- •Оглавление
- •1. Аналоговая схемотехника
- •2. Цифровая схемотехника
- •Введение
- •1. Аналоговая схемотехника
- •Тема 1. Делитель напряжения без нагрузки (на "холостом ходу") и под нагрузкой. Расчет делителя напряжения
- •1.1. Ключевые положения
- •1.4. Выполнение расчета
- •1.5. Контрольные вопросы
- •1.6. Рекомендованная литература
- •Тема 2. Расчет выпрямителя. Выбор диода по справочнику
- •2.1. Ключевые положения
- •1.2. Задание для расчета
- •1.3. Исходные данные
- •2.2. Задание для расчета
- •2.3. Исходные данные
- •2.4. Выполнение расчета
- •2.5. Контрольные вопросы
- •2.6. Рекомендованная литература
- •Тема 3. Биполярные транзисторы. Расчет усилителя на биполярном транзисторе с общим эмиттером
- •3.1. Ключевые положения
- •3.2. Задание для расчета
- •3.3. Исходные данные
- •3.4. Выполнение расчета
- •3.4.1. Разработка схемы
- •3.4.2. Выбор транзистора
- •3.4.3. Построение диаграммы работы усилителя
- •Расчет параметров усилителя
- •Контрольные вопросы
- •3.6. Рекомендованная литература
- •Тема 4. Параметрический стабилизатор напряжения. Коэффициент стабилизации
- •Ключевые положения
- •4.2. Задание для расчета
- •4.3. Исходные данные
- •Выполнение расчета
- •Контрольные вопросы
- •4.6. Рекомендованная литература
- •Тема 5. Каскады на операционных усилителях. Инвертирующий усилитель напряжения
- •5.1. Ключевые положения
- •5.2. Задание для расчета
- •5.3. Исходные данные
- •5.4. Выполнение расчета
- •1. Разработка схемы
- •Расчет усилителя
- •5.6. Рекомендованная литература
- •Тема 6. Каскады на операционных усилителях. Неинвертирующий усилитель напряжения
- •6.1. Ключевые положения
- •6.2. Задание для расчета
- •6.3. Исходные данные
- •6.4. Выполнение расчета
- •1. Разработка схемы.
- •Расчет схемы
- •6.5. Контрольные вопросы
- •6.6. Рекомендованная литература
- •Тема 7. Каскады на операционном усилителе. Инвертирующий сумматор
- •7.1. Ключевые положения
- •2. Расчет инвертирующего сумматора тока
- •7.5. Контрольные вопросы
- •7.6. Рекомендованная литература
- •2. Цифровая схемотехника
- •Тема 10. Логические функции булевого базиса
- •10.1. Ключевые положения
- •10.1.1. Функция логического отрицания не
- •10.1.2. Функция логического умножения и
- •10.1.3. Функция логического сложения или
- •10.1.4. Комбинированные логические функции
- •10.2. Задание для расчета
- •10.3. Исходные данные
- •10.4. Контрольные вопросы
- •10.5. Рекомендованная литература
- •Тема 11. Триггеры
- •11.1. Ключевые положения
- •11.1.1. Асинхронный rs-триггер
- •11.2. Задание для расчета
- •11.3. Исходные данные
- •11.4. Контрольные вопросы
- •11.5. Рекомендованная литература
- •Тема 12. Счетчики импульсов
- •12.1. Ключевые положения
- •Параметры счётчика
- •Классификация счётчиков
- •12.2. Последовательные двоичные счётчики
- •12.3. Задание для расчета
- •12.4. Исходные данные для расчета
- •12.5. Контрольные вопросы
- •12.6. Рекомендуемая литература
- •Тема 13. Двоично-десятичные счетчики. Декадное соединение счетчиков
- •13.1. Ключевые положения
- •13.1.1. Десятичные счётчики
- •13.1.2. Декадное соединение счетчиков
- •Тема 14. Регистры
- •14.1. Ключевые положения Классификация регистров
- •14.1.1. Последовательные регистры
- •14.1.2. Параллельные регистры
- •14.2. Задание для расчета
- •14.3. Исходные данные
- •14.5. Контрольные вопросы
- •15.1. Дешифраторы
- •14.6. Рекомендованная литература
- •Тема 15. Комбинационные устройства
- •15.2. Задание для расчета
- •15.3. Исходные данные
- •15.4. Пример выполнения расчета
- •15.5. Контрольные вопросы
- •15.6. Рекомендованная литература
- •Тема 16. Мультиплексоры и демультиплексоры
- •16.1. Мультиплексоры
- •16.2. Демультиплексоры
- •16.3. Задание для расчета
- •16.4. Исходные данные
- •16.5. Контрольные вопросы
- •16.6. Рекомендованная литература
- •Тема 17. Программируемые логические матрицы
- •17.1. Матричная схема
- •Плм, как правило, имеют два схемотехнических уровня: на первом из них создаются требуемые конъюнкции, а на втором – дизъюнкции. Обе матрицы соединяются каскадно.
