Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
В.С.Урусов - теоретическая кристаллохимия.pdf
Скачиваний:
85
Добавлен:
13.02.2015
Размер:
16 Мб
Скачать
☆

ские

расчеты энергии

атомизации

кристалла

BN

со

структурой

типа

сфалерита

дают около 60%

экспериментальной

 

величины

(300

ккал), составляющей 0,5% полной энергии этого

кристалла,

в котором на молекулярную единицу приходится всего 12 элект-

ронов. Для кристаллов,

состоящих

из

более тяжелых атомов, со-

 

 

 

 

отношение между энергией ато-

 

 

 

 

мизации

и полной электронной

 

 

 

 

энергиейещбудет

 

е

 

более небла-

 

 

 

 

гоприятным.

пох

 

р

главны-

 

 

 

 

 

Поэтомудсио

 

 

 

 

 

ми способами оценки энергии ко-

 

 

 

 

валентной связи являются

раз-

 

 

 

 

личные

эмпирические

методы.

 

 

 

 

Опыт

показывает,

что

равновес-

 

 

 

ан я

энергия ординарной

гомопо-

 

 

 

 

лярной

связи

находитсявдо

-

 

 

 

 

вольно простой линейной зависи-

 

 

 

 

мости

от

ее

длины

 

(рис.

21).

 

 

 

 

Зависимость

можно

 

выразить

 

 

 

 

приближенным уравнением:

 

 

 

 

 

 

Е

(ккал) =-38^ (А)+ 136.

 

 

 

 

 

 

Энергия кратной связи обыч-

 

 

 

 

но не является простым произве-

21Рис.

. Зависимость энергий ордиз-

дением энергии ординарной свя-

ии

 

кратности. Например,

энер-

нарной

ковалентной

связи

от меж

гия разрыва

ординарной

связи

 

атомного расстояния

 

С—С

составляет

83,

 

двойной —

но видеть, что

я-связи

заметно

141,а

тройной—187 ккал. Мож-

слабее

а-связей,

причем

вторая

л-связь слабее первой 1.

 

 

 

и

изменении межатомно-

Изменение энергии отдельной связипр

го расстояния А^? обычно передается с помощью функции Морзе:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(12)

Здесь

D — энергия

диссоциации (D0= —

<>)•

сг^"I/&/2D, где

—k

силовая константа

связи, которая,в

свою

очередь,

обратно

пропорциональна квадрату длины связи: /z = m//?02

(в так называе-

мом гармоническом приближении).

 

 

 

 

 

 

 

3. ДОНОРНО-АКЦЕПТОРНАЯ СВЯЗЬ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Еслив ковалентной

связи электроны предоставляютсяи

раз-

деляются поровну всеми атомами, о

донорно-акцепторная

связь

образуется, когда один из партнеров

располагает

неподеленной

(L)

парой электронов, а другой — свободной

(вакантной) валент-

 

1 Ослабление я-связи компенсируется укорочением кратной связи по срав-

нениюс

простой

а-связью. Так,энергии

простой, двойнойи

.

тройной связей

междуС и N

составляют 73,1421и

0

ккал/моль,т е.

находятсяв

отношен

примерно

1 : 2 :в3

связи

укорочением

длины

связи

этом

рядун

а 0,35А .

62

ной орбиталью. Тогда первыйиниз

х

является донором,а

в

рой—

акцептором электроновВ.

результате

химического взаи-

 

модействия электронная L-napa (пары) переходит (переходят) в совместное владение обоими партнерами. Следовательно, резуль-

та т

оказывается

практическито жт

е самый,чт иопр и

образова-

нии

ковалентной

связи. Поэтому

донорно-акцепторныйти

п свя-

зывания является, скорее, способом описания, чем отражением ка-

кого-то особого механизма взаимодействия.

Рассмотрим с донорно-акцепторных позиций связь в кристалле сфалерита ZnS. Замкнутая аргоноподобная оболочка атома Sбо - разуется, еслиZ n передаетем у своидв а валентных электрона:

формальнопр и этом образуются ионы Zn2+и S2~. Каждая части- ца S2- является донором, обладающим четырьмя неподеленными

парами электронов, a Zn2+ — акцептором с четырьмя вакантными

5и- р-орбиталями. Теперь надо осуществить 5/?3-гибридизациюва - лентной оболочки S2-и в порядке «донорской помощи» передать по одной электронной паре четырем ближайшим соседям — ато-. мам Zn2+. Каждый из них получает, таким образом, восемь элект-

ронов т своих четырех соседейи

приобретает законченную

18-электрониую оболочку криптонового типаВ. результате такой «взаимной услуги»об а партнера заполняют свои электронные оболочки и связываются по донорно-акцепторному механизму суще-

ственно ковалентной связью в структуре типа алмаза.

