- •Статистика носіїв заряду в напівпровідникових матеріалах
- •Концентрація електронів n у зоні провідності виродженого напівпровідника через безрозмірні параметри визначається виразом:
- •Концентрація дірок p у валентній зоні виродженого напівпровідника визначається виразом:
- •Рівень Фермі знаходиться в нижній половині забороненої зони;
- •Електропровідність напівпровідників
- •Μ не залежить від температури;
- •Μ не залежить від температури;
- •Μ не залежить від температури;
- •Термоелектричні явища
- •Гальваномагнітні ефекти
- •Фотопровідність у напівпровідниках
Гальваномагнітні ефекти
Виникнення поперечної різниці потенціалів у напівпровіднику, у якому протікає електричний струм у тому випадку коли існує магнітне поле перпендикулярне до напрямку струму, називається:
ефектом Холла;
ефектом Гаусса;
магніторезисторним ефектом;
магнітодіодним ефектом;
магнітоконцентраційним ефектом.
Зміна електричного опoру напівпровідника, в якому протікає електричний струм, під дією магнітного поля називається:
ефектом Холла;
ефектом Гаусса;
магніторезисторним ефектом;
магнітодіодним ефектом;
магнітоконцентраційним ефектом.
Різка зміни електричного опору у напівпровідниковому діоді ввімкненому в прямому напрямку, при дії поперечного магнітного поля називається:
ефектом Холла;
ефектом Гаусса;
магніторезисторним ефектом;
магнітодіодним ефектом;
магнітоконцентраційним ефектом.
Зміна концентрації носіїв на протилежних гранях напівпровідникової пластини, в якій протікає електричний струм, під дією магнітного поля називається:
ефектом Холла;
ефектом Гаусса;
магніторезисторним ефектом;
магнітодіодним ефектом;
магнітоконцентраційним ефектом.
Обертання площини поляризації лінійно поляризованого випромінювання при його поширенні через речовину, яка міститься в магнітному полі, яке паралельне напрямку поширення випромінювання називається ефектом:
Фарадея;
Фогта;
Коттона-Мутона;
Віхера.
Ефект, який полягає в тому, що лінійно поляризоване випромінювання після проходження шару ізотропної речовини, яка міститься в магнітному полі, стає еліптично поляризованим називається ефектом:
Фарадея;
Фогта;
Коттона-Мутона;
Віхера.
Виникнення температурного градієнта, який напрямлений перпендикулярно густині струму і магнітній індукції називається ефектом:
Еттінгсгаузена;
Фогта;
Нернста-Еттінгсгаузена;
Рігі-Ледюка.
Виникнення поперечного температурного градієнта, перпендикулярного напрямку теплового потоку і магнітного поля називається ефектом:
Еттінгсгаузена;
Фогта;
Нернста-Еттінгсгаузена;
Рігі-Ледюка.
Якщо в зразку, поміщеному в магнітне поле, створювати температурний градієнт в напрямку х, то в поперечному напрямку виникає напруга. Це явище називається ефектом:
Еттінгсгаузена;
Нернста-Еттінгсгаузена;
Фогта;
Рігі-Ледюка.
Напруженість електричного поля Холла визначається за формулою:
;
;
;
.
Ефект Холла найбільш різко виражений у:
металах;
напівпровідниках n-типу провідності;
напівпровідниках p-типу провідності;
діелектриках.
Коефіцієнт Холла можна знайти за формулою:
;
;
;
.
Відношення RH/d = γ називається:
сталою Холла;
Холл-фактором;
чутливістю навантаженого перетворювача Холла;
питомою чутливістю ненавантаженого перетворювача Холла.
Сильним магнітним полем вважають поле, для якого справедлива умова:
;
;
;
.
Перетворювачі Холла, які використовуються для технічних цілей, мають Холл-фактор:
rH >1;
rH <1;
rH =0;
.
Чутливість навантаженого перетворювача Холла є функцією:
властивостей напівпровідникового матеріалу;
магнітної індукції;
геометрії перетворювача;
значення навантаження на виході.
Напруга Холла реального ненавантаженого перетворювача Холла визначається за формулою:
;
;
;
.
Напруга Холла реального навантаженого перетворювача Холла визначається за формулою:
;
;
;
.
При магніторезистивному ефекті збільшення електричного опору під дією магнітного поля відбувається коли вектор магнітної індукції спрямований:
перпендикулярно до напрямку протікання струму;
паралельно до напрямку струму;
як перпендикулярно так і паралельно до напрямку струму.
Фізична зміна опору при магніторезистивному ефекті описується наближеною формулою:
;
;
;
.
Геометричний ефект магнітоопору виявляється тим сильніше:
чим більше відношення a/b;
чим менше відношення a/b;
не залежно від відношення a/b.
Напівпровідникові перетворювачі, чутливі не тільки до значення вектора індукції магнітного поля, але і до його напрямку створюють виеористовуючи:
магнітодіодний ефект;
магніторезисторний ефект;
магнітооптичний ефект;
магнітоконцентраційний ефект.
Нестабільність перетворювачів магнітного поля робота яких базується на магнітоконцентраційному ефекті зумовлена сильною залежністю цього ефекту від:
температури;
величини магнітного поля;
концентрації носіїв;
стану поверхні напівпровідникового зразка.
Вперше експериментально виявив зв’язок між оптичними та магнітними явищами:
Фогт;
Еттінгсгаузен;
Віхер;
Фарадей.
Знак ефекту Фарадея визначається:
значенням напруженості магнітного поля;
напрямком магнітного поля, незалежно чи поширюється випромінювання вздовж магнітного поля чи проти;
тим чи поширюється випромінювання вздовж магнітного поля чи проти;
поляризацією випромінювання.
Поворот площини поляризації в ефекті Фарадея визначається формулою:
;
;
;
.
Поворот площини поляризації у магнітному полі можна виразити через сталу:
Холла;
Фарадея;
Фогта;
Верде.
Величина ефекту Фогта визначається виразом:
;
;
;
.
Ефект Еттінсгаузена виражає формула:
;
;
;
.
Ефект Нернста-Еттінсгаузена виражає формула:
;
;
;
.
Ефект Рігі-Ледюка виражає формула:
;
;
;
.
На рисунку наведена схема прояву ефекту:
Еттінгсгаузена;
Нернста-Еттінгсгаузена;
Фогта;
Рігі-Ледюка.
На рисунку наведена схема прояву ефекту:
Еттінгсгаузена;
Нернста-Еттінгсгаузена;
3) Фогта;
4) Рігі-Ледюка.
На рисунку наведена схема прояву ефекту:
Еттінгсгаузена;
Нернста-Еттінгсгаузена;
Фогта;
Рігі-Ледюка.
