- •C. П. Репецький теорія твердого тіла невпорядковані середовища
- •Передмова
- •§1. Адіабатичне наближення
- •§2. Метод Хартрі-Фока
- •§3. Локальне наближення для обмінного потенціала
- •§4. Просторова решітка кристалу
- •§5. Обернена решітка кристалу
- •§6. Теорема Блоха
- •§7. Область нееквівалентних значень хвильового вектора. Зона Бріллюена
- •§8. Граничні умови
- •§9. Ряди Фур’є
- •§10. Основи теорії зображень
- •§11. Теорема Ван’є
- •§12. Функції Ван’є
- •§13. Наближення майже вільних (слабо зв’язаних) електронів
- •§14. Наближення сильно зв’язаних електронів
- •§15. Локалізовані стани електрона в кристалі
- •§16. Наближення ефективної маси
- •§17. Локалізовані стани електрона в кристалі з домішками
- •§18. Рух електрона в кристалі, що знаходиться в зовнішньому полі
- •§19. Густина електронних станів
- •§20. Електронна теплоємність
- •§21. Рівняння руху кристалічної решітки
- •§22. Коливання ідеальної кристалічної решітки
- •§23. Властивості розв’язків рівняння руху кристалічної решітки
- •§24. Коливання атомів одновимірної решітки
- •§25. Нормальні координати кристалічної решітки
- •§26. Квантово-механічна теорія коливань кристалічної решітки. Фонони
- •§27. Взаємодія електронів з коливаннями кристалічної решітки
- •§28. Локалізовані коливання
- •§29. Теплоємність кристалічної решітки
§3. Локальне наближення для обмінного потенціала
Запишемо ефективний потенціал обмінної взаємодії у вигляді (див.(2.14))
, (3.1)
де введена обмінна зарядова густина
. (3.2)
Обмінний потенціал для газу вільних електронів.
Використаємо в якості одноелектронних хвильових функцій функції вільного електрона
, (3.3)
де Ω –
об’єм системи. Електронні стани
характеризуються квантовими числами
(
,
де
– імпульс Фермі). При нульовій температурі
Т = 0 К
число електронів дорівнює
. (3.4)
Множник 2 у правій частині рівності (3.4) враховує число значень проекції спіна на вісь z. Замінюючи у виразі (3.4) суму по інтегралом згідно формули (буде встановлена в подальшому)
, (3.5)
прийдемо до виразу для електронної густини
. (3.6)
Звідси
, (3.7)
де
– густина електронів з однаковими
проекціями спіна.
Вирахуємо
обмінний потенціал
(3.1), вважаючи, що електрон знаходиться
в початку координат
.
Підставляючи (3.3) в (3.1) і інтегруючи,
одержимо
. (3.8)
Використовуючи (3.5), надамо виразу (3.8) вигляд
, (3.9)
де
,
(3.10)
Ефективний обмінний потенціал, усереднений за всіма станами, дорівнює
, (3.11)
Підставляючи (3.7) в (3.11), в результаті одержимо
. (3.12)
Обмінний потенціал Слетера.
Слетер запропонував використовувати потенціал (3.12) для опису обмінної взаємодії не тільки вільних електронів, але і для електронів в системах з неоднорідним розподілом електронної густини:
. (3.13)
Якщо
розрахунки проводяться без врахування
спінової поляризації електронних станів
за умови
,
то обмінний потенціал Слетера записується
у вигляді
. (3.14)
де
(3.15)
є повна електронна густина.
Обмінний потенціал Гаспара – Кона – Шема.
Локальний
обмінний потенціал вираховувався і
методом, що ґрунтується на методі
функціонала електронної густини, суть
якого полягає в наступному. Повна енергія
Е
електронної системи є деяким потенціалом
електронної густини
(3.15). Виділяючи у повній енергії системи
Е
вклади кінетичного, кулонівського і
обмінного членів, одержимо (див.(2.8))
, (3.16)
Враховуючи
(2.9), (2.8), (2.2), замінимо варіаційну похідну
функціонала кінетичної енергії
(3.16) оператором кінетичної енергії:
.
З принципу
мінімума повної енергії системи
як функціонала електронної густини
одержимо варіаційне рівняння для
одноелектронної хвильової функції
. (3.17)
в якому
. (3.18)
Для газу електронів, густина якого змінюється повільно, можна застосувати наближення
, (3.19)
де
– обмінна енергія, що припадає на один
електрон в однорідному електронному
газі. Підставляючи (3.19) в (3.18), одержимо
. (3.20)
Гаспар, Кон і Шем замінили у (3.19) його статистичним наближенням (3.14) і в результаті одержали
. (3.21)
Врахування електронних кореляцій.
У методі
Хартрі – Фока враховуються кореляції
у русі електронів з однаковими проекціями
спінів, що зумовлює появу обмінного
члена. Однак між електронами існує
кулонівська взаємодія (відштовхування
одноіменних зарядів), внаслідок якої
положення одного електрона залежить
від положення інших. У наближенні Хартрі
– Фока кожний електрон рухається
незалежно від інших в деякому ефективному
полі, дія якого на електрон еквівалентна
усередненій дії на нього всіх інших
електронів. Це випливає з того, що
хвильова функція системи електронів
записується у вигляді хвильової функції
(2.3) системи невзаємодіючих частинок. У
дійсності хвильова функція повинна
відображати зменшення ймовірності
знаходження електронів у тісному
сусідстві, що веде до утворення так
званої кореляційної дірки. Зокрема,
завдяки нехтуванню електронними
кореляціями в обмінному потенціалі
(3.9) для газу вільних електронів виникає
логарифмічна особливість на рівні
Фермі. Оскільки при переході до
статистичного наближення (3.12) ця
особливість зникає, то кажуть, що воно
“частково враховує кореляцію”.
