- •Курсовая работа
- •«Изготовление плат методом тонкопленочной технологии».
- •Введение.
- •Глава 1 Необходимость развития технологий для производства тонкопленочных микросхем
- •Глава 2 Классификация процессов изготовления плат методом тонкопленочной технологии
- •2.1. Процессы напыления
- •2.1.1. Термическое вакуумное напыление
- •2.1.2. Резистивное напыление
- •2.1.4. Электронно-лучевое напыление
- •2.1.3. Индукционное напыление
- •2.1.5. Лазерное напыление
- •2.1.6. Электродуговое напыление
- •2.1.7. Распыление ионной бомбардировкой
- •2.1.8. Катодное распыление
- •2.1.9. Магнетронное распыление
- •2.1.10. Высокочастотное распыление
- •2.1.11. Плазмо-ионное распыление в несамостоятельном газовом разряде
- •2.2. Фотолитография
- •Способы экспонирования
- •Методы и технология формирования рисунка интегральных микросхем
- •Глава 3. Материалы, используемые в тонкопленочной технологии
- •Глава 4 Технологическое оборудование для производства изделий методом тонкопленочной технологии
- •Глава 5 Специальная оснастка и инструмент для производства тонкопленочных микросхем. Фотошаблоны и технология их получения
- •Глава 6 Особенности организации участка производства микросхем
- •Глава 7 Безопасность труда в производстве изделий микроэлектроники (2-3 листа)
- •Ниже приведены основные требования и необходимые меры для обеспечения безопасности
- •Список используемой литературы
2.1.3. Индукционное напыление
Для устранения нежелательных последствий, связанных с взаимодействием между испаряемым веществом и испарителем, и получения покрытий высокой чистоты используется индукционное испарение.
Принцип действия тигля с индукционным нагревом показан на рис.3.2. При плавлении масса металла (1) под действием сил электромагнитного поля, создаваемого катушкой (2), поднимается таким образом, что поверхность соприкосновения нагретого до высокой температуры металла с тиглем (3) оказывается минимальной. В результате происходит ослабление химических реакций между испаряемым металлом и тиглем.
Рис.3.2. Индукционный испаритель
К недостаткам индукционного метода нагрева следует отнести невозможность непосредственного испарения диэлектриков и необходимость использования специальных
Индукторов для испарения различных металлов, а также низкий КПД установки.
2.1.4. Электронно-лучевое напыление
В производственных условиях широко используется электронно-лучевые испарители, которые позволяют получать тонкие пленки металлов, сплавов и диэлектриков. Хорошая фокусировка электронного пучка в этих испарителях позволяет получать большую концентрацию мощности (до 5·108 Вт/см2 ) и высокую температуру, что обеспечивает возможность испарения с большой скоростью даже самых тугоплавких материалов. Быстрое перемещение нагретой зоны в результате отклонения потока электронов, возможность регулирования и контроля мощности нагрева и скорости осаждения создают предпосылки для автоматического управления процессом. Метод позволяет получить высокую чистоту и однородность осаждаемой пленки, поскольку реализуется автотигельное испарение материала.
Принцип действия электронно-лучевого испарителя таков. В электронной пушке происходит эмиссия свободных электронов с поверхности катода и формирование их в пучок под действие ускоряющих и фокусирующих электростатических и магнитных полей. Через выходное отверстие пушки пучок выводится в рабочую камеру. Для проведения электронного пучка к тиглю с испаряемым материалом и обеспечения параметров пучка, требуемых для данного технологического процесса, используют главным образом магнитные фокусирующие линзы и магнитные отклоняющие системы. Беспрепятственное прохождение электронного пучка до объекта возможно только в высоком вакууме. В камере испарителя устанавливается рабочее давление около 10-4 Па. Испаряемый материал нагревается вследствие бомбардировки его поверхности электронным пучком до температуры, при которой испарение происходит с требуемой скоростью. В образовавшемся потоке пара располагают подложку, на которой происходит конденсация. Испарительное устройство дополняют средствами измерения и контроля, которые особенно важны для управления электронного пучка в процессе напыления.
Основные параметры, достижимые в электронно-лучевых испарителях: 104 -105 Вт/см2 ; удельная скорость испарения - 2·10-3 -2·10-2 г/(см2 ·с); эффективность процесса испарения (по меди) - 3·10-6 г/Дж; энергия генерируемых частиц – 0,1-0,3 эВ; скорость осаждения частиц на подложке – 10-60 нм/с.
В простейшем случае электронный пучок направляют на исправляемый материал сверху отвесно или под косым углом к поверхности. При этом для обеспечения фокусировки пучка и получения требуемой удельной мощности на поверхности испаряемого материала используют длиннофокусные генераторы электронных пучков. Существенными недостатками такого расположения являются возможность образования пленок на деталях электронно-оптической системы, что приводит к изменению параметров электронного луча, и ограничение полезной площади для размещения подложки из-за затенения части технологической камеры пушкой. Указанных недостатков можно избежать, размещая пушку горизонтально и отклоняя электронный пучок на испаряемый материал с помощью различных систем, обеспечивающих поворот пуска на угол до 270°.
К недостаткам метода электронно-лучевого испарения следует отнести:
- необходимости наличия высокого ускоряющего напряжения (порядка 10 кВ);
- низкий энергетический КПД установок ввиду затрат энергии на образование вторичных электронов (до 25 % энергии первичного пучка) нагрев тигля, рентгеновское и ультрафиолетовое излучение;
- газовыделение в рабочем объеме вследствие бомбардировки вторичными электронами подложки, технологической оснастки и стенок камеры;
- генерацию радиационных дефектов в наносимых тонких пленках при бомбардировке их вторичными электронами;
- отсутствие заметной ионизации потока осаждаемого вещества;
- плохую адгезию тонких пленок к основе вследствие низкой энергии осаждаемых частиц.
