31. Жеке кристаллдардағы үлкен интегралдық микросхемаларды түсіндіріңіз
Бұл ҮИС құрылымы және жасалу технологиясы бойынша шалаөткізгішті орта деңгейлі интеграиялы ИМС техникасының ары қарай дамуының нәтижесі болып табылады.
Қондырғының қолдану мүмкіндіктері мен прецизиондығы, технология сапасының жақсаруы щалаөткізгішті ИМС элементтерінің орташа мәнін 0,07-ден 0,00063мм дейін және кристалдың орташа көлемін 1-ден 10мм дейін көбейтуге мүмкіндік береді. Қазіргі кезде ол 100000-ға дейін элементтері бар (санағыш, регистр, дешифратор, түрлендіргіш т.б.) ҮИС жасауға мүмкіндік бере алады. осындай ҮИСны ЭВМ көмегімен жобалайды, ал схема аралық байланыстар екі қабатты разводканы орындайды. Активті элементтер ретінде оларда негізінен биполяр транзисторларды қолданады. Мұндай типті ҮИС планарлы эпитаксиалдық немесе изопланарлы технология бойынша дайындайды.
32.Гибридті үлкен интегралдық микросхемаларды алу технологиясы және конструкциясын түсіндіріңіз
Гибридті ҮИС екі құрылымдық бөліктен тұрады: коммутациялық плата және бөлек дайындалатын ИМС дискретті элементтері. Онда әртүрлі технологиялық әдістермен (шалаөткізішті, біріккен, жұқа пленкалы т.б.) жасалған және функционалдығы мен құрылымдық орындалуы бойынша ажыратылатын интегралдық микросхема қолданылады.ҮИС жасаудың гибридті әдісі ең әмбебап әдіс болып табылады, себебі ол бір технологиялық циклге бірікпеген пленкалы және шалаөткізгішті технологиялар артықшылығын байланыстырады. Гибридті ҮИС функционалдығы мен интеграция деңгейі бойынша шалаөткізгішті ҮИСдан асып түседі. Сондықтан бұл ҮИС әртекті аналогты қондырғылар, мысалы кернеу код немесе код кернеу түрлендірулеріне қолданылады.
Гибридті ҮИС негізгі құрылымдық элементі көпқабатты коммутациялық плата болып табылады. Ол пленкалы резисторлар мен конденсаторлардан тұрады және көп деңгейлі разводка жүйесін құрады. Сондықтан гибридті ҮИС құрудағы негізгі мәселе көпқабатты коммутациялық подложканы жасау болып табылады. Көпдеңгейлі разводкалы коммутациялық платаларды жобалау машиналық әдіспен жүзеге асырылады, себебі ИМС және аспалы элементтердің қолайлы орналасуы үшін пленкалы өткізгіштер топологиясын барлық керекті схемотехникалық, құрылымдық және технологиялық параметрлерді ескере отырып жасайды.
Пленкалы коммутациялық плата элементтеріне келесі технологиялық шарттар қойылады: пленкалы өткізгіштердің салыстырмалы кедергісі p≤0,01Ом ·см; байланысаралық изоляцияның элементтік беріктігі E≥40·106 В/ см; изоляциялық кедергісі 0,5 мм2 ауданда 1000 МОм кем емес; қабаттар арасындағы салыстырмалы сыйымдылық 5 пФ /см2 артық емес болу керек. Бұл шарттар коммутациялық плата жасаудың технологиялық мүмкіндіктері мен жасалатын материалдарын шектейді.
Көпқабатты коммутациялық платалар дайындауда жұқа және қалың пленкалы технологияны өзіне біріктіретін технологиялық процесс ең қолайлы болып табылады.
Коммутациялық плата жасаудың бірнеше нұсқасы бар. Әр жағдайда операциялар ретін монтаж тығыздығы мен схемотехникалық талаптар бойынша таңдайды. Пленкалы қабаттарды тізбектей фотолитографиялық өңдеу ең қолайлы нұсқасы болып саналады.
Гибридті ҮИС коммутациялық платасының құрылымы.
. Гибридті ҮИС коммутациялық платасының құрылымы: 1-негізі, 2-қабатаралық изоляция, 3-көпқабатты коммутация, 4-аспалы (навесные) компоненттері