Весьма своеобразна архитектура связей в алмазоподобной структуре лаутита CuAsSсВ. е атомы находятсяв тетраэдрической

координации, ос

разным окружением: вокругA—s

2As-fS4-Cu,

вокруг S — 3Cu+As и вокруг

Си —As+3S. Таким

образом атомы

As образуют зигзагообразные

(с тетраэдрическими углами) це-

почки, дополненные сбоку выступамии з атомов S1:

 

—As—As—As.

Трехвалентные атомы As насыщают две свои валентности в ковалентных связях другс другом. Наиболее электроотрицательный

из всех трех видов атомов S1 выступает в качестве акцептора, при-

влекаядл я завершения своей электронной оболочки один элект-

рон Ст

иещ

е один— о Asт

.

Формально построенный такимпу -

темио

н S|2~ делается электроположительным, становится донором

и

«раздает»

электронные

пары

своим

соседям, одну—As a ,

три—Си

. Недостающую пару электроновС и

получаетAsт и ,

вокруг всех атомов создаются устойчивые электронные ансамбли.

Нетрудно

заметить, однако,чт о

донорно-акцепторные

связи

образуются неодинаковыми атомами, и поэтому не совсем строго

ббыло ы

рассматривать ках

к

чисто ко

ях от предельных типов связи более подробно будет сказано в

разделах 4 и 6 этой главы).

63

Обратим также внимание на то, что донорно-акцепторное взаимодействие является типичным кислотно-основным взаимодейст-

вием. Действительно, с точки зрения обобщенной теории кислот и оснований (см. гл. II) любую частицу — донора электронов — можно рассматривать как основание, а любую другую частицу — акцептора электронов — как кислоту. Поэтому и само взаимодействие частицы с «избытком» электронов (донор) и частицы с «недостатком» электронов (акцептор) возникает как результат нейтрализации противоположных по свойствам основания и кислоты.

Такая

нейтрализация осуществляетсярп и

переходе валентных

электроновв совместное пользование, хотя

разделениеи вх точно-

ст и

поровну необязательно.

 

4. СВЯЗИ, ПРОМЕЖУТОЧНЫЕ МЕЖДУ ИОННЫМИ И КОВАЛЕНТНЫМИ.

СТЕПЕНЬ ИОННОСТИ СВЯЗИ

Как уже было сказано, донорно-акцепторные связи образуются

между неодинаковыми атомамии

поэтомун

е

могут-быть предель-

но

ковалентными: электронная

парав

большой степени

должна

 

принадлежать одному из партнеров. Это справедливо во всех слу-

 

чаях, когда свойства связанных друг с другом атомов различны.

 

Если такое различие очень велико

(свойства

атомов

полярны),

 

возникает

ионная связь, описаннаяв

разд1.

этой главы.

 

 

 

 

Дл

я

того чтобы охватитьвс

е

возможные переходы между пре-

 

дельно

ионной

предельно

ковалентной

связями,Л

.

Полинг

ввел в 1933 г. понятие степени

ионности химической связи, кото-

 

рая

может изменяться от

1 или

100% для первого случая до 0 —

 

лд я

второгоО. н

заметил,ч о

энергия

диссоциации

 

связи

А—В

 

 

большеп( о абсолютной величине), м полусумма энергий диссо-

 

циации

ковалеитных связей

А—иА

В—нВ

а

некоторую

вели-

 

чину А:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Д =

АВ —— ~( AA + DBB),

 

(13)

 

которую

можно

связать

с

разностью

электроотрицательностей

 

(ЭО)

ХА

и хв следующим

простым

уравнением (если

Д выразить

в

эВ):

 

 

 

 

0,208УА = ХА-Хв.

 

(14)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Он

о

позволяет приписать отдельным элементам эмпирические зна-

 

ченияЭО

,

которые,п о

Полипгу, характеризуют способность атома

 

в

молекуле

(кристалле)

притягиватьк

себе электроныН.

а

основе

-

уравнения

(14)

Полинг построил термохимическую шкалуЭО

вы,

брав произвольную точку отсчета таким образом, чтобыЭ О эле-

 

ментов второго периода от С до F

были в диапазоне от 2,5 до

 

4,0.

