3.1 Сурет - Биполярлы транзистордың p-n-p және n-p-n түрі

Транзисторлар сонымен қатар қуаты, жиілігі және басқа да параметрлер бойынша бөлінеді.Транзисторлардың жұмыс істеу принципі физикалық процесстердің қолданылуына негізделінген.Ол процесстер электрлік зарядтың эмиттрлі аймақтан база арқылы коллекторге тасымалдайды.

І_э=I_б+І_к

І_э,I_б,І_к-сәйкес эмиттер, база, коллектор тогы.Активті, сызықты элемент ретінде көрсететін негізгі параметрлері:

• ток бойынша күшейту коэффиценті К_І=ΔI_вых/ΔI_вх

• кернеу бойынша күшейту коэффиценті К_u=ΔU_вых/U_вх

• қуат бойынша күшейту коэффициенті К_p=ΔP_вых/ΔP_вх

• кіріс кедергісі R_вх=R_вх/ΔR_вых

• шығыс кедергісі R_вых=R_вых/ΔR_вх

Әдетте транзисторлар электрлік сұлбада бір электродты кірісі болса,екіншісі шығысы және үшіншісі ортақ болып қосылады.Осыған байланысты оның жалғануының үш әдісі бар: ортақ эмиттер, ортақ база және ортақ коллектор.Ортақ базамен сұлбада кірісі эмиттерге түседі, ал шығысы коллектор. R_вх ашық эмиттерлі кедергі,бірнеше Ом.Ал шығысы коллекторлы байланысты кері жалғануымен анықталады. R_вых>>R_вх

2. сурет- Транзистор ОБ сұлбасы

Ортақ эмиттермен сұлбада кіріс сигналы база-эмиттерге түседі, ал шығысы коллектордан алынады.Кіріс сигналы ортақ базамен сұлбадағы кіріс сигналынан әлдеқайда үлкен.Ортақ эмиттермен сұлбада кіріс сигналы тоқ,кернеу және қуат күшейту күшейткіштерде қолданылады.

2. сурет- Ортақ эмиттер сұлба

2. сурет – Ортақ коллектормен сұлба

Өрістік транзистор-екі электрод арасында тоқ өтетін өткізгіш арнасы бар құрылғы.Бұл тоқты басқару электрлік өріс арқылы жүзеге асады.Заряд тасымалдануы басталатын электрод- бастау деп аталады.Қозғалыс жүзеге асатын электрод- құйма деп, электрлік өріс арқылы басқарылатын электрод -жаппа деп аталынады.

2. сурет- Өрістік транзистор

2. сурет- Өрістік транзистордың шартты белгіленуі

Өрістік транзистор электр өткізгіштігіне орай n арналы немесе p арналы деп бөлінеді.Басқарылатын p- n арналы транзистор жартылай өткізгішті материалдан жасалынған пластинка түрінде болады.

2. сурет- p- n арналы транзистордың кіріс және шығыс сипаттамалары

Өрістік транзисторлардың негізгі параметрлері:

• кернеу бойынша күшейту коэффициенті

• кіріс кедергісі

• шығыс кедергісі

Жұмыстың барысы:

Транзисторлардың вольтамперлік сипаттамасы тұрақты тоқ немесе арнайы характериограф құралы арқылы алынады.Ол құралды қатты қызып кетуден сақтайды.Алынған ВАС жұмыс істеу режімінде және тізбекті есептеу кезінде қолданылады.Ортақ эмиттермен (ОЭ) және ортақ бастаумен (ОБ) алынған ВАС сұлбасы алынған.

3.8 Сурет - Ортақ эмиттермен (оэ) сұлба

U_кэ=cost кезінде І_б (U_б) биполярлы транзистордың кіріс ВАС аналогты сипаттқа ие. ОЭ жиналған сұлба: коллекторға кернеу орнатып, кейін база-эмиттерінің кернеуі ұлғайғанда база тогы экспоненциальды түрде ұлғаяды. Өрістік транзистордың ОИ сұлбасының ВАС сипаттамасы І₃ тоқ мәні аз.Сол себепті ол шаманы елемеуге болады.

U_кэ=cost кезінде І_б (U_б) биполярлы транзистордың шығыс ВАС –ы ОЭ-сұлбасы жиналған базада тоқ мәнін шығысындағы коллектор кернеуінің мәніне байланысты.Ал өрістік транзистордың U₃=const кезінде І_с(U_с) шығыс сипаттамалары фиксирленген мәндегі кернеудің бастау пен құйма мәніне байланысты.

MS программалық ортасында компонент қоры жеткілікті.Оны анықтамалардан тауып алуға болады Мысалға, IRFL710 типтегі аналогты транзисторы КП731А типінің компоненті, 2N3906 транзисторы КТ613А типінің компоненті, 2N2222А транзисторы КТ3117Б компоненті және т.б..

Edit Model закладкасын таңдау арқылы виртуалды транзистор компоненттерін таңдауға және оның параметрлерін орнатуға болады.Мысал ретінде 3.8 суретте биполярлы транзистордың 2N2222А параметрлері 2.2 кестеде (барлығы 41) кейбір параметрлері MS программалау ортасында көрсетілген.

3.2 кесте - MS программалау ортасында көрсетілген транзистор параметрлері

Параметр атауы	MS программалық ортасында белгіленуі	1.4 пункта белгіленуі
Коллекторлы ауысудың кері тогы	IS = 0,2046 pA	IK0= 0,2046 пА
ОЭ сұлбасындағы идеальды мах күшейтілген тоқ мәні	BF = 296,5	h21 Э = 296,5
Кернеу, коллектор мах кернеуіне жуық мән	VAF = 10 V	U K.max= 10 B
Эмитторлы ауысуындағы кері тоқ мәні	ISE = 0,1451 pA	IЭ0= 0,1451 пA
Коллектордың мах тоқ мәні	IKF = 77,25 mA	IK.max= 77,25 мА
Базаның сыйымдылықты кедергі мәні	RB = 4 Ом	RБ= 4 Ом
Эмиттордың сыйымдылықты кедергі мәні	RE = 85,73 mОм	R Э= 85,73 мОм
Коллектордың сыйымдылықты кедергі мәні	RC = 0,4286 Ом	R К = 0,4283 Ом
База-эмиттор ауысуындағы потенциалдар айырымы	VJE = 0,95 V	ЕБЭ= 0,95 В
База-коллектор ауысуындағы потенциалдар айырымы	VJC = 0,4 V	ЕБK = 0,4В
Эмитторлы ауысудың кернеуі 0 болғандағы сыйымдылығы	CJE = 11 pF	C Э = 11 пФ
Коллекторлы ауысудың кернеуі 0 болғандағы сыйымдылығы	CJC = 32 pF	C K=32 пФ
Базадағы заряд тасымалдау уақыты	TF = 0,3 nsec	tпер= 0,3 нс

Электрлі параметрлер компоненттерінің шекті мәні Edit Component in BD закладкасын басу арқылы шығады. Detail Report закладкасына тышқан батырмасын басқаннан кейін ашылады. IV Analyzer характериограф арқылы да алуға болады (3.9 сурет).