65. Материалы для изготовления печатных плат
В качестве основания печатных плат используются слоистые термореактивные диэлектрики, керамические и металлические (с поверхностным диэлектрическим слоем) материалы различных типов и толщины. Они должны иметь высоки электроизаляционные свойства. Достаточную механическую прочность, стабильность при воздействии агрессивных сред и климатических условий, хорошую адгезию к токопроводящему покрытию, минимальное коробление в процессе производства и эксплуатации, а так же хорошо обрабатываться резанием и штамповкой. Наибольшее распространение получили слоистые термопласты – гетинакс и стеклотекстолит представляющие собой слои изаляционной бумаги или стеклоткани.
66. Позитивный комбинированный метод изготовления двухсторонних печатных плат (схема процесса)
- получение заготовки
- создание фоторезистивного рисунка
- заглушка лаком
- сверление отверстий
- снятие ХСЛ
- металлизация отверстий
- снятие фоторезиста
- травление меди
67. Технология изготовления многослойных печатных плат методом металлизации сквозных отверстий (схема процесса)
- вырубка заготовок
- выполнение рисунка всех внутренних слоев комбинированным негативным методом
- соединение всех заготовок в единую склеивание и прессованием
- создание фоторезистивного рисунка
- заглушка лаком
- сверление отверстий
- снятие ХСЛ
- металлизация отверстий
- снятие фоторезиста
- травление меди
68. Структура и схема процесса изготовления биполярного транзистора
Биполярный транзистор – электронный прибор, состоящий из трех областей с чередующимися типами электропроводимости, пригодный для усиления мощности.
В биполярных транзисторах ток определяется движением носителей заряда 2-х типов: электронов и дырок. С помощью трехслойной полупроводниковой структуры создаются два р-n перехода. Возможны две трехслойные структуры с различным чередованием участков с электронной и дырочной проводимостью: р-n-р и n-р-n,что и определяет деление биполярных транзисторов на два типа.
Кроме того, принято подразделять их на группы по диапазонам используемых частот и мощностей.
Для изготовления транзисторов широко применяется два полупроводниковых материала: германий и кремний. Структура и конструкция биполярного транзистора схематически показана на рис. 1.2
Рис. 1.2. Структура и конструкция маломощного биполярного транзистора: 1,2 – базовая и эмиттерная области кристалла полупроводника; 3 – стеклянные изоляторы; 4,5,6 – выводы коллектора, базы и эмиттера; 7 – металлический корпус
У биполярных транзисторов средний слой называют базой, наружный слой, являющийся источником носителей заряда (электронов и дырок), который главным образом и создает ток прибора – эмиттером, другой наружный слой – коллектором. Он принимает носителей заряда, поступающих от эмиттера.
Схема:
Рис. 1. Биполярный транзистор: а) p–n–p-структуры без корпуса, б) n–p–n-структуры в корпусе
69. Структура и схема изготовления мдп – транзистора
Технология изготовления МДП ИС значительно проще технологии изготовления биполярных интегральных схем. Так, число основных технологических операций примерно на 30 % меньше, чем при изготовлении и биполярных ИС.
Наибольший практический интерес представляет изопланарная технология изготовления МДП-структур, особенностью которой является изоляция МДП-структур толстым слоем оксида кремния. Применение этой технологии позволяет совместно формировать на одной подложке как биполярные, так и МДП-структуры. Процесс поэтапного формирования МДП-структуры представлен на рис. 1.16:
а) на поверхности кремниевой подложки р-типа формируют маску из нитрида кремния, через отверстия в которой внедряют ионы бора, в результате чего формируются противоканальные р+-области;
б) окислением через маску создают разделительные слои диоксида кремния, после чего удаляют слой нитрида кремния, затем ионным легированием бора создают слой с повышенной концентрацией акцепторов, который необходим для снижения порогового напряжения;
в) формируют тонкий подзатворный слой диоксида кремния и наносят на него слой поликремния (затвор);
г) ионным легированием мышьяка формируют n+-области истока и стока;
д) химическим паровым осаждением наносят слой диоксида кремния, формируют в нем окна, напыляют пленку алюминия и методом фотолитографии создают рисунок металлических проводников.