Дисциплина б3.В.1 Базовые компоненты электронных схем

1. Приведите классификацию резисторов.

2. Опишите параметры резисторов.

3. Приведите классификацию конденсаторов.

4. Опишите параметры конденсаторов.

5. Опишите параметры дросселей.

6. Опишите разновидности трансформаторов и их параметров, нарисуйте схему замещения и опишите ее параметры.

7. Поясните, с какими процессами связаны максимальные электрические параметры полупроводниковых приборов.

8. Поясните, что такое область безопасных режимов полупроводникового прибора, с какими параметрами прибора она связана и как отличается при работе прибора в непрерывном и импульсном режимах.

9. Поясните, что такое тепловое сопротивление полупроводникового прибора, из каких составляющих складывается и как его можно уменьшить.

10. Поясните особенности работы полупроводниковых ключей на комплексную нагрузку, причины, по которым прибор может выйти из строя при коммутации.

11. Поясните принципы защиты полупроводниковых приборов при их работе на RC-нагрузку, приведите схемы защиты и опишите их работу.

12. Поясните принципы защиты полупроводниковых приборов при их работе на RL-нагрузку, приведите схемы защиты и опишите их работу.

13. Рассчитайте длительности этапов переходного процесса включения диода на активную нагрузку, опишите явления, происходящие в диоде при включении.

14. Рассчитайте длительности этапов переходного процесса переключения диода из прямого направления в обратное при активной нагрузке, опишите явления, происходящие при этом в диоде.

15. Приведите классификацию современных импульсных диодов, дайте сравнительный анализ их преимуществ и недостатков.

16. Приведите максимальные параметры биполярного транзистора.

17. Опишите области работы биполярного транзистора и покажите их на выходных вольт-амперных характеристиках, опишите зависимость коэффициента β от тока и напряжения.

18. Рассчитайте амплитуду и внутреннее сопротивление источника управляющего напряжения ключа на биполярном транзисторе, необходимого для создания коэффициента насыщения, равного 5.

19. Опишите переходные процессы в простейшем ключе на биполярном транзисторе с активной нагрузкой.

20. Рассчитайте время включения ключа на биполярном транзисторе с активной нагрузкой.

21. Рассчитайте время выключения ключа на биполярном транзисторе с активной нагрузкой в режиме активного запирания.

22. Рассчитайте время выключения ключа на биполярном транзисторе с активной нагрузкой в режиме пассивного запирания.

23. Опишите переходные процессы в ключе на биполярном транзисторе в схеме с дросселем.

24. Опишите переходные процессы в ключе на биполярном транзисторе с трансформаторным выходом.

25. Приведите структуру и статические характеристики мощного МДП-транзистора, назовите его максимальные параметры.

26. Опишите переходные процессы в ключе на МДП-транзисторе.

27. Рассчитайте время включения ключа на МДП-транзисторе с активной нагрузкой.

28. Рассчитайте время выключения ключа на МДП-транзисторе с активной нагрузкой.

29. Поясните сущность эффекта du/dt в МДП-транзисторе и методы борьбы с ним.

30. Опишите принцип действия IGBT, нарисуйте его структуру и схему замещения.

31. Приведите максимальные параметры и статические характеристики IGBT, дайте им анализ в сравнении с максимальными параметрами и статическими характеристиками МДП-транзистора.

32. Опишите переходные процессы переключения IGBT.

33. Опишите структура и принцип действия тиристора.

34. Поясните сущность эффект du/dt в тиристоре и методы борьбы с ним.