Полная эмпирическая система ЭО с учетом более поздних дан-

Эо

ных приводится

табл9.В.пе

й

принятов о

внимание,чт

висит от валентности: например, дляМп ЭО изменяется от 1,4 до

2,5 при изменении его формальной валентности от II до VII. 64

Отметим, что между ЭО Полинга хп и орбитальной ЭО Мал-

ликенах м существует приближенная пропорциональность

Например:

№ (Li) =а1 ,0,

Хм (Li) = (/ы+/7и)/2= (5,4+0,4) /2=2,9;

Xn(F)=4,0,а

 

Хм(Р) = (17,4+

3,5)/2-10,5и

Хм (F)/Xn(F) =2,6ит

д. .

Используя

 

далее

корреляцию

между

дипольными

моментами

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Т абилц а9

Сводная таблица

 

электроотрицательностей

элементов

(по шкале

Л. Полинга)

 

Элемент

 

ЭО

Элемент

ЭО

Элемент

 

ЭО

Элемент

ЭО

н

 

 

2,2

Cr

VI

2,4

Те

V

 

1,9

Os

III

2,0

Li

 

 

1,0

Mn

II

1,4

Тс

VII

 

2,3

Os

IV

2,1

Be

 

 

1,6

Mn

III

1,5

Ru

III

 

2,0

Os

VIII

2,4

В

 

 

2,0

Mn IV I2,1

RuV2,1

Ir

II

2,1

С

 

 

2,6

Mn

VII

2,5

Rh

 

 

2,1

-

Pt

2,1

N

 

 

3,0

Fe

II

1,8

Pd

 

 

2,1

Pt

IV

2,2

О

 

 

3,1

Fe

III

1,9

Ag

 

 

1,9

Pt

VI

2,6

F

 

 

4,0

Co

II

1,8

Cd

 

 

1,7

Au

 

2,3

Na

 

 

0,9

Ni

II

1,8

In

II

 

1,8

Hg

I

2,0

Mg

 

 

1,2

Cu

I

1,8

Sn

 

1,8

Tl

1,4

Al

 

 

1,6

Cu

II

2,0

Sn

IV

 

2,0

Tl

III

1,9

Si

 

 

1,9

Zn

 

1,6

Sb

HI

 

1,9

Pb

II

1,8

P

 

 

2,2

Ga

 

1,7

Sb

V

 

2,2

Pb

IV

2,1

S

 

 

2,6

Ge

 

2,0

Те

 

 

2,3

Bi

III

2,0

Cl

 

 

3,2

As

 

2,1

I

 

 

2,6

Bi

V

2,2

К

 

 

0,8

Se

 

2,5

Cs

 

 

0,7

Po

 

2,2

Ca

 

 

1,1

Br

 

3,0

Ba

\ La

0,9

At

 

2,3

Sc

 

II

 

,3

Rb

 

0,8

TD

1,1

Fr

 

0,7

Ti

 

 

,4

Sr

 

1,0

1K

Lu

1,2

Ra

 

0,9

Ti

 

III

 

,6

Y

II

1,2

Hf

 

 

1,4

Ac

IV

1,1

V

 

III

 

,5

Zr

1,3

Та

IV

 

1,5

U

1,4

V

 

IV

 

,7

Zr

IV

1,5

W

 

1,6

U

VI

91

V

 

V

 

,9

Nb

IV

1,6

W

VI

 

2,2

 

 

 

 

Cr

 

II

1,5

Mo

1,7

Re

V

 

1,9

 

 

 

 

€r VIII1,6

Mo

 

2,3IRe

VII

2,1

 

 

 

 

некоторых

молекул типаА Ви

разностьюЭ

О

,(Д)С=

ХА—Хв), По-

линг

предложил

следующее

уравнение для

оценки

степени

ион-

ности связи:

 

е(АВ) :е(АВ) = 1- =1-ехр(-Дх2/4).

 

(15)

 

 

 

 

 

 

Здесь

 

—

степень ковалентности (гомеополярности). Уравнение

(15)

можно применить и для существенно

ковалентных кристал-

лов, которые подчиняются правилу Юм-Розери: первое координа-

ционное

(КЧ)

число

совпадает

формальной

валентностьюНа.

-

пример, в BN со структурой типа графита КЧ=3, как и валентно-

стВи и N

в

 

этом

кристалле. Тогда

e(BN)= l

—exp [— (3,0

—2,0)2/4] = 1—ехр (—0,25) =0,22.

Другими

словами, связьB

N

имеет22

%

ионного

характера.

кристаллахК

Ч

обычно

больше фор-

Однаков

 

 

более

ионных

65

мальной валентностиДл. я подобных случаев Полинг предложил следующую схему оценки ионности е'. В кристалле АВ с координационным числом v и валентностями атомов г ковалентность каждой связи в z/v раз меньше, чем найденная по уравнению (15).