- •17.2. Двухуровневые программируемые логические матрицы
- •17.3. Задание для расчета
- •17.4. Исходные данные
- •17.5. Указания к выполнению расчета
- •17.6. Контрольные вопросы
- •17.7. Рекомендованная литература
2.2. Задание для расчета
1. Дайте схему однополупериодного выпрямителя положительного напряжения.
2. По справочнику выберите тип диода.
3. Дайте в масштабе диаграмму работы выпрямителя.
4. Определите амплитуды входного напряжения, входного тока, прямого и обратного напряжений.
5. Дайте в масштабе временную диаграмму работы выпрямителя: эпюры входного напряжения, напряжения на диоде и выходного напряжения, обращая внимания на фазы. (Эпюру входного напряжения расположите сверху).
Рисунок 2.3 – Временная диаграмма работы однополупериодного выпрямителя
2.3. Исходные данные
1. Амплитуда выходного напряжения Um вых = (5+ N) В.
2. Сопротивление нагрузки Rн = (200+10М) Ом.
(N – последняя, M – предпоследняя цифры номера зачетной книжки).
2.4. Выполнение расчета
1. На рис. 2.4 показана схема однополупериодного выпрямителя положительного выпрямленного напряжения.
Uвх1
Uвых
Ін
Uтвх
Рисунок
2.4 – Схема однополупериодного выпрямителя
положительного выпрямленного напряжения
Im пр= .
3. Приняв прямое падение напряжения на диоде Uпр = 1 В, определим амплитуду обратного напряжения, приложенного к диоду
Um обр = Um вых + Uпр.
4. Диод выбираем по справочнику с запасом по предельным параметрам, для этого значения Im пр и Um обр увеличим на 20%:
Iпр = 1,2Im пр,
Uобр = 1,2Um обр.
5. По рассчитанным значения Iпр и Uобр по справочнику выбираем диод, для параметров которого выполняются следующие неравенства:
Iпр max ≥ Iпр и Uобр max ≥ Uобр.
6. Для выбранного диода по справочнику определяем падение напряжения Uпр VD.
7. Определяем входное напряжение Um вх выпрямителя
Um вх = Um вых + Uпр VD.
8. Строим временную диаграмму работы выпрямителя (рис. 2.3) в масштабе. Длительность периода при этом выбирается произвольно
2.5. Контрольные вопросы
1. Поясните принцип работы выпрямителя.
2. Покажите соотношение амплитуд входного и выходного напряжений выпрямителя.
3. Дайте схемы выпрямителей для получения положительного и отрицательного выпрямленного напряжений.
4. Поясните, чему равны прямое и обратное напряжения на диоде.
2.6. Рекомендованная литература
1. Воробйова О.М. Основи схемотехніки: підручник / О.М. Воробйова, В.Д. Іванченко. – [2-ге вид.]. – Одеса: Фенікс, 2009. – С. 41 – 51.
2. Воробйова О.М. Основи схемотехніки: У 2-х частинах: навч. посіб. / О.М. Воробйова, В.Д. Іванченко. – Одеса: ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2004. – Частина І. – С. 26 – 42.
3. Воробьёва Е.М.. Основы схемотехники: конспект лекций в 2-х частях / Е.М. Воробьёва, В.Д Иванченко. – Одесса: ОНАС им. А.С. Попова, 2011. –Часть 1. – С. 41 – 44.
Тема 3. Биполярные транзисторы. Расчет усилителя на биполярном транзисторе с общим эмиттером
3.1. Ключевые положения
Транзистор имеет три электрода (эмиттер, базу и коллектор) и содержит два p-n-перехода (эмиттерный и коллекторный), которые взаимодействуют между собой.
Термин «транзистор» переводится на русский язык как «управляемое сопротивление».
В схеме с общим эмиттером эмиттерный переход транзистора является входной цепью усилителя, а коллекторный – выходной. Если источник входного сигнала затрачивает меньшую мощность, чем полученная мощность в нагрузке усилителя, то входной сигнал усиливается.
Принципиальные схемы усилителей с общим эмиттером на транзисторах п-р-п-типа и р-п-р-типа показаны на рис. 3.1. Как видно из рис. 3.1, схемы отличаются типом транзисторов, а также полярностью напряжения питания ЕК. Усилитель на п-р-п-транзисторе питается положительным напряжением (+ ЕК) относительно корпуса, а на р-п-р-транзисторе – отрицательным (– ЕК).
