- •Методические указания
- •1.Теоретическое введение к лабораторным работам по полупроводникам
- •1.1. Образование энергетических зон
- •1.2. Заполнение энергетических зон электронами и электрические свойства твердых тел
- •1.3. Собственные полупроводники
- •1.4. Примесные полупроводники
- •2. Определение энергии активации примеси в полупроводнике
- •2.1 Теоретическое введение
- •3. Исследование вольт - амперной характеристики термосопротивления
- •3.1 Теоретическое введение
- •3.2 Описание установки
- •2.2 Описание установки
- •3.3 Порядок выполнение работы
- •3.4 Теоретический минимум
- •4. Изучение фотопроводимости в полупроводниках
- •4.1 Теоретическое введение
- •4.2 Описание установки
- •4.3 Порядок выполнение работы
- •4.4 Теоретический минимум
- •5. Изучение выпрямляющих свойств полупроводниковых диодов
- •5.1. Теоретическое введение
- •Равновесное состояние p-n-перехода.
- •5.2 Описание установки
- •5.3 Порядок выполнения работы
- •5.4 Теоретический минимум
- •6. Определение закона затухания кристаллофосфора
- •6.1. Теоретическое введение
- •6.2 Описание установки
- •6.3 Порядок выполнения работы
- •6.4 Теоретический минимум
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
2.2 Описание установки
Для исследования температурных свойств терморезисторов используется установка, схема которой показана на рис. 4. Установка состоит из термостата 1, нихромового нагревателя 2, термопары 3, моста постоянного тока 4, регулятора нагрева 5, указателя температуры (милливольтметра) 6.
Рис. 4
1. Включить установку. Измерить сопротивление ТС при комнатной температуре (тумблер «нагрев» выключен!).
2. Нажав кнопку включения моста УМВ, вращать его реостат до получения нуля на индикаторе тока, отсчет читать на шкале реостата против стрелки. Rx=множитель отсчет .
3. Включить тумблер «нагрев» и через каждые 10 K измерить сопротивление ТС (измерения проводить до 110-125°С). Чтобы температура в печи росла не слишком быстро, использовать регулятор скорости нагрева.
4. Результаты измерений занести в таблицу
№ п/п |
T, C |
T, K |
1/T, K–1 |
RТ, Ом |
ln RТ |
Eпр, эВ |
1 ... 10 |
|
|
|
|
|
|
5. Построить график зависимости ln RT = f(1/T).
6. Рассчитать энергию активации примеси по формуле Eпр = 2k tg в джоулях и электрон-вольтах.
3. Исследование вольт - амперной характеристики термосопротивления
Лабораторная работа 3.08
Цель работы: снятие вольт - амперной характеристики термосопротивления (ТС).
Принадлежности: установка для исследования полупроводниковых терморезисторов.
3.1 Теоретическое введение
Вольт - амперная характеристика (ВАХ) термосопротивления (ТС) представляет зависимость напряжения от силы проходящего тока в условиях теплового равновесия между ТС и внешней средой. Вследствие наличия у ТС определенной тепловой инерции ВАХ снимаются только после установления теплового равновесия. Вид характеристики определяется конструкцией, габаритами ТС, величиной его электрического сопротивления, температурным коэффициентом сопротивления (ТКС), состоянием окружающей среды и т. д. На рис. 1 изображены ВАХ ТС для окружающей среды – спокойный воздух при комнатной температуре и характерная зависимость электросопротивления ТС от проходящего через него тока. На начальном участке ВАХ линейна. При возрастании силы тока крутизна ВАХ уменьшается. При некотором значении силы тока Im напряжение достигает максимального значения Um. При дальнейшем возрастании силы тока напряжение начинает
Рис. 1.
3.2 Описание установки
Рис. 2.
