Үш өлшемді сипаттамасы бар түрде 3d құрылымы тек қана көп разрядты ұйымдастырылған есқ қолданылады.Бұл жағдайда бірнеше матрицаға байланысты параллель қосылған екі дешифратормен басқарылады

Структура 3D может применяться и в ЗУ с многоразрядной организацией, принимая при этом «трёхмерный» характер. В этом случае несколько матриц управляются от двух дешифраторов, относительно которых матрицы включены параллельно.

2Dм құрлымы(67 сурет)

Толық бір жолды іріктейтін дешифратордан тұрады. 2D құрылымынан айырмашылығы,жолдың ұзындығы сақталатын сөздердің разрядынан бірнеше есе асып кетеді.Бұл жағдайда жолдар саны азаяды, соған байланысты дешифраторлардың шығыстар саны азаяды.Жады матрицасының жолдарын іріктеу адрестердің A_n-1…A_k. үлкен разрядтарының көмегімен іске асырылады.Басқа k разрядтары жолдағы көп сөздерден разрядты сөз таңдап алуға қолданылады.

состоит из дешифратора, который выбирает целую строку. Однако, в отличие от структуры 2D, длина строки многократно превышает разрядность хранимых слов. При этом число строк уменьшается и, следовательно, уменьшается число выводов дешифратора.

Выбор строк матрицы памяти производится с помощью старших разрядов адреса A_n-1…A_k. Остальные k разрядов используются для выбора необходимого m-разрядного слова из множества слов, содержащихся в строке.

66 сурет 2DM типті ЕСҚ құрылымы. ROM үшін

Бұл адрестік кірісіне A_k-1…A₀ кодтары берілетін мультиплексордың көмегімен іске асырылады.Жолдың ұзындығы m·2^k,мұндағы m-сөздің разрядтығы. 2^k ұзындығы бар жолдың кесіндісінен ,мультиплексор бір бит таңдайды.мультиплексордың m шығысында шығыс m-разрядты сөз қалыптасады. CS сигналының рұқсатымен, үш күйі бар басқарылатын буфердің OE кірісіне түскен , шығатын сөз сыртқы шинаға беріледі.

Это выполняется с помощью мультиплексоров, на адресные входы которых подаются коды A_k-1…A₀. Длина строки равна m·2^k, где m — разрядность слов.

Из каждого отрезка строки, длиной 2^k, мультиплексор выбирает один бит. На выходах m мультиплексоров формируется выходное m-разрядное слово. По разрешению сигнала CS, поступающего на входы OE управляемых буферов с тремя выходными состояниями, выходное слово передаётся на внешнюю шину.

14.3Оперативті еске сақтайтын құрылғы

14.3.1 3Оперативті еске сақтайтын құрылғы типтері

Ақпаратты сақтау тәсіліне байланысты оперативті еске сақтау құрылғылары (ОЕСҚ)статикалық және динамикалық болып екіге бөлінеді. Статикалық ОЕСҚ (Static RAM — SRAM)өзінің күйін сұлба токқа қосылып тұрғанша, немесе жаңа жазу болмағанда сақтайтын жады элементтері тригерлер болады.

В зависимости от способа хранения информации оперативные запоминающие устройства (ОЗУ) подразделяются на статические и динамические. В статических ОЗУ (Static RAM — SRAM) запоминающими элементами являются триггеры, сохраняющие своё состояние, пока схема находится под питанием и нет новой записи данных.

МОП-құрлымы элементерімен құрастырылған, динамикалық ОЕСҚ (Dynamic RAM — DRAM) берілгендерді конденсатордың заряды түрде сақтайды. Конденсатордың разрядтануы берілгендерді жойып жібереді,сондықтан олар (әр бірнеше милисекундта) периодты түрде регенерация жасау керек.Бірақ жадыдағы динамикалық элементтердің буу тығыздығы статикалық RAM тығыздықтан бірнеше есе асады.

В динамических ОЗУ (Dynamic RAM — DRAM) данные хранятся в виде зарядов конденсаторов, образуемых элементами МОП-структур. Саморазряд конденсаторов ведёт к разрушению данных, поэтому они должны периодически (каждые несколько миллисекунд) регенерироваться. В то же время плотность упаковки динамических элементов памяти в несколько раз превышает плотность упаковки достижимую в статических RAM.

Статикалық ОЕСҚ берілгендерді регенерация жасау арнаиы контролердің көмегімен іске асырылады.Динамикалық еске сақтайтын элементтері бар еске сақтайтын құрылғылар істелген.

Басқару сигналына бағынуы статикалық ЕСҚ секілді, ішінде регенерация жасайтын жүйесі бар құрылғыны квази статикалық ЕСҚ. Негізінен динамикалық ЕСҚ үлкен ақпараттық сиымдылығымен және арзандығымен сипатталады, сондықтан олар ЭЕМ негізгі жадысы есебінде қолданады.

Статикалық ОЕСҚ асинхронды және тактілейтін болып бөлінеді.

Асинхронды еске сақтау құрылғыларында басқару сигналдары импульстарымен сонымен қатар деңгейімен берілуі мүмкін.Мысалы жұмыс істеуге рұқсат беретін сигнал өзгерсіз және рұқсат беретін болып жадыға жүгіну көп циклдары бойы қалуы мүмкін.

В асинхронных ЗУ сигналы управления могут задаваться как импульсами, так и уровнями. Например, сигнал разрешения работы   может оставаться неизменным и разрешающим на протяжении многих циклов обращения к памяти.

Тактіленетін ЕСҚ кей бір сигналдар міндетті түрде импульсті болуы керек. Мысалы, жұмыс істеуге рұқсат ететін сигналы әр циклда міндетті түрде пассивтік күйден активтік күйге көшуі керек,яғни осы сигналдың фронты міндетті түрде пішінделуі керек. Асинхронды еске сақтау құрылғылары Тактіленетін есебінде қолдауы мүмкін. Статикалық ЕСҚ динамикалықтан 5есе қымбат, және сонша есе ақпараттық сиымдылығы аз. Олардың негізгі маңызды қасиеті тез әсерлігі. Қымбат статикалық ОЕСҚ ақпаратты өңдеу жүйесінде қолдануы олардың тез әсерлігі анықталады. Статикалық ОЕСҚ

типті қолдану аясы ЭЕМ КЭШ жадысының сұлбасы болып саналады.

Статикалық ОЕСҚ еске сақтау элементі болып қою және и түсіру тізбектері бар тригер атқарады.Тригерлерде кез келген сұлбатехнология бойынша іске асыруға болады,соларға сәйкес әр түрлі параметрлерімен ЕСҚ дайындауға болады.

Запоминающими элементами статических ОЗУ служат триггеры с цепями установки и сброса. Триггеры можно реализовать по любой схемотехнологии (ТТЛШ, И²Л, n-МОП, КМОП и др.), в соответствии с которой разработаны разнообразные схемы ЗУ с различными параметрами.