Тогда получаем

 

 

 

 

 

 

e'=l-z/vexp(-Ax2/4).

 

(16)

 

Например, для кристалла LiF z=l, v=6.

Выбрав ЭО

Li и F

из

табл.9, находим

е (LiF) =0,90,

е' (LiF) =0,98. Значение

е

считает-

ся

подходящей

оценкой

степени

ионности

связи

для

молекулы

LiF,a

—e'дл

я

кристалла. Таким

образом,

существенно

ионные

соединенияв

кристаллическом

состоянии

проявляют

большую-

ионность,че

мв

газообразном

(молекулярном).

кристаллах осно-

ванн

Другой

подходк

оценке

степени

ионностив

а

использовании

концепции

орбитальныхЭ

О

(смгл. . II,,

разд. 6) и принципе минимума

энергии

взаимодействия. Перенос

зарядаео А т к В

 

требует затраты

энергии

/

^Д

л

\

 

осво-

 

( ———

Iи 8А

 

 

 

 

 

 

/ d&EB

\

 

Равновесие достигается, когда

пе-

бождает энергию 1~——

1 8в.

ренос зарядан

е

влечет изменения энергии,т .

е,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

вв=0.

 

(17)

Поскольку должно выполняться условие электронейтральности

мо-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

•

 

dA

A

_

dA B

лекулы (иликристалла), т. е. ед = —ев, получаем

——— ~~;——

и

по

определению

(2)

Хл(е) =хв(е). Это

 

 

дед,

 

 

оев

равенство

 

выражает

принцип выравнивания ЭО (Сандерсон, 1960; Хинце и Джаффе,

1962), согласно которомуЭ

О

 

всех атомовв

соединении (кристал-

ле) должны выравниваться. Подставляя (З),1

нетрудно найти рав-

новесное значение степени ионности связи

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

«= (ХА—ХВ)/(/А—FA+/B—FB).

 

 

 

 

 

 

Это уравнение дает слишком низкие значения степени

ионности

по

сравнению с эмпирическим уравнением Полинга (15), потому

чт ов

рассмотренной выше схеме

игнорируютсявс

 

е

виды измене-

ния энергиив

процессе образования связи, кроме энергии перено-

са заряда от катиона к аниону. Учитывая приближенно межатом-

ные взаимодействия в полуэмпирическом методе МО ЛКАО (Уру-

сов,

1966)получим другое выражение принципа выравниванияЭО

:

 

 

 

 

 

 

 

В)/(/А—FA+ /B—FB=)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FE)/(IA-F+A IB-FB),

 

(18)

которое отличается т

(18) множителем2Он.

о дает весьма

близ-

 

кое совпадение с оценками е по уравнению Полинга. Например,

по

 

(15)

е(НС1)=0,22,п

о

 

(18)

е=(НС1) =0,18,п

о

 

(15)

1 В этом случае степень ионности связи е численно совпадает со степенью ионизации атома L

66

s(LiF)=0,90, no (18)

e(LiF)=0,83Дл. я

переходак

кристалличе-

на-

ским степеням ионности г пригодно

соотношение типа (16),

пример e'(LiF)=0,97(п

о Полингу e'(LiF)=0,98).

 

 

Ещ

е

один способ оценки степени ионности кристаллов принад-

лежитДж .

Филлипсу

(1970)О . н

провел

квантовомеханический

 

анализ электронной структуры диэлектриков и нашел, что ширина

запрещенной зоны Е8

может

быть выраженас

помощью двухсо

-

ставляющихиЕНС

 

: Е82=Ен2 +Сгд2,

Eе —h

ширина

энерге

ской щели для изоэлектронного ковалентного

кристалла (напри-

мер Ge, если рассматривается кристалл ZnS'e), С — ионный вклад

за

счет

переноса

заряда

(С=0 для ковалентного

кристалла).

На схеме внизу показан пример оценки Eh и С для ZnSe:

Ge

C=0Eg=Eh= 4,3 эВ

ZnSe

Ett=l ,0 эВ

El=5',6 эВ

СэВ

\

По определению Филлипса, степени ионности или ковалентности получаютсяи з соотношений:

 

 

 

* =C*IEt,l = Eh*IEf.

 

 

119)

В случае ZnSe находиме

= 5,62/7,02В=0,64.

