1. Дифференциалдық күшейткіш. Схемасы және жұмысы.

ТТК – нің дрейфін азайтудың шұғыл амалы – паралелльді балансты (дифференциалдық) каскадтарды қолдану болып табылады. Балансты схема деп аталуы – бұл каскадтың шығыс тізбегі балансталған көпір болып табылады, оның бір диагоналына қоректену көзі қосылып, ал екінші диагоналына шығыс кернеу қосылады. Көпірдің бірінші екі иығындағы біріне – бірі параллель резисторлар R_к1 мен R_к2 біріне – бірі параллель екі транзистор көрсеткіштері бірдей болатындай етіліп таңдап алынады. Сондықтан жалпылай схема параллельді – балансты деп аталады. Және бұл схема өте симметриялы болып келеді. Осындай резисторлары R_к1 мен R_к2 біріне – бірі тең, бірдей транзисторлары Т₁ мен Т₂ бар идеалды каскадта қоректену көзінің кернеу өзгеруі толығымен баланстанады да, каскадтың шығу тізбегіндегі кернеу 0-ге тең болады. R₀ – резисторы транзистордың тоғын тұрақтандыру үшін қойылған. Диффернециалды каскадтың кірісіне кіру сигналдары U_кір1, U_кір2 – лерді берсек, онда каскадтың шығысындағы кернеу U_шығ = U_к1 - U_к2 = К_д(U_кір2 - U_кір1), мұнда К_д – дифференциалдық сигналды күшейту коэффициенті. Сондықтан каскадтың дифференциалдық деп аталуы, ол тек қана дифференциалдық сигналдарды күшейтеді.

Дифференциалдық каскад

2. Биполярлы n- p- n- транзистордың қосылу схемалары және олардың ерекшеліктері.

Транзистор дегеніміз электрлік қуатты күшейтуге қабілетті, үш және одан да көп шықпалары, бір немесе одан көп p-n өткелдері бар шала өткізгішті аспап. Олар электр тербелістерін күшейтуге, генерациялауға және түрлендіруге арналған. Тасушылардың бір немесе екі типінің де ток түзуге қатысуына байланысты, бір полюсті және екі полюсті транзисторлар болып бөлінеді. Өткізгіштік облыстарының өзара орналасуы бойынша– транзисторлар

n-p-n және p-n-p болып бөлінеді.

Биполюсті транзистор – күшейту қасиеттері заряд тасушылардың инжекциясы және экстракциясы құбылыстарымен туындайтын, өзара әрекеттесуші екі p-n өткелдері бар шала өткізгішті триод. Заряд тасушылардың екі типі де: электрондар да кемтіктер де қатысатындықтан олар биполюсті деп аталады. Олар үш электрод және екі p-n өткелден тұратын үш қабаттан құралады (5.2-сурет). n₁-p арасындағы аудан p-n₂ арасындағыға қарағанда әлдеқайда аз. Транзистордың құрылымы бейсимметриялы. Ауданы кіші асқын қоспаланған тасушыларды базаға инжекциялауға арналған қабаты эмиттер деп аталады (Э). Ауданы үлкен, тасушыларды базадан экстракциялауға арналған және осы тасушыларды жинайтын қабат, коллектор деп аталады (К). Тасушылардың эмиттерден коллекторға қарай қозғалысын басқаратын ортаңғы қабат, база деп аталады (Б).

База арқылы эмиттерлік (ЭӨ) және коллекторлық (КӨ) өткелдер деп аталатын екі   p-n өткелдердің байланысы жүзеге асырылады. Өткелдердің өзара әсерлесуі өткелдер арасындағы базаның өте аз қалыңдығы арқылы жүзеге асырылады (ондаған микрометр). Кез келген жағдайда ол базадағы қосалқы тасушылардың диффузиялық қабатының қалыңдығынан әлдеқайда аз болуы қажет. Сонымен қатар базаның электрөткізгіштігі эмиттердің электрөткізгіштігі­нен айтарлықтай аз болуы қажет. Транзистор шықпаларының қайсысы кірістегі сигнал көзі мен транзистордың шығыс тізбегі арасында ортақ болып табылатынына байланысты, транзисторды электр тізбегіне қосудың үш негізгі сұлбасы бар: ортақ базалы (ОБ, сурет а), ортақ эмиттерлі (ОЭ, сурет б), ортақ коллекторлы (ОК, сурет в).