EK
Rк
Uкэ
Uбэ
Rб
І0б
Ік
Іб
EK
Rк
Rб
Uкэ
Ік
І0б
Іб
Uбэ
Рисунок 3.1 – Принципиальные схемы усилителей с общим эмиттером:
а) на транзисторе n-p-n; б) на транзисторе p-n-p
На схемах рис. 3.1 обозначены:
Uвх – входное усиливаемое напряжение;
Uвых – выходное усиленное напряжение;
VT – биполярный транзистор;
ЕК – напряжение питания;
Uбэ – напряжение между базой и эмиттером;
Uкэ – напряжение между коллектором и эмиттером;
I0б – ток смещения в цепи базы;
Іб – ток базы;
Ік – ток коллектора;
Івх – входной ток;
Rб – резистор в цепи базы;
Rк – сопротивление нагрузки;
Ср1 и Ср2 – разделительные конденсаторы.
Усилитель с общим эмиттером (ОЭ), принципиальная схема которого показана на рис. 3.1,а, является делителем напряжения питания ЕК, в верхнем плече которого включено сопротивление нагрузки Rк, а в нижнем – транзистор VT. Аналогичное утверждение справедливо для схемы усилителя на рис. 3.1, б.
В этом случае коэффициент передачи делителя напряжения питания Kп будет равен
,
где RVT – эквивалентное сопротивление коллектор–эмиттер транзистора.
Тогда напряжение между коллектором и эмиттером транзистора будет равно
Uкэ
= EK
.
(3.2)
Из формулы (3.2) получаем следующее:
– напряжение Uкэ между коллектором и эмиттером является частью напряжения питания ЕК;
– напряжение Uкэ между коллектором и эмиттером тем больше, чем больше напряжение питания ЕК;
– напряжение Uкэ никогда не может быть больше напряжения питания:
Uкэ < ЕК. (3.3)
Поясняя принцип действия усилителя, не следует представлять себе, что входное напряжение Uвх как-то поступает к выходу, увеличиваясь в тракте. Это не так.
Входное усиливаемое напряжение Uвх управляет изменением сопротивления транзистора RVT по своему закону и, как следует из формулы (3.1), тем самым управляет коэффициентом передачи напряжения питания Kп. Таким образом, в основу принципа действия усилителя положено то, что часть напряжения питания ЕК поступает к выходу через делитель напряжения из Rк и сопротивления между коллектором и эмиттером транзистора RVT, а входной усиливаемый сигнал Uвх управляет коэффициентом передачи Kп этого делителя.
Для рассмотрения работы усилителя найдём уравнение линии нагрузки.
Напряжение питания ЕК по закону Кирхгофа делится на падение напряжения на сопротивлении нагрузки ІкRк и напряжение коллектор-эмиттер Uкэ:
ЕК = ІкRк + Uкэ. (3.4)
Из уравнения (3.4), поделив его на Rк, получаем уравнение линии нагрузки
Ік
=
–
.
(3.5)
EК
Rк
Uкэ
ЕК
Uк
U0к
ІкRк
Ік
Іб
Іб
Іб
Рисунок
3.2 – Линия нагрузки и режим транзистора
Уравнение (3.5) в системе координат (Iк, Uкэ) первой степени. Поэтому линия нагрузки является прямой линией (нагрузочная прямая), и её можно построить по двум точкам на осях координат (рис. 3.2).
Точка 1: Ік = 0; из уравнения (3.5) получаем: Uкэ = ЕК.
Точка 2: Uкэ = 0; из уравнения (3.5) получаем: Ік = .
Отрезок прямой 1 – 2 является линией нагрузки.
Пересечение линии нагрузки с заданной характеристикой определяет рабочую точку. Если, например, задана характеристика для тока смещения I0б = Іб", то рабочей будет точка РТ.
Рабочая точка однозначно определяет режим работы транзистора, т.е. совокупность напряжений и токов. Она как бы разделяет напряжение питания ЕК на напряжение коллектор-эмиттер в рабочей точке U0кэ и падение напряжения І0кRк на сопротивлении нагрузки Rк, т.е. ЕК = U0кэ + І0кRк.
Линия нагрузки полностью описывает режим работы транзистора и его изменение.
Так,
с помощью линии нагрузки можно определить
влияние изменения любого параметра
режима. Если, например, изменить ток
базы на
Іб,
то ток коллектора изменится на
Ік
= h21э
Іб
и, как следствие, изменится напряжение
между коллектором и эмиттером на
Uкэ.
Параметр h21э
– коэффициент передачи тока транзистора
в схеме с общим эмиттером, значение
которого приводится в справочнике.
Усилитель работает следующим образом
Принцип действия усилителя поясняет диаграмма его работы (рис. 3.3).
