Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
diplom_trebov.doc
Скачиваний:
2
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
887 Кб
Скачать
☆

Вопросы для тестирования

  1. Одноэлектронное приближение

Какое из ниже перечисленных приближений не выполняется для аморфных веществ?

а) адиабатическое приближение,

б) модель идеального кристалла,

в) приближение самосогласованного поля.

  1. Чем отличаются понятия импульс и квазиимпульс?

а) направлением движения,

б) абсолютной величиной,

в) неоднозначностью определения.

  1. Где находится уровень Ферми для невырожденного полупроводника?

а) в запрещенной зоне,

б) в зоне проводимости,

в) в валентной зоне.

  1. Чем определяется различие между полупроводниками и металлами с точки зрения зонной теории?

а) шириной запрещенной зоны,

б) отсутствием запрещенной зоны,

в) перекрытием валентной зоны и зоны проводимости.

5. Какие примеси определяют вид носителей заряда в полупроводнике n-типа?

а) доноры,

б) акцепторы,

в) доноры и акцепторы.

  1. Какими процессами определяется среднее время жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках?

а) столкновением носителей,

б) рекомбинацией электронно-дырочной пары,

в) различие несущественное.

  1. Укажите различие между понятиями уровней Ферми и квазиуровней Ферми:

а) различия нет,

б) различие принципиальное,

в) различие несущественное.

8. Пусть к р/n-переходу приложено постоянное смещение. При каком смещении возрастает ширина переходной области?

а) при прямом смещении,

б) при обратном смещении.

9. Пусть к р/n-переходу приложено постоянное смещение. При каком смещении уменьшается величина барьерной емкости?

а) при прямом смещении,

б) при обратном смещении.

10. Какой составляющей электрического тока обусловлена барьерная емкость р/n-перехода?

а) постоянной составляющей,

б) переменной составляющей.

11.Что изменится в эквивалентной схеме диода на высоких частотах по сравнению с низкими частотами?

а) добавится дополнительная емкость,

б) добавится дополнительное сопротивление,

в) добавятся дополнительные емкость и сопротивление.

2.2.3. Физика волновых процессов Программа курса

  1. Волновое уравнение.

Колебания струны. Упругие колебания в газе. Колебания в плазме. Упругие колебания в твердом теле. Проводящая линия. Электромагнитные волны в вакууме.

  1. Решения волнового уравнения.

Формальные решения. Дисперсионное уравнение. Стоячие и бегущие волны. Плоские, сферические и цилиндрические волны.

  1. Дисперсия и групповая скорость.

Диспергирующие и не диспергирующие среды. Биения волн. Спектральный анализ сигналов. Фурье-анализ волновых пакетов.

  1. Электромагнитные волны.

Волновое уравнение для электромагнитных волн в среде. Энергия электромагнитных волн. Поляризация.

  1. Отражение и преломление волн.

Импеданс и согласованная нагрузка. Отражение на границе двух сред. Компенсация отражения. Закон Снеллиуса, формулы Френеля.

  1. Распространение волн в неоднородной среде.

Электромагнитные поля в среде с дисперсией. Приближение геометрической оптики. Линейный слой, поле в области отражения. Точное решение – слой Эпштейна.

  1. Волноводы и резонаторы.

Волновод – простейший случай. Вектор Герца. Уравнение Гельмгольца в цилиндрической системе координат. Электромагнитное поле в прямоугольном и цилиндрическом волноводе. Объемные резонаторы. Коаксиальный кабель.

  1. Волны в периодических структурах.

Брэгговское рассеяние. Цепочка из LС-ячеек.

  1. Волны в анизотропной среде.

Тензор диэлектрической проницаемости. Замагниченная плазма, как анизотропная среда. Распространение электромагнитных волн в магнитоактивной плазме.

  1. Нелинейные волны.

Простые волны Римана. Спектр простых волн. Уравнение Бюргерса. Солитоны, уравнение Кортевега – де Вриза.

  1. Интерференция.

Интерференция двух волн. Когерентность. Многолучевая интерференция.

  1. Дифракция.

Принцип Гюйгенса – Френеля. Зоны Френеля. Дифракция на границе тени.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]