- •1. Системы физическиз единиц сгс и си
- •2. Магнитное поле (суть явления, основные характеристики и способы генерации)
- •3. Формы записи и физический смысл законов Лоренца и Ампера
- •4.Формы записи и физический смысл законов Био-Савара-Лапласса, Гаусса
- •5. Закон электромагнитной индукции
- •6. Уравнения Максвелла. Интегральная и дифференциальная форма записей; физический смысл; система материальных уравнений Максвелла
- •7. Движение заряженных частиц в магнитном поле
- •8. Атомный магнетизм с точки зрения моделей атомов Резерфорда и Бора
- •10. Природа атомного магнетизма
- •11. Диамагнетизм
- •9. Понятие «спина». Основные квантовые числа
- •12. Парамагнетизм (природа происхождения)
- •13. Законы Кюри и Кюри-Вейсса
- •14. Ферромагнетизм
- •15. Свойства ферромагнетиков
- •16. Петли гистерезиса( классификация, основные характеристики)
- •17. Свойства магнитных материалов, используемых в цепях переменного тока
- •18. Антиферромагнетизм
- •19. Ферримагнетизм
- •20. Спиновые стекла; сперромагнетизм; асперромагнетизм; гелимагнетизм; сперимагнетизм; миктомагнетизм
- •21. Магнитотвёрдые материалы
- •22. Магнитомягкие материалы
- •23. Магнитострикционные материалы
- •24. Магнитооптические материалы
- •25. Термомагнитные материалы. Эффект Риги-Ледюка
- •26. Магнитные материалы с ппг
- •27. Эффект Холла
- •28. Эффект Гаусса
- •29. Физический и геометрический эффекты магнитосопротивления
- •30. Магниторезисторы ( определение, основные характеристики и способы реализации)
- •31. Диск Корбино ( определение, основные характеристики)
- •32. Вольтова чувствительность магниторезисторов
- •33. Шумы магниторезисторов
- •34. Тонкие магнитные пленки; магнитные эффекты в тонких магнитных пленках
- •35. Гигантский магниторезистивный эффект
- •36. Спин-зависимое туннелирование
- •37. Анизотропный магниторезистивный эффект
- •38. Мостовые схемы включения первичных магниторезистивных измерительных преобразователей
- •39. Структура магниторезистивного датчика. Утилитарные устройства магниторезистивных преобразователей и их основные параметры
- •40. Методика управления магниторезистивным преобразователем на основе амр-эффекта
- •41. Магнитное экранирование витка с током при частоте равной нулю
- •42. Зависимость экранирования витка с током от частоты
- •43. Эффективность экранирования элементарного магнитного диполя шаровым экраном
- •44.Расчет эффективности магнитного экранирования замкнутого излучателя реальным экраном
43. Эффективность экранирования элементарного магнитного диполя шаровым экраном
44.Расчет эффективности магнитного экранирования замкнутого излучателя реальным экраном
При произвольной форме экрана и конечных размерах витка с током количественная оценка эффективности экранирования затруднена в такой же сильной степени, как и при экранировании электрического диполя. По этой причине вновь обратимся к простейшему случаю – элементарному (бесконечно малому) витку в центре шарового экрана.
Эффективность шарового экрана с внутренним радиусом R и толщиной стенок d по отношению к бесконечно малому витку с током, т. е. элементарному магнитному диполю, расположенному в его центре, при d << R << λ/(2π) возможно с достаточной для инженерных расчетов точностью определить из соотношения:
где Э0 определяется в соответствии с выражением (7.1) или (7.2); Эпл – эффективность плоского экрана, определяемая из соотношения (7.6).
(7.6)
где
d
– толщина материала; σ – проводимость
материала;
где f
–
частота; μ – относительная магнитная
проницаемость материала.
В области высоких частот, как правило, Э >> Э0, поэтому допустимо считать, что:
Пологая, что при экранировании магнитного диполя при d << R волна в толще стенок экрана плоская и ослабление ее при проникновении сквозь стенки определяется выражением (7.7).
(7.7)
Для эффективности отражения поля магнитного диполя от шарового экрана на высоких частотах можно записать:
(7.8)
Как видим, с повышением частоты эффективность отражения непрерывно растет. При d/σ < 0.1 этот рост происходит прямо пропорционально частоте, а при d/σ > 1 замедляется и далее идет прямо пропорционально корню квадратному из частоты (вследствие изменения δ обратно пропорционально корню квадратному из частоты) [28].
Таким образом, при экранировании источников типа магнитного диполя (катушек с током) на частотах порядка 10 кГц и ниже для получения очень большой эффективности экран должен быть толстостенным. Причем, материал экрана при этом играет существенную роль: здесь предпочтение следует отдавать электротехнической стали.
В случае необходимости экранирования высокочастотных источников магнитного поля (100 кГц и выше) с помощью замкнутого шарового экрана с толщиной стенок 1 мм возможно обеспечить эффективность экранирования не менее 106.
УДАЧИ НАМ