На схеме рис. 3.3 обозначены:
Uт вх – амплитуда входного усиливаемого напряжения;
Uт вых – амплитуда выходного усиленного напряжения;
Іт вх – амплитуда входного тока;
Іт к – амплитуда тока коллектора.
Как видно из рис. 3.3, в схеме усилителя напряжения и токи транзистора изменяются в следующих пределах относительно постоянных составляющих:
– напряжение база-эмиттер
Uбэ
= U0бэ
Uт
вх;
(3.6)
– напряжение коллектор-эмиттер
Uкэ= U0кэ Uт вых; (3.7)
EК
Rк
Uкэ
ЕК
Ік
Ібmax
Ік
Uбэ
І0к
Ікmax
Ікmin
Uкэmax
Uкэmin
U0к
Ібmin
І0б
Ібmax
Іб
І0б
Ібmin
Іб
Uбmax
Uбmin
U0б
Рисунок 3.3 – Диаграмма работы усилителя в схеме с общим эмиттером
– ток базы
Іб =І0б Іт вх; (3.8)
– ток коллектора
Ік = І0к Іт к. (3.9)
В схеме, приведенной на рис. 3.1,а, токи протекают по следующим цепям.
Ток базы Іб течёт по цепи: плюс источника питания (+ЕК), резистор Rб, переход база-эмиттер транзистора, нулевой провод, минус источника питания (–ЕК). Поскольку протекает ток базы Іб, то появляется и ток коллектора Ік = h21эІб, протекающий по цепи: плюс источника питания (+ЕК), сопротивление нагрузки Rк, переход коллектор-эмиттер транзистора, нулевой провод, минус источника питания (– ЕК).
Эти цепи образуют замкнутые контуры, для которых согласно второму закону Кирхгофа справедливы следующие уравнения:
1) Iб Rб + Uбэ – EК = 0 или Iб Rб + Uбэ = EК;
2) Iк Rк + Uкэ – EК = 0 или Iк Rк + Uкэ = EК. (3.10)
В исходном состоянии до момента t0, т.е. в отсутствии входного напряжения Uвх = 0, усилитель находится в состоянии покоя. В этом состоянии параметры режима определяются рабочей точкой и равны только первым слагаемым в формулах (3.6)…(3.9). В рабочей точке постоянные напряжения и токи равны:
– постоянное напряжение база-эмиттер: Uбэ = U0бэ;
– постоянное напряжение коллектор-эмиттер: Uкэ = U0кэ;
– постоянный ток базы: Іб = І0б;
– постоянный ток коллектора: Ік = І0к.
При подаче сигнала появляется входное напряжение Uвх. Оно вызывает появление переменных составляющих входного тока Івх, тока коллектора Ік и выходного напряжения Uвых, мгновенные значения которых расположены вокруг рабочей точки (см. рис. 3.3).
Так, в момент t1 на входе усилителя действует амплитуда Uт вх положительной полуволны, в результате напряжение база-эмиттер увеличивается до максимального значения: Uбэ mах = U0бэ + Uт вх. Поэтому ток базы также будет максимальным: Іб mах = І0б + Іт б. Так как ток коллектора прямо пропорционален току базы (Ік = h21эІб), то он также будет иметь максимальное значение: Ік mах = І0к + Іт к.
Напряжение коллектор-эмиттер найдем из выражения (3.4):
Uкэ = ЕК – Ік Rк, (3.11)
для момента t1 найдем его минимальное значение, подставив в выражение (3.11) значение Ік = Ік mах, получим:
Uкэ min = ЕК – Ік mах Rк. (3.12)
В момент t2 на входе усилителя действует амплитуда входного сигнала Uт вх отрицательной полуволны, поэтому напряжение база-эмиттер уменьшается до минимального значения: Uбэ min = U0бэ – Uт вх. Ток базы также будет минимальным: Іб min = І0б – Ітб. Тогда ток коллектора также будет минимальным: Ік min = І0к – Ітк, так как Ік = h21эІб.
Напряжение коллектор-эмиттер в момент t2 определим, подставив в выражение (3.10) значение Ік = Ік min, получим
Uкэ mах = ЕК – Ік min Rк. (3.13)
Как видно из выражений (3.12) и (3.13), максимальный ток коллектора Ік mах обусловливает минимальное значение напряжения коллектор-эмиттер Uкэ min. Это объясняется тем, что максимальный ток коллектора Ік mах создаёт максимальное падение напряжения на сопротивлении нагрузки Rк, которое равно: Ік mахRк. Аналогично, минимальный ток коллектора Ік min обусловливает максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер Uкэ mах.
Из этого следует, что усилитель с общим эмиттером поворачивает фазу входного напряжения на 180.
