- •C. П. Репецький теорія твердого тіла невпорядковані середовища
- •Передмова
- •§1. Адіабатичне наближення
- •§2. Метод Хартрі-Фока
- •§3. Локальне наближення для обмінного потенціала
- •§4. Просторова решітка кристалу
- •§5. Обернена решітка кристалу
- •§6. Теорема Блоха
- •§7. Область нееквівалентних значень хвильового вектора. Зона Бріллюена
- •§8. Граничні умови
- •§9. Ряди Фур’є
- •§10. Основи теорії зображень
- •§11. Теорема Ван’є
- •§12. Функції Ван’є
- •§13. Наближення майже вільних (слабо зв’язаних) електронів
- •§14. Наближення сильно зв’язаних електронів
- •§15. Локалізовані стани електрона в кристалі
- •§16. Наближення ефективної маси
- •§17. Локалізовані стани електрона в кристалі з домішками
- •§18. Рух електрона в кристалі, що знаходиться в зовнішньому полі
- •§19. Густина електронних станів
- •§20. Електронна теплоємність
- •§21. Рівняння руху кристалічної решітки
- •§22. Коливання ідеальної кристалічної решітки
- •§23. Властивості розв’язків рівняння руху кристалічної решітки
- •§24. Коливання атомів одновимірної решітки
- •§25. Нормальні координати кристалічної решітки
- •§26. Квантово-механічна теорія коливань кристалічної решітки. Фонони
- •§27. Взаємодія електронів з коливаннями кристалічної решітки
- •§28. Локалізовані коливання
- •§29. Теплоємність кристалічної решітки
§6. Теорема Блоха
У рівнянні
Хартрі – Фока (3.23) для хвильової функції
електрона в кристалі потенціальну
енергію
називають кристалічним
потенціалом.
Запишемо рівняння (3.23) у вигляді
, (6.1)
де
. (6.2)
Для дослідження властивостей розв’язків рівняння (6.1) введемо оператор трансляції [3,6]
, (6.3)
де вектор
прямої решітки визначається виразом
(4.1). Згідно означення (6.3) результат дії
оператора трансляції
на деяку функцію
радіуса-вектора точки кристалу r
дорівнює значенню цієї функції в точці
r+l.
Подіємо оператором трансляції на ліву і праву частини рівняння (6.1). В результаті одержимо
. (6.4)
Із трансляційної симетрії нескінченно великого кристалу
, (6.5)
Враховуючи (6.2), (6.5), одержимо
. (6.6)
Підставляючи (6.6) у (6.4), маємо
. (6.7)
Із
рівняння (6.7) видно, що оператори
і
комутують. Порівнюючи (6.1), (6.7), бачимо,
що
і
є власними функціями оператора Гамільтона
.
Позначимо
енергію електрона в кристалі через εγ,
де γ
– набір квантових чисел, що включає і
спінове квантове число σ.
У загальному випадку значення енергії
εγ
є виродженим. Власними функціями
гамільтоніана
,
що відповідають власним значенням εγ,
є:
,
та їх лінійні комбінації; i=1,2,...,nγ;
nγ
– кратність виродження енергетичного
рівня εγ.
У зв’язку з цим можна записати
. (6.8)
Для
зручності ми опускаємо індекс γ
біля
.
Візьмемо замість функцій
у (6.1), (6.7) їх лінійні комбінації [5]
. (6.9)
В результаті одержимо
. (6.10)
де
матриця оператора
у новому базисі дорівнює матриці
оператора
у старому базисі, тобто:
. (6.11)
Виберемо
таке перетворення (6.9), щоб воно
діагоналізувало матрицю
.
Тоді
, (6.12)
а рівняння (6.10) набуває вигляду
, (6.13)
де
,
tli
– власні
функції і власні значення оператора
трансляції
.
Елементи
матриці перетворення Sji,
що діагоналізує матрицю
,
та діагональні матричні елементи tli
знаходяться із системи рівнянь
. (6.14)
Повернимось
до рівняння (6.13) для власних функцій
і власних значень tli
оператора трансляції
.
З умови нормування функцій
,
:
, (6.15)
та рівняння (6.13) випливає
. (6.16)
Згідно означення (6.3), оператор трансляції задовольняє умові:
,
. (6.17)
Із виразу
(6.17) видно, що оператори трансляції
,
комутують. У зв’язку з цим матриці
,
одним і тим же перетворенням (6.9), (6.14)
можна привести до діагонального вигляду,
при цьому
. (6.18)
Враховуючи (6.18), можна записати
. (6.19)
Умовам (6.16), (6.19) задовольняє
. (6.20)
Підставляючи (6.20) у (6.13), одержимо
, (6.21)
Опускаючи індекси γі біля вектора k γі, маємо
. (6.22)
Використовуючи (6.3), із (6.22) одержимо
. (6.23)
Рівняння (6.23), що встановлює властивості хвильової функції електрона у періодичному полі кристалу, носить назву теореми Блоха.
Підставляючи (6.22) у (6.7), одержимо, що власні функції оператора трансляції (6.22) є власними функціями гамільтоніана
, (6.24)
де і = 1,2,...,nγk; nγk – кратність виродження енергетичного рівня εγk.