 

табл1. 0н а некоторых

примерах проводится сопоставление оценок степенц ионности

кри-

 

 

 

 

 

 

 

 

Т а б л и1ц а

0

Сопоставление различных оценок степени ионности некоторых кристалловА В

 

Кристалл

еп

4

еФ

8К

Кристалл

en

By

еФ

ек

BN

0,42

0,27

0,256

0,35

CuCl

0,82

0,87

0,746

0,85

ВеО

0,81

0,63

0,602

0,64

SrO

0,93

0,84

0,926

—

ЫР

0,98

0,97

0,915

—

GaAs

0,26

0,37

0,310

0,37

MgO

0,88

0,79

0,841

—

ZnSe

0,57

0,57

0,676

0,64

А1Р

0,25

0,39

0,307

0,37

CdS

0,59

0,61

0,685

0,63

NaCl

0,94

0,95

0,935

—

AgCl

0,82

0,89

0,856

—

KF

0,99

0,98

0,955

—

InSb

0,25

0,37

0,321

0,37

ZnS

0,59

0,58

0,623

0,61

Rbl

0,92

0,96

0,951

—

сталлов по уравнению Полинга (16) е'п, уравнению (18)е'у и уравнению Филлипса (19) 8ф. Даны также результаты расчета Ч. Коулсона (1962)п о методу валентных связей ек-

Совершенно независимые друг от друга способы определения степеней ионности связи в кристаллах дают похожие результаты.

Эт о

указываетн а объективный характер

поисков меры

отклоне-

нияо т

предельно ионного типа связи.

 

 

 

Можно без труда качественно определить изменение (рост или

уменьшение) степени ионности связи

рядах соединений

одним

общим атомом, напримерв

рядуM прX

и

замене толькоМ

(или

только X). Тогда, очевидно, степень ионности будет тем меньше,

3*

чем больше ЭО (М) или чем выше потенциал ионизации / (М).

В табл. 11 на примере йодидов ряда металлов показано, что раз-

ность А между экспериментальными U3 и теоретическими

LJT

зна-

-

чениями энергий решеток увеличивается

ростом2

/

Эт(М).

оз

начает, что ионная модель тем менее пригодна для оценки U, чем

 

больше ковалентность связи.

 

 

 

 

 

невозможным,

 

Экспериментальное определение U становится

 

когда аниону

приписывается

заряд—2 — , 3 и т п .Ка . к

было

 

 

 

 

отмеченовгл II . н , и

один атомн

е имеет

сродствак

о

второмуи

кис-

 

тем

более третьему электронам. Поэтому

значения сродства

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Т а б л и1ц а

1

 

Сравнение теоретических и экспериментальных энергий решеток некоторых

 

 

йодидов, ккал/моль

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Кристалл

KM)

 

"э

 

"т

л

Кристалл

KM)

иэ

 

Ur

 

д

 

Csl

89,8

 

143

 

143

0

Agl

 

174,7

214

 

190

 

24

 

Rbl

96,3

 

149

 

148

1

СиI

 

178,1

229

 

199

 

30

 

KI

100.0

 

156

 

152

4

MgI2

522,8

547

 

519

 

28

 

Nal

118,5

 

167

 

164

3

CdI

2

595,6

583

 

514

 

79

 

Til

140,8

 

168

 

159

9

 

 

 

 

 

 

 

 

 

лорода, серы, селенак

двум, азотак

трем электронам обычно рас-

 

считываютка к

неизвестные цикле

Борна—

Габера

(11),гд

е

 

 

значения U подставляются из теоретических уравнений (10). Эти

 

значения сродства оказываются большими отрицательными , сле-

 

довательно, фиктивными величинами:дл

я

О2~ —210,дл

я

S2~ —104,

 

дл я

Se2~

—137,дл

я

N3~ —510 ккали т п. .

галогенидов

и гидридов,

 

Поэтому

для всех

кристаллов,

кроме

 

экспериментально можно определить только энергию атомизации

Е, которая выделяется при образовании кристалла из газа ато-

мов, соответствиис термохимическим циклом:

(20)

Если сопоставить его с циклом Борна — Габера (11), то нетрудно найти соотношение между Е и U:

и—Е = —1

Можно видеть,чт о разность между энергией решеткии энер-

гией атомизации равна алгебраической сумме потенциалов иони-

зации и сродства к электрону всех атомов в кристалле. Как было показано выше, чем больше |S/| в некотором закономерном ряду соединений,те м более ковалентна связь. Действительно,пр неи -

измененном анионном составе U—Е==—2/+ const.

В отличиео т энергии решетки энергия атомизации может быть найдена из опыта по уравнению (20)для любого типа кристаллов.

Однако проблема теоретического

расчета

энергии

атомизации

сталкивается рядом трудностей.

