4. Расчет трехфазного силового трансформатора, способ соединения обмоток которого задан

Трехфазный понижающий силовой трансформатор имеет следующие технические данные: S_Н=25 кВА; U_1Н=6 кВ; U_2Н=0,23 кВ; Р_О=0,12 кВт; Р_К=0,6 кВт; способ соединения обмоток (рис. 7),/.

Определить линейный и фазный коэффициенты трансформации, фазные напряжения, линейные и фазные токи, коэффициент полезного действия при сos₂=0,8 и коэффициенте нагрузки =80% номинальной. Определить также годовой коэффициент полезного действия при полной нагрузке =1, при сos₂=0,9 и времени работы Т=5000 ч. Построить векторную диаграмму линейных и фазных напряжений трансформатора, определить группу трансформатора.

Рис 7. Принципиальная электрическая схема

Р е ш е н и е

1. Линейный коэффициент трансформации:

2. Фазный коэффициент трансформации:

3. Фазное напряжение обмотки ВН:

4. Фазное напряжение обмотки НН:

U_2Ф=U_2Н=0,23 кВ.

5. Линейный ток обмотки ВН:

6. Фазный ток обмотки ВН:

I_1Ф=I_1Л=2,40 А.

7. Линейный ток обмотки НН:

8. Фазный ток обмотки НН:

9. Коэффициент полезного действия:

10. Годовой коэффициент полезного действия:

11. Для построения векторной диаграммы напряжений выберем разные масштабы напряжений обмоток ВН и НН, m_Uвн, кВ/мм, m_Uнн, кВ/мм. Векторы линейных (фазных) напряжений обмоток НН параллельны векторам фазных напряжений обмоток ВН (рис. 8 а).

Рис 8. Векторные диаграмма

Из векторной диаграммы номер группы трансформатора определяется делением фазового угла сдвига между векторами Ū_АВ и Ū_ав на 30⁰, в результате имеем единицу, то есть первую группу трансформатора Y/-1 (см. рис.8 б.).

Лекция

Общие сведения о полупроводниках. Полупроводниковые приборы. Выпрямители, транзисторы.

Интегральные микросхемы и логические элементы.

Фотоэлектрические приборы

Электропроводность полупроводников

Полупроводниками называются материалы, занимающие промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Особенностью металлических проводников является наличие свободных электронов - носителей электрических зарядов. В диэлектриках свободных электронов нет и поэтому они не проводят тока.

В отличие от проводников полупроводники имеют не только электронную, но и «дырочную» проводимости, которые в сильной степени зависят от температуры, освещенности, сжатия, электрического поля и других факторов.

Химическую связь двух соседних атомов с образованием на одной орбите общей пары электронов (рис. 1, а) называют ковалентной или парноэлектронной и условно изображают двумя линиями, соединяющими электроны (рис. 1, б). Например, германий принадлежит к элементам четвертой группы периодической системы элементов Менделеева и имеет на внешней орбите четыре валентных электрона. Каждый атом в кристалле германия образует ковалентные связи с четырьмя соседними атомами (рис. 1, в).

При отсутствии примесей и температуре, близкой к абсолютному нулю, все валентные электроны атомов в кристалле германия взаимно связаны и свободных электронов нет, так что германий не обладает проводимостью. При повышении температуры или при облучении увеличивается энергия электронов, что приводит к частичному нарушению ковалентных связей и появлению свободных электронов. Уже при комнатной температуре под действием внешнего электрического поля свободные электроны перемещаются и в кристалле возникает электрический ток. Электропроводность, обусловленная перемещением свободных электронов, называется электронной проводимостью полупроводника, или n-проводимостью.

П

ри появлении свободных электронов в ковалентных связях образуется свободное не заполненное электроном (вакантное) место - «электронная дырка». Так как дырка возникла в месте отрыва электрона от атома, то в области ее образования возникает избыточный положительный заряд. При наличии дырки какой-либо из электронов соседних связей может занять место дырки и нормальная ковалентная связь в этом месте восстановится, но будет нарушена в том месте, откуда ушел электрон. Новую дырку может занять еще какой-нибудь электрон и т. д. Схема образования и заполнения дырки условно показана на рис. 2.

В установленной наклонно подставке имеется четыре отверстия (дырки), в которых расположено четыре шара (электрона). Если шар 1 сместится вправо, то он освободит отверстие (дырку) и упадет с подставки, а в отверстие, которое занимал этот шар, переместится шар 2. Свободное отверстие (дырку) шара 2 займет шар 3, а отверстие последнего - шар 4.

Под действием внешнего электрического поля дырки перемещаются в направлении сил поля, т. е. противоположно перемещению электронов.

Проводимость, возникающая в результате перемещения дырок, называется дырочной проводимостью, или р-n проводимостью.

Таким образом, при электронной проводимости один свободный электрон проходит весь путь в кристалле, а при дырочной проводимости большое число электронов поочередно замещают друг друга в ковалентных связях и каждый из них проходит свой отрезок пути.

В кристалле чистого полупроводника при нарушении ковалентных связей возникает одинаковое число свободных электронов и дырок. Одновременно с этим происходит обратный процесс - рекомбинация, при которой свободные электроны заполняют дырки, образуя нормальные ковалентные связи. При определенной температуре число свободных электронов и дырок в единице объема полупроводника в среднем остается постоянным. При повышении температуры число свободных электронов и дырок сильно возрастает и проводимость германия значительно увеличивается. Электропроводность полупроводника при отсутствии в нем примесей называется его собственной электропроводностью.

Свойства полупроводника в сильной степени меняются при наличии в нем ничтожного количества примесей. Вводя в кристалл полупроводника атомы других элементов, можно получить в кристалле преобладание свободных электронов над дырками или, наоборот, преобладание дырок над свободными электронами. Например, при замещении в кристаллической решетке атома германия атомом пятивалентного вещества (мышьяка, сурьмы, фосфора) четыре электрона этого вещества образуют заполненные связи с соседними атомами германия, а пятый электрон окажется свободным (рис. 3, а), поэтому такая примесь увеличивает электронную проводимость (n-проводимость) и называется донорной. При замещении атома германия атомом трехвалентного вещества (индий, галлий, алюминий) его электроны вступят в ковалентную связь с тремя соседними атомами германия, а связи с четвертым атомом германия будут отсутствовать, так как у индия нет четвертого электрона (рис. 3, б).

Восстановление всех ковалентных связей возможно, если недостающий четвертый электрон будет получен от ближайшего атома германия. Но в этом случае на месте электрона, покинувшего атом германия, появится дырка, которая может быть заполнена электроном из соседнего атома германия. Последовательное заполнение свободной связи эквивалентно движению дырок. Примеси с меньшим числом валентных электронов в атоме по сравнению с атомом данного полупроводника вызывают преобладание дырочной проводимости и называются акцепторными.

Носители заряда, определяющие вид проводимости в примеcном полупроводнике, называются основными (дырки в р-полупроводнике и электроны в n-полупроводнике), а носители заряда противоположного знака - неосновными.