- •1. Системы физическиз единиц сгс и си
- •2. Магнитное поле (суть явления, основные характеристики и способы генерации)
- •3. Формы записи и физический смысл законов Лоренца и Ампера
- •4.Формы записи и физический смысл законов Био-Савара-Лапласса, Гаусса
- •5. Закон электромагнитной индукции
- •6. Уравнения Максвелла. Интегральная и дифференциальная форма записей; физический смысл; система материальных уравнений Максвелла
- •7. Движение заряженных частиц в магнитном поле
- •8. Атомный магнетизм с точки зрения моделей атомов Резерфорда и Бора
- •10. Природа атомного магнетизма
- •11. Диамагнетизм
- •9. Понятие «спина». Основные квантовые числа
- •12. Парамагнетизм (природа происхождения)
- •13. Законы Кюри и Кюри-Вейсса
- •14. Ферромагнетизм
- •15. Свойства ферромагнетиков
- •16. Петли гистерезиса( классификация, основные характеристики)
- •17. Свойства магнитных материалов, используемых в цепях переменного тока
- •18. Антиферромагнетизм
- •19. Ферримагнетизм
- •20. Спиновые стекла; сперромагнетизм; асперромагнетизм; гелимагнетизм; сперимагнетизм; миктомагнетизм
- •21. Магнитотвёрдые материалы
- •22. Магнитомягкие материалы
- •23. Магнитострикционные материалы
- •24. Магнитооптические материалы
- •25. Термомагнитные материалы. Эффект Риги-Ледюка
- •26. Магнитные материалы с ппг
- •27. Эффект Холла
- •28. Эффект Гаусса
- •29. Физический и геометрический эффекты магнитосопротивления
- •30. Магниторезисторы ( определение, основные характеристики и способы реализации)
- •31. Диск Корбино ( определение, основные характеристики)
- •32. Вольтова чувствительность магниторезисторов
- •33. Шумы магниторезисторов
- •34. Тонкие магнитные пленки; магнитные эффекты в тонких магнитных пленках
- •35. Гигантский магниторезистивный эффект
- •36. Спин-зависимое туннелирование
- •37. Анизотропный магниторезистивный эффект
- •38. Мостовые схемы включения первичных магниторезистивных измерительных преобразователей
- •39. Структура магниторезистивного датчика. Утилитарные устройства магниторезистивных преобразователей и их основные параметры
- •40. Методика управления магниторезистивным преобразователем на основе амр-эффекта
- •41. Магнитное экранирование витка с током при частоте равной нулю
- •42. Зависимость экранирования витка с током от частоты
- •43. Эффективность экранирования элементарного магнитного диполя шаровым экраном
- •44.Расчет эффективности магнитного экранирования замкнутого излучателя реальным экраном
7. Движение заряженных частиц в магнитном поле
Итак, как отмечалось, в постоянном магнитном поле на движущуюся заряженную частицу действует магнитная составляющая силы Лоренца определяемая выражением (1.1).
Эта сила перпендекулярна скорости v, а потому работы не производит. Она лишь искривляет траекторию, но не изменяет величину скорости частицы. Не меняется следовательно и релятивистская масса частицы m.
Рассмотрим случай, когда магнитное поле постоянно однородно. Если скорость частицы направлена вдоль поля B, то согласно (1.1) сила Fм обратится в нуль. То есть частица будет двигаться прямолинейно с постоянной скоростью. Таким образом, магнитное поле не влияет на движение частицы, если последнее происходит вдоль поля.
Если же частица движется перпендекулярно к силовым линиям магнитного поля, то ее скорость, оставаясь постоянной по велечине меняется по направлению. Сила Fм также постоянна по величине и перпендекулярна к траектории частицы. Отсюда следует, что траектория частицы будет представлять дугу окружности (рис. 1.1), плоскость которой перпендекулярна магнитному полю. Если заряд q положителен, то направления вектора B и угловой скорости вращения ω противоположны. Если же заряд отрицателен, то эти направления совпадают.
Ускорение частицы направлено к центру окружности, по которой она вращается и определяется согласно (1.26).
a = ω2·r, (1.26)
где r – радиус-вектор этой окружности.
Значение угловой скорости ω можно определить из уравнения движения (1.27).
ω2·r·m = q[v×B]. (1.27)
Задаваясь v как ωr , выразим угловую скорость, и запишем:
(1.28)
Здесь величину ω принято называть циклотронной частотой, а r – циклотронным радиусом. Заметим, что выражение (1.28) справедливо как для нерелятивистских, так и для релятивистских движений, если только под m понимать релятивистскую массу частицы.
Рис. 1.1. Траектория движения положительно-заряженной частицы в однородном магнитном поле
При рассмотрении более общего случая, когда скорость v направлена под углом к магнитному полю, ограничиваясь нерелятивистскими скоростями, представим скорость v в виде:
v = v||+v┴, (1.29)
где v|| –составляющая скорости, направленная вдоль поля; v┴ – составляющая скорости направленная перпендикулярно полю.
Движение с этими скоростями – независимы. Первая составляющая в правой части уравнения (1.29) есть равномерное прямолинейное движение вдоль поля со скоростью v||, второе – равномерное вращение по окружности вокруг поля с угловой скоростью определяемой согласно (1.28). Радиус этой окружности определяется как:
(1.30)
В результате сложения обоих движений, возникает движение по спирали, ось которой параллельна магнитному полю.
Таким образом, спиралевидная траектория движения частицы в однородном магнитном поле наблюдается при наличии любой сторонней силы, заставляющей двигаться частицу вдоль силовых линий этого поля. В качестве такой силы, может выступать, например, электрическая составляющая силы Лоренца (1.2) (при соблюдении условия: E << B), развивающая скорость дрейфа частицы согласно выражению (1.31) [3].
,
(1.31)
где vд – (скорость дрейфа) скорость такой системы отсчета, относительно которой частица движется только по окружности (vд компенсирует прямолинейное движение частицы вдоль поля).
Ось спирали в данном случае направлена параллельно магнитному полю, однако шаг спирали из-за наличия ускорения a|| со временем будет меняться. Такая картина движения сохранится до тех пор, пока скорость частицы из-за наличия ускорения не возрастет на столько, что движение перейдет в релятивистское.