Сейчас

ясно,чт он

а должна

68

состоятьи з нескольких основных вкладов:

 

= „+ к+Д + в,

 

(21)

 

гд е — и

эффективная ионная

энергия,—Ек

ковалентная

энер-

гия, — А

энергия переноса

заряда. Всегда

присутствует такжеи

-

относительно небольшая

ван-дер-ваальсова

энергия

в

(смни.

же). Иногда необходимо учитывать и

ион-дипольные взаимодей-

ствия, например энергию

анионной

поляризации для

слоистых

структур и т. п.

 

 

можно

оценить,

уменьшая

Эффективную ионную энергию Еи

энергию решетки U пропорционально

квадрату степени ионности

е2 : Еи =г2и. Энергию переноса

зарядао Д

т

катиона

 

аниону

найдем,

суммируя изменение энергии

катионов

анионовв

про-

цессе частичной ионизации

(см. гл. II, разд. 6).

 

ковалентной

Наибольшие трудности

связаныс

вычислением

энергии, поскольку этот эффект связан с плотностью перекрывания электронных облаков атомов и имеет принципиально квантовоме-

ханический характер. Приближенная

оценка

возможна по полу-

эмпирическому соотношению Ек

= — (1—е2)1/2Д где D — энергия

диссоциации ковалентной

связи,

которую,в

свою очередь,

можно

найти

по

постулату

о

среднеарифметическом

(13):

А^в^ — ФАА + ^ВВ)-

Уравнение

(12)позволяет

учесть

изме-

нение прЯк

и изменении R.

уравнения

(21) зависят от

степени ион-

 

Итак, все

слагаемые

ностиеи о

т межатомного расстоянияR

.

Поэтому энергию атоми-

зации Е можно минимизировать в отношении обоих параметров,

решая систему из двух уравнений:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(д /де)я0=0;

(dE/dR)

o

= 0

 

 

 

и

затем

найти

0,

отвечающую

равновесным

значениямео

,

RQ.

В

табл. 12 приведены некоторые

результаты

подобных расчетов.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Т а б л и ц а

12

Степени ионностии

энергии атомизации (ккал/моль)

некоторых

 

 

 

галоидных

кристаллов

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Кристалл

e

Er

ЕЭ

A

Кристалл

 

8

т

Еэ

A

 

LiF

0,986

199,2

201,5

2,3

MgF2

0,98

344,5

343,1

—

1,4

 

Lil

0,971

120,9

128,3

7,4

MgCl2

0,93

243,5

248,2

 

4,7

 

NaCl

0,966

150,4

151,9

1,5

MgI2

0,82

155,6

169,9

 

14,3

 

NaBr

0,971

134,7

138,5

0,8

 

2

 

0,93

218,1

232,7

 

14,6

 

CdF

 

301,4

298,2

-3,2

 

KF

0,972

173,0

174,5

1,5

SrCl2

0,96

 

KC1

0,969

153,2

154,5

1,3

PbCl2

0,75

196,9

191,2

—

5,7

 

 

 

 

 

 

Cdl2

 

0,57

104,7

127,5

 

22,8

Для галогенидов двухвалентных

металлов, образующих слоистые

структуры (MgCl2

, MgI2,

CdI2),

учтен также

вклад

анионнойпо

-

ляризации в расчетах ЕИ

и U (см. табл.

11). Сравнение рассчитан*

69

ныхи т

экспериментальных Еэ

значений

показывает,

 

общем,

хорошее согласие. Оно ухудшается для существенно ковалентных

кристаллов (MgI2,

Cdb), вероятно,

из-за

неточности

значений

е,

однако

остается

много лучше,че

м

согласие между собой рас-

считанных

экспериментальных

значений

энергии

решетки

(ср.с табл. 11).Так, Д(/=(/э—UT

для

CdI2

дбстигает 80 ккал, что

составляет

около15 %

 

энергии решеткии

почти60 %

энергии ато-

мизации.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5. МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ. ЗОННАЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ

 

 

 

 

 

СТРУКТУРА КРИСТАЛЛА

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Строение таких молекул, как Li2,

Na2 и другие, очень похоже

на строение молекулы Н2. Поэтому

можно заключить,чт

вопа

-

рах атомы типичных металлов связываются друг с другом кова-

лентными связямиИ. х

энергия подчиняется общейдл

я другихко -

 

валентных

молекул

зависимости т

межатомного

расстояния

(см.

рис.

21).

