4. Полевые транзисторы

4.2.4.1.Классификация полевых транзисторов. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом: устройство; назначение областей; принцип действия; статические стоковые (выходные) и сток-затворные характеристики, их зависимость от температуры окружающей среды.

4.2.4.2.Полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом. Особенности конструкции, режимы обогащения и обеднения носителями заряда приповерхностного слоя полупроводника. Длина экранирования (Дебая), явление инверсии проводимости. Стоковые (выходные) и сток-затворные характеристики, их зависимость от температуры окружающей среды. Пороговое напряжение.

4.2.4.3.Полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом. Конструктивные особенности, статические характеристики, их зависимость от температуры окружающей среды.

4.2.4.4.Статические параметры полевых транзисторов: крутизна характеристики; внутреннее (выходное) сопротивление; статический коэффициент усиления. Порядок их величин и зависимость от режима работы. Связь между статическими параметрами. Определение параметров по семейству стоковых (выходных) характеристик и по справочнику.

4.2.4.5.Эквивалентные схемы полевых транзисторов. Выбор режима работы и цепи питания полевых транзисторов.

[4, с. 205-244]; [3, с. 183-211];- [2].

Контрольные вопросы:

1. Объясните устройство и принцип действия полевого транзистора с управляющим р-п переходом.

2. Как зависит сопротивление канала от электропроводности полупроводника, площади и длины, канала?

3. Нарисуйте и поясните выходные (стоковые) характеристики полевого транзистора с управляющим р-п переходом.

4.^:Нарисуйте и поясните сток-затворные характеристики полевого транзистора с управляющим р-п переходом. Укажите влияние температуры на сток-затворные характеристики.

5. Поясните устройство МОП-транзистора с встроенным каналом.

6. Как получить режим обогащения и обеднения приповерхностного слоя полупроводника? Поясните с помощью энергетических диаграмм.

7. Что такое инверсия проводимости и как ее получить? Поясните с помощью энергетических диаграмм.

8. Чем отличается МОП-транзистор с встроенным каналом от МОП-транзистора с индуцированным каналом?

9. Нарисуйте и поясните сток-затворные характеристики МОП-транзисторов с индуцированным и встроенным каналом.

10. Нарисуйте и поясните стоковые характеристики МОП-транзисторов С индуцированным и встроенным каналами.

11 Назовите основные параметры полевых транзисторов и методы их определения.

12. Нарисуйте эквивалентную схему полевого транзистора.

4.2.5. Тиристоры

Классификация тиристоров. Принцип действия диодного тиристора (динистора). Эквивалентная схема, вольтамперная характеристика, условия включения динистора. Основные параметры и области применения.

Триодный тиристор (тринистор). Семейство вольтамперных характеристик, условия переключения. Пусковая характеристика, ее зависимость от температуры окружающей среды. Разновидности тиристоров и области применения.

[4, с. 245-262]; [3, с. 175-182]; [1].

Контрольные вопросы:

1. Что называется тиристором и какие существуют виды тиристоров?

2. Поясните устройство диодного тиристора (динистора) и нарисуйте его эквивалентную схему.

3. Нарисуйте и объясните вольтамперную характеристику динистора. Запишите условие включения динистора.

4. Нарисуйте и поясните вольтамперную характеристику управляемого тиристора (тринистора).

5. Назовите и объясните основные параметры тиристоров.

6. Нарисуйте и поясните пусковую характеристику тринистора.