- •Программа
- •Цель и задачи государственной итоговой аттестаций студентов
- •Основное содержание государственной итоговой аттестаций студентов
- •Содержание государственного итогового экзамена и его соотнесение с совокупным ожидаемым результатом образования в компетентностном формате по оп во в целом
- •Содержание выпускной квалификационной работы студента и ее соотнесение с совокупным ожидаемым результатом образования в компетентностном формате по оп во в целом
- •Формы проведения государственной итоговой аттестации студентов на соответствие их подготовки ожидаемым результатам образования компетентностно-ориентированной оп
- •Формы итоговой государственной аттестации
- •Структура государственной экзаменационной комиссии
- •Порядок проведения государственной итоговой аттестации
- •Дисциплина б3.Б.8 Физические основы электроники
- •Дисциплина б3.Б.9 Наноэлектроника
- •Дисциплина б3.Б.10 Схемотехника
- •Дисциплина б3.В.1 Базовые компоненты электронных схем
- •Дисциплина б3.В.3 Основы преобразовательной техники
- •Дисциплина б3.В.5 Информационная электроника
- •Структура пояснительной записки вкр
- •Введение
- •Основная часть
- •Список используемых источников
- •Приложения
- •Формат набора текста пз
- •Графический материал
- •4. Учебно-методическое и информационное обеспечение государственной итоговой аттестации студентов по ооп
Дисциплина б3.Б.9 Наноэлектроника
Приведите недостатки полупроводниковых приборов, связанных с квантовым ограничением.
Поясните принципы работы устройств, реализуемых на полупроводниковых гетероструктурах.
Поясните принципы работы устройств, реализуемых на полупроводниковых сверхрешетках.
Приведите анализ энергетических диаграмм сверхрешеток.
Приведите анализ энергетического спектра электронов в сверхрешетках.
Опишите свойства электронного газа в сверхрешетках.
Поясните влияние квантово-размерных эффектов на свойства вещества.
Опишите способы формирования квантовых точек.
Опишите способы формирования квантовых проволок (нитей).
Опишите способы формирования квантовых ям.
Опишите свойства 2D-электронного газа в магнитном поле.
Поясните различия целочисленного и дробного квантового эффекта Холла.
Опишите эффект Ааронова–Бома.
Опишите эффект Штарка.
Поясните сущность квантово-размерного эффекта Штарка в гетеронаноструктурах с квантовыми ямами.
Опишите туннельный эффект.
Опишите эффект Джозефсона.
Поясните принцип работы кулоновской блокады с одним туннельным переходом.
Поясните принцип работы кулоновской блокады с двумя туннельными переходами.
Поясните принцип работы приборов, работающих на эффекте сотуннелирования.
Поясните принцип работы диодов, работающих на эффекте резонансного туннелирования.
Поясните принцип работы транзисторов, работающих на эффекте резонансного туннелирования.
Приведите классификацию логических элементов на резонансно-туннельных приборах.
Приведите классификацию приборов, работающих на эффекте одноэлектронного туннелирования.
Опишите особенности работы одноэлектронного транзистора.
Опишите особенности работы одноэлектронного насоса.
Опишите особенности работы памяти, работающей на эффекте одноэлектронного туннелирования.
Приведите классификацию устройств на основе сверхрешеток.
Опишите особенности и преимущества инфракрасных фотоприемников.
Поясните принцип работы гетероструктурных лазеров на сверхрешетках.
Поясните принцип работы квантово-каскадных лазеров.
Поясните принцип работы лавинных фотодиодов.
Поясните принцип работы оптических модуляторов.
Опишите особенности транзисторов с высокой подвижностью электронов.
Дисциплина б3.Б.10 Схемотехника
1.Приведите частотный и временной анализ фильтра нижних и высоких частот. Показать их работу как интегрирующее и дифференцирующее звенья.
2. Опишите блок схему усилителя. Дать основные параметры, характеристики.
3.Приведите классификацию усилительных схем.
4.Поясните работу схемы усилительного каскада с общим эмиттером и объяснить назначение всех элементов схемы.
5.Поясните работу схемы усилительного каскада с общим коллектором и объяснить назначение всех элементов схемы.
6.Рассчитайте схему усилительного каскадас общим коллектором.
7.Приведите схему усилительного каскада с общей базой и объяснить назначение всех элементов схемы.
82.Опишите все виды обратных связей и рассмотреть их влияние на параметры схемы.
9. Поясните проблемы при создании усилителей постоянного тока и методы их решения. Приведите схему параллельно-балансного каскада.
10.Поясните, что такое операционный усилитель. Приведите основные параметры и нарисовать передаточную характеристику.Опишите назначение цепей коррекции операционного усилителя.
11. Рассчитайте схему инвертирующего усилителя на основе ОУ. Дайте вывод формулы для расчета.
12. Рассчитайте схему неинвертирующего усилителя на основе ОУ. Представьте расчет схемы для идеального, неидеального и реального усилителя.
13. Рассчитайте схемы инвертирующего и неинвертирующего сумматора.
14. Опишите схему разностного усилителя. Напишите условие, при котором на выход не проходит синфазный сигнал.
15. Поясните работы схемы интегрирующего усилителя. Рассчитайте формулы для построения ЛАЧХ интегрирующего усилителя.
16. Дайте модифицированную схему интегратора для фиксации моментов начала и конца интегрирования.
17. Опишите работу схемы дифференцирующего усилителя на ОУ. Отметьте ее недостатки.
18. Опишите работу усилителя неявного дифференцирования. Приведите необходимость применения усилителя неявного дифференцирования. Постройте ее ЛАЧХ.
19. Опишите особенности построения резонансного усилителя.
20. Опишите условия, при которых генератор становится усилителем.
Приведите анализ работы LC-генератора. Дайте режимы работы.
21.Поясните импульсный режим работы тразистора. Представьте его параметры на примере транзисторного ключа.
22. Рассчитайте все переходные процессы работы транзисторного ключа.
23. .Приведите анализ импульсного режима работы ОУ на примере компаратора. Поясните временные диаграммы работы компаратора.
24. Приведите анализ работы релаксационных генераторов на примере работы мультивибратора. Дайте назначение всех элементов схемы.