 

возникаетпр

и

конденсации молекули

обра-

 

Иное положение

зовании кристалла. Результатом должно быть появление огром-

ного числа нелокализованных, или многоцентровых,

орбиталей,

которые захватывают весь кристалл. Когда вступает о

взаимо-

действие число атомов порядка числа Авогадро, то оно описыва-

ется подобнымж е

числом орбиталей,

каждаяи

з

которых может

быть занятап о принципу Паулин е болеече м двумя электронами. Поэтому дискретные уровни, на которых располагаются электроны

в

изолированных атомах, при образовании кристалла расплывают-

сяв

полосу, энергетическую зону,ка к показано а рис22. . Внут-

Ш

Рис. 22. Схема взаимного расположения энергетических зон:

/ — металла, /// — полупроводника и диэлектрика; / — зона проводимо-

сти, 2 — запрещенная зона, 3 — валентная зона, 4 — внутренний уровень. // — уровни изолированного атома

ренние электроны атомов почти не взаимодействуют, их остовы мало перекрываются, и соответствующая зона слабо расщепляется. Поэтому внутренние электроны атомов остаются локализованными у своих ядер. Валентные электроны, наоборот, сильно вза-

имодействуют, соответствующие энергетические уровни занима-

ют широкую полосу—

валентную зонуНа . нед

й находится зона,

которая может быть

потенциально занята

электронамии образу-

ется из совокупности несвязывающих орбиталей, — зона проводи-

70

мости. Если между ними существует энергетическая щель, не за-

нятая электронами,он

а

называется запрещенной зоной;шиее

-

рина обозначается Е8

(или

Д ).

зоной проводимости, когда

Валентная зона

е

перекрывается

величина Eg

существенно больше тепловой энергии

(при

комнат-

ной температуре

—0,1 эВ). Этому

случаю

отвечает

образование

диэлектриков

полупроводников. Типичные диэлектрики естька

к

среди ионных

кристаллов,

напримерLi

Fи

Сар2(

"^=12таэВ),

к

и среди ковалентных

кристаллов, например

алмаз

(

"# = 5,3 эВ).

Типичные полупроводники — кристаллы со структурами типа

алмаза-сфалерита: Ge

(0,75), Si (1,12), AlSb

(1,60), CdS

(2,ЗэВ).

На границе между полупроводниками и диэлектриками находит-

ся карбид кремния СSi(

3 ВэВ).

рассмотренных случаях валент-

ная зона кристалла занята полностью. Например, в случае

ион-

ного диэлектрика

(LiF,

CaF2,

MgO, NaCl

и др.) валентная

зона

заполнена

электронами,

локализованнымин

а анионах,

пустая

зона проводимости

связана вакантными

орбиталями

катионов.

В алмазеи

полупроводникахс

подобнойем

у структуройва -

 

лентная зона полностью занята электронами, которые можно рассматривать как локализованные на двухэлектронных связях, об-

разованных направленными гибридными $р3-орбиталями атомов. Теперь становится понятным, почему все ковалентные твердые тела, подчиняющиеся правилу Юм-Розери КЧ=8—N, не могут быть проводниками. Действительно, если выполняетсяэт о правило, каждый атом получает возможность укомплектовать свой элект- ронный октетс помощью ковалентныхил и существенно ковалент- ных связей и валентная зона оказывается полностью занятой.

Валентная зона подобнымж е образом полностью занятав

кристалле серого олова а—Sn со структурой алмаза. Однако Eg составляет только 0,1 эВ, что почти равняется величине тепловой

энергии при

комнатной температуре.

Поэтому

большое число

электронови з

валентной зоны перескакивает

зону проводимости,

онгд е и коллективизируются всеми атомами кристаллаП. о этой

причине олово легко теряет устойчивостьв

структуре типа алмаза

и а—Sn при 18° С переходит в р—Sfa с тетрагональной структурой

и типичными металлическими свойствамиВ. этой модификацииоз - на проводимости перекрывается с валентной зоной, как показано

на рис. 22,

и электроны переходят без

энергии активации на

сво-

бодные состояния зоны проводимости.

которых валентнаязо

-

Однако

наиболее типичны металлы,в

на заполнена не нацело. Таковы щелочные и щелочноземельные металлы, у которых р-состояния валентной оболочки полностью или частично свободны. И в этом случае зона проводимости может перекрываться с валентной зоной, и тогда даже при самых

низких температурах электроны коллективизируются всем кристал-

ло ми

передвигаются о свободным квантовым состояниям зоны

проводимости при наложении электрического поля. Коллективизацию электронов в металлическом кристалле часто

представляют следующим образом: положительно заряженныеос -

71

товы атомов «плавают» в отрицательно заряженном «электронном газе», оставаясь, однако, в узлах кристаллической решетки.

