2. Приборы и оборудование рабочего места.
Таблица 1
№ п/п |
Наименование |
Тип |
Предел измерений |
Класс точности |
Цена деления |
1 |
Лабораторный макет |
87-01 |
|
|
|
2 |
Транзистор |
МП 40А |
|
|
|
3 |
Миллиамперметр |
|
5мА |
|
|
4 |
Вольтметр |
|
0,5 В |
|
|
5 |
Миллиамперметр |
|
5 мА |
|
|
6 |
Вольтметр |
|
10 В |
|
|
3. Порядок выполнения работы.
3.1 Ознакомиться с оборудованием и приборами для выполнения работы и записать их технические характеристики в табл. 1.
3.2. Собрать схему, рис. 1, для измерения и показать ее преподавателю или лаборанту для проверки.
3.3.Снять семейство входных характеристик транзистора Iб= (Uэб) при Uкб = const
, для чего установить напряжение Uкэ = 0 на ТН2 и изменяя напряжение Uэб от 0 до 0,5В ступенями через 50 мВ, измерять ток базы Iб. Повторить измерение при напряжении Uкэ = -5В и Uкэ = -10В. Результаты измерений занести в таблицу 2.
3.4. Снять семейство выходных характеристик транзистора Iб= (Uкэ) при Iб = 0 мкА и изменяя напряжение на коллекторе Uкэ от 0 до 10В с шагом 2,5 В измерить ток коллектора Iк. Повторить измерение при токе Iб =100, 200, 300, 400, 500 мкА. Ток базы поддерживать для каждого измерения постоянным путем изменения напряжения на базе транзистора.
Результаты измерений записать в таблицу 3.
3.5. Построить входные и выходные характеристики и определить параметры транзистора β, Rвх, Rвых в рабочей точке, указанной преподавателем. Сравнить их со справочными данными.
Рис.1
Схема измерения характеристик транзистора
Измерения входных статических характеристик
Таблица 2
Uкэ, В
|
Uбэ, мВ |
|||||
1 |
100 |
200 |
300 |
400 |
500 |
|
Iб, мкА |
||||||
0 |
|
|
|
|
|
|
-5 |
|
|
|
|
|
|
-10 |
|
|
|
|
|
|
Измерения входных статических характеристик
Таблица 3
Uкэ, В
|
Iб, мкА |
|||||
1 |
100 |
200 |
300 |
400 |
500 |
|
Iк, мА |
||||||
0 |
|
|
|
|
|
|
-2,5 |
|
|
|
|
|
|
-5 |
|
|
|
|
|
|
-75 |
|
|
|
|
|
|
-10 |
|
|
|
|
|
|