Транзистор irf540 (n–канальный mosfet)

Обозн.

(Symbol)

Параметр

(Parameter)

Условия

(Conditions)

Мин. (Min)

Макс. (Mаx)

Ед. изм. (Unit)

I_C

(I_D)

Постоянный ток стока

(Continuous drain current)

T_C = 25 °C

–

22

A

I_Cmax

(I_DM)

Импульсный ток стока

(Pulsed drain current)

–

–

88

A

U_ЗИ

(V_GS)

Напряжение затвор–исток (Gate-to-source voltage)

–

–

±20

B

(V)

U_CИmax

(V_DSS(BR))

Максимальное напряжение сток-исток

(Drain-to-source breakdown voltage)

U_ЗИ = 0 В;

I_C = 250 мкА

100

–

B

(V)

U_ЗИmax

(V_GS(th))

Максимальное напряжение затвор-исток

(Gate threshold voltage)

U_ЗИ = U_CИ;

I_C = 250 мкА

2

4

B

(V)

R_канала

(R_DS(ON))

Сопротивление канала в открытом состоянии

(Static drain-to-source on-resistance)

U_ЗИ = 10 В;

I_C = 11 А

–

0.077

Ом

()

P_к

(P_tot)

Рассеиваемая мощность (Total power dissipation)

T_C = 25 °C

–

85

Вт (W)

t_окр

(t_amb)

Температура окружающей среды

(Operating ambient temperature)

–

-55

175

°C

Параметр

(parameter)

Обозначение

(Symbol)

Условия измерений (Conditions)

Мин (Min)

Ном (Typ)

Макc (Max)

Ед.

изм.

(Unit)

Напряжение смещения нуля

(Offset voltage)

U_см

(V_OS)

–

–

3

10

мВ (mV)

Температурный дрейф напряжения смещения

(Offset voltage temperature coefficient)

dU_см/dt

(TCV_OS)

–

–

–

18

мкВ/ °C (µV/ °C)

Входное сопротивление

(Input resistance)

R_вх

(R_I)

–

–

10¹²

–

Ом ()

Рабочая полоса частот

(Unity-gain bandwidth)

B₁

–

–

3

–

МГц

(MHz)

Напряжение питания

(Voltage supply range)

U_п

(V_S)

–

–

±15

±18

В

(V)