У зв’язку з цим одержане локальне
наближення для обмінного потенціалу
вірніше називати обмінно-кореляційним
потенціалом. Однак коректно врахувати
кореляційні ефекти можна лише у рамках
багато електронної теорії (див. розділ
4). Врахування кореляційних ефектів
приводить до появи у правих частинах
виразів (3.19), (3.21) поправок, що залежать
від електронної густини.
Гелл-Ман і Бракнер запропонували метод розрахунку поправки до енергії системи, що зумовлена електрон-електронною взаємодією, шляхом підсумовування членів у всіх порядках теорії збурень, які дають основний внесок у випадку високої густини електронного газу.
Згідно результату Гелл-Мана і Бракнера, вираз для обмінно-кореляційної енергії має вигляд [4,5]:
(3.22)
де
, (3.23)
– електронна густина, a0 – радіус Бора, rs – радіус сфери, рівновеликої за об’ємом об’єму, який приходиться на один електрон.
Вігнер, здійснивши інтерполяцію між граничними випадками високої і малої густини, одержав:
(3.24)
Перший доданок в квадратних дужках в (3.22) і (3.24) приводить до обмінного потенціалу Гаспара – Кона – Шема, решта описує поправки на електронні кореляції. У відповідності з цим обмінно-кореляційний потенціал представимо у вигляді суми потенціалів Гаспара – Кона – Шема і деякої добавки, що залежить від rS:
. (3.25)
Використовуючи (3.18), в результаті із (3.22) одержимо:
. (3.26)
Аналогічно з (3.18), (3.24), одержимо:
. (3.27)
Внесок електрон-електронної взаємодії в енергію системи можна визначити, зводячи його до екранування зовнішнього потенціалу електронним газом і розраховуючи діелектричну проникність кристалу. В наближенні самоузгодженого поля, відомому ще як наближення випадкових фаз, Хедін і Лундквіст отримали обмінно-кореляційний потенціал у вигляді (3.25), де
. (3.28)
Параметри cP і rP, що входять в цю формулу, мають значення cP=0,0504, rP=30.
Обмінно-кореляційний
потенціал (3.25) можна представити у
вигляді потенціалу Слетера з залежним
від rS
множником
:
(3.29)
При цьому
, (3.30)
В наближенні хаотичних фаз з врахуванням спінової поляризації локальний обмінно-кореляційний потенціал можна подати у вигляді [4]
. (3.31)
Перший доданок – обмінно-кореляційний потенціал Гаспара – Кона – Шема, записаний в спін-поляризованому вигляді
, (3.32)
виражається
формулою (3.28), а
, (3.33)
де
,
,
,
,
cF=0,0254,
rF=75,
cP=0,0504,
rP=30.
Вирази для обмінно-кореляційного потенціалу, що наведені вище, одержано в локальному наближенні, яке є справедливим, як вже зазначалось, для випадку однорідного розподілу електронної густини. Зазначене наближення відоме ще як наближення локальної густини.
Вихід за рамки наближення локальної густини.
Для
того, щоб врахувати неоднорідність в
розподілі електронної густини в методі
функціонала електронної густини,
потрібно виконати градієнтний розклад
(r),
тобто розкласти (r)
в ряд за степенями
при деякому середньому значенні
електронної густини .
Обмежуючись членами другого порядку,
для обмінно-кореляційного потенціалу
матимемо [4]
:
. (3.34)
–
наближення
для обмінного потенціалу.
Вибір
обмінного потенціала суттєво впливає
на результати розрахунку електронної
структури конкретних систем. Як свідчать
результати числових розрахунків, для
одних елементів і сполук слід застосовувати
потенціал
(3.13), а для інших – потенціал
(3.21). У цій ситуації має сенс ввести в
локальний обмінний потенціал параметр
,
який для різних атомів приймає різні
значення.
Потенціал
. (3.35)
називають
обмінним потенціалом у
–
наближенні. При = 1
він переходить у потенціал
(3.13), а при = 2/3
– у потенціал
(3.21). Значення параметра
підбирають шляхом мінімізації повної
енергії Е()
(2.8) як функції параметра ,
від якого у (2.8) залежать одноелектронні
хвильові функції
,
що знаходяться з рівняння Хартрі – Фока
(2.13) з обмінним потенціалом
(3.35).
У розрахунках часто наближено покладають, що залежність параметра (z) від порядкового номера елемента z періодичної системи є гладкою і користуються значеннями , що розраховані для легких, середніх та тяжких атомів. Так для атомів з порядковим номером z, що відповідає середині періодичної системи, 0,75.
Враховуючи (2.13), (2.14), (3.1), (3.35), (3.15), запишемо рівняння Хартрі – Фока у вигляді
, (3.36)
де
(3.37)
– потенціальна
енергія електрона в полі нерухомих
ядер,
(3.38)
– кулонівський потенціал електронного заряду,
. (3.39)
– обмінний потенціал,
, (3.40)
– густина електронів з проекцією спіна σ,
, (3.41)
– повна електронна густина.
