавинное умножение) әсерінен болатын нүктелік байланыстың біртексіз өрісінде заряд тасушылардың генерация процессінің болуымен түсіндіріледі.
Импульсты диодтар импульсты және сандық қондырғыларда жұмыс жасауға арналған. Түзеткшітер сияқты белгіленеді және өтпелі процестердің ұзақтығы аз болады. Түзеткіш диодтардан p-n-өткелінің сыйымдылығының аздығымен ерекшеленеді және диодтың өтпелі сипаттамаларын анықтайтын бірнеше параметрлермен сипатталады. p-n-өткелдің ауданын кішірейту арқылы сыйымдылықты азайтуға болады, сондықтан таралудың мүмкін болатын қуатының шамасы жоғары болмайды (30...40 мВт).
Диодқа кернеудің немесе токтың қысқа уақытты тікбұрышты импульстері әсер еткенде диодтан кейінгі токтың немесе кернеудің формасы тікбұрыштан өзгеше болады, бұл базадағы заряд тасушылардың жинақталу және таралу процестерінің инертті болуына, сонымен қатар барьерлік сыйымдылығының тым көп зарядталуына байланысты. Ток пен кернеудің аз мәнінде өтпелі процесс ұзақтығы барьерлік сыйымдылықпен, ал үлкен мән болғанда диффузиялықпен анықталады.