Файловый архив студентов. Файловый архив студентов.
1331 вуз, 5513 предмет.
/ Регистрация
FAQ Обратная связь Вопросы и предложения
Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Прикарпатский национальный университет им. В. Стефаника
Предмет:
[НЕСОРТИРОВАННОЕ]
Файл:
Фізичні основи мікроелектроніки.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
1 Мб
Скачать
☆
►Содержание►

  1. Фотопровідність у напівпровідниках

    1. Явище генерації вільних носіїв заряду внаслідок поглинання світла називається:

  1. фотолюмінесценцією;

  2. фотомагнітним ефектом;

  3. зовнішнім фотоефектом;

  4. внутрішнім фотоефектом.

    1. Питома фотопровідність власного напівпровідника визначається виразом:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Квантовий вихід для власного напівпровідника визначає:

  1. концентрацію надлишкових носіїв заряду, утворених одним поглинутим фотоном;

  2. концентрацію надлишкових носіїв заряду, утворених фотонами поглинутими за час Δt.;

  3. кількість пар носіїв заряду, утворених одним поглинутим фотоном;

  4. кількість пар носіїв заряду утворених поглинутими фотонами за час Δt

    1. Концентрація носіїв заряду, що генеруються поглинутим випромінюванням протягом часу t визначається виразом:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Якщо високо енергетичні фотони створюють ударну йонізацію, то квантовий вихід:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Якщо інтенсивність світла однакова в усьому об’ємі напівпровідника і не змінюється з часом, то значення надлишкових концентрацій визначаються виразами:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Стаціонарна фотопровідність:

  3. ;

  4. .

    1. Світлочутливість речовини визначається за формулою:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. При поглинанні фотонів великої енергії, що відповідають рентгенівському або -випромінюванню, квантовий вихід:

  1. зменшується;

  2. збільшується;

  3. залишається сталим.

    1. Зміна надлишкової концентрації електронів після вмикання або вимкнення постійного освітлення:

  3. ;

    1. Зміна надлишкової концентрації електронів після вмикання або вимкнення постійного освітлення низькому рівні інжекції:

  1. ;

    1. У дірковому напівпровіднику концентрація надлишкових неосновних носіїв заряду при миттєвому (ступінчастому) вмиканні освітлення змінюється за законом:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. При миттєвому вимкнення освітлення надлишкова концентрація неосновних носіїв заряду змінюється за законом:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. У рівнянні враховані:

  1. рекомбінаційна, інжекційна та генераційна складові;

  2. генераційна та релаксаційна складові;

  3. рекомбінаційна та релаксаційна складові;

  4. рекомбінаційна та генерацій на складові.

    1. При високому рівні інжекції при вмиканні освітлення величина визначається постійним коефіцієнтом і змінним з часом співмножником у вигляді гіперболічного:

  1. синуса;

  2. косинуса;

  3. тангенса;

  4. котангенса.

    1. При високому рівні інжекції у разі вимкнення освітлення концентрація надлишкових неосновних носіїв заряду змінюється за законом:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Якщо , то пастка протягом часу життя нерівноважного електрона здатна захопити його неодноразово. Такі пастки називають пастками:

  1. -типу;

  2. -типу;

  3. -типу;

  4. -типу.

    1. Якщо , то пастка протягом часу життя нерівноважного електрона здатна захопити його не більше ніж один раз. Такі пастки називають:

  1. -типу;

  2. -типу;

  3. -типу;

  4. -типу.

    1. Початковий етап наростання і спаду у випадку -пасток визначається величною:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Початковий етап наростання і спаду у випадку -пасток визначається величною:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Явище виникнення ЕРС на гранях напівпровідника перпендикулярних до напрямку поширення світла називають:

  1. фотомагнітоелектричним ефектом;

  2. ефектом Кікоїна-Носкова;

  3. ефектом Дембера;

  4. ефектом Фарадея.

    1. На рисунку представлена схема виникнення ефекту:

  1. Фогта;

  2. Кікоїна-Носкова;

  3. Дембера;

  4. Фарадея.

    1. ЕРС Дембера можна визначити за формулою

  1. ;

  3. ;

  4. .

    1. ЕРС Демблера тим більша, чим:

  1. більше відрізняються рухливості електронів і дірок;

  2. менше відрізняються рухливості електронів і дірок;

  3. більша провідність матеріалу;

  4. менша провідність матеріалу.

    1. Ефект Дембера відсутній, коли:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Різниця потенціалів створена на p-n-переході внаслідок опромінення:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. При розімкненому колі вентильна фото-ЕРС визначається за формулою:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Джерелом напруги в напівпровідникових перетворювачах енергії світла в електричну енергію є:

  1. фотомагнітна ЕРС;

  2. вентильна фото-ЕРС;

  3. ЕРС Дембера;

  4. ЕРС Фарадея.

    1. Вентильна фото-ЕРС залежить від:

  1. температури;

  2. густини струму;

  3. кута поляризації світла;

  4. інтенсивності освітлення.

    1. Явище виникнення ЕРС на бокових гранях напівпровідника вміщеного у зовнішнє постійне магнітне поле напрямлене перпендикулярно до променів світла називають:

  1. фотомагнітоелектричним ефектом;

  2. ефектом Кікоїна-Носкова;

  3. ефект Дембера;

  4. ефектом Фарадея.

    1. Фотомагнітна ЕРС визначається формулою:

  1. ;

    1. При високому рівні інжекції фотомагнітна ЕРС визначається формулою:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. При низькому рівні інжекції фотомагнітна ЕРС визначається формулою:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. При низькому рівні інжекції і малій швидкості поверхневої рекомбінації фотомагнітна ЕРС визначається формулою:

  2. ;

    1. Фотомагнітоелектричний ефект використовується для:

  1. визначення швидкості поверхневої рекомбінації;

  2. визначення малого часу життя;

  3. визначення рівня інжекції;

  4. визначення кількості надлишкових носіїв заряду.

    1. На рисунку представлена схема виникнення ефекту:

  1. Фогта;

  2. Кікоїна-Носкова;

  3. Дембера;

  4. Фарадея.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]
Помощь Обратная связь Вопросы и предложения Пользовательское соглашение Политика конфиденциальности