Структура типичного металла не. обнаруживает поэтому призна-

ко

в

направленности

связии

либо

подчиняется

законам плотней-

 

ших

упаковок,

либо

приближаетсяк

ним. Действительно, 6з 0

типичных металлов

Периодической

системы4

0

кристаллизуются

в

плотнейшей

кубической

(рис.23

ила,б ) и

гексагональной

 

(рис23. д , е , ) структурахс

КЧ=12,аещ 1 е —5 в

объемноцентри-

рованной кубической с КЧ = 8+6, которая приближается к пер-

а, б —С и

 

23Рис.

. Типичные

структуры

металлов:

 

 

(ГЦК — гранецентрированная

кубическая

упаковка); , г — а—Fe

(ОЦК — объемноцентрированная

кубическая

упаковка); д,

е —M g

(ПГУ—

плотнейшая

гексагональная

упаковка),

, в, е — элементарные

ячейки

вымп о

компактности

упаковки

(68%п

о

сравнению

74%)

|(рис. 23г)в, .

Таким

образом,, доля

металловс

плотнейшими

плотными упаковками атомов в структуре превышает 90%.

Энергию взаимодействия атомов в типичном металле можно

рассмотреть условно

позиций ионной модели, если считать,чт о

электростатическое

притяжение остовов и электронов приводит

к возникновению сил притяжения. Чтобы провести численные оценки энергиисублимации такого металла, электроны проводимости нужно мысленно локализовать областях между остовами метал-

ла. Как известно (см. гл.У), в плотнейших упаковках из N атомов имеетсяN октаэдрических 2 N тетраэдрических пустот. Если

электроны статистически занимаютвс эте и промежутки между остовами атомов, то для одной трети электронов постоянная Ма-

делунга приближаетсяк 1,75,ка вк структуре типа NaCl,адл я двух третей — к 1,63, как в структуре типа ZnS, среднее значение

близко, таким образом, к 1,67.

72

Врассматриваемой «ионной» модели металла притяжение мож-

но оценить по уравнению и ~ ——-—, Где z _ заряд остова,

R — межатомное расстояние, R/2 (радиус атома) — наиболее «вероятное» расстояние остов — электрон. Силы притяжения должны при некотором R = Ro уравновешиваться силами отталкивания иного происхождения. Отталкивание между атомами можно считать обусловленным кинетическим движением электронного газа

(Френкель, 1928). Тогда силы отталкивания металле сводятся

к давлению электронного газа, зависящему от его плотности, но не от температуры. При предположении о чисто кинетической при-

роде сил отталкивания в металлах энергия решетки металла пред-

ставляется виде

1 т _ _

2Л2

В

~~

я~~

"я*"'

и поскольку в состоянии равновесия кинетическая энергия состав-

ляет половину потенциальной (теорема вириала), то получим окончательно

Дл я

щелочных

металловА

=

1,67, z=l,и

если

RQ выражается

 

 

т А,

о

U0 = —555//?0

(ккал/моль),

учитывая,чт

о

We2/A =

= 332ккал/моль.

 

 

 

теплота

 

сублимации

металла

В

 

табл1. 3

рассчитанная

 

(ST=

/o—/)

сравнивается

 

экспериментом. Вычитанием/и

з

UQ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Т а б л и 1ц а

3

 

 

 

Экспериментальные

рассчитанныеп о

ионной

модели энергии

 

 

 

 

 

сублимации

щелочных металлов (ккал/моль)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Металл

 

о

 

5э

"о

 

/

*т

 

 

 

 

 

 

*о- А

 

 

 

 

 

 

 

Li

 

 

3,03

 

48

183

 

124

59

 

 

 

 

Na

 

 

3,71

 

26

150

 

118

32

'

 

 

 

 

К

 

 

4,62

 

21,5

120

 

100

20

 

 

 

 

Rb

 

 

4,87

 

20

114

 

96

18

 

 

 

 

Cs

 

 

5,27

 

19

105

 

90

15

 

 

учитываетсято

 

т факт,чт

ов

газовой

фазе

присутствуютн

е

ионы

и электроны,а

атомы.

 

 

 

 

 

 

отталкивания

дает

Можно видеть, что кинетическая модель

правильные

о

порядку

значения

энергии

сцепления,

о

ошибки

имеют разные знаки для

легких

(Li,Na)

и

тяжелых (Rb,

Cs)

щелочных металлов. Совпадение

будет

лучше, если

учесть,чт

о

 

дл я

движения

электронов

существует некоторый запрещенный

объем, занятый остовами атомов (Раис, 1933). Почти стольж е хорошо ионная модель притяжения и кинетическая модель оттал-

кивания работают и для щелочноземельных металлов (Mg, Ca,

Sr , Ba),нодл я других металлов, напримердл я семействаFилe и подгруппы Си, результаты неудовлетворительны.

73