- •1. Полупроводниковые диоды
- •1.1. Методические указания
- •1.2. Краткие теоретические сведения
- •1.3. Задачи
- •1.4. Примеры решения задач
- •2. Биполярные транзисторы
- •2.1. Методические указания
- •2.2. Краткие теоретические сведения
- •2.3. Основные формулы и уравнения
- •2.4. Задачи
- •3. Полевые транзисторы
- •3.1. Методические указания
- •3.2. Краткие теоретические сведения
- •3.3. Задачи
- •4. Усилители
- •4.1. Методические указания
- •4.2. Краткие теоретические сведения
- •4.3. Особенности аналитического расчета усилителей
- •4.4. Графоаналитический расчет усилительного каскада
- •4.5. Многокаскадные усилители с rc-связями
- •4.6. Обратные связи в усилителях
- •4.7. Резонансные усилители
- •4.8. Операционные усилители
- •4.9. Задачи
- •4.10. Примеры решения задач
- •5. Логические схемы
- •5.1. Основные параметры и характеристики
- •5.2. Таблица Карно
- •5.3. Задачи
- •Раздел 6. Мультивибраторы
- •Краткие теоретические сведения
- •6.2. Задачи
- •6.3. Пример расчета мультивибраторов
4.10. Примеры решения задач
Пример 1.
Одиночный каскад усилителя включен по
схеме с общим эмиттером. Параметры
транзистора и схемы таковы: h11э = 1000 Ом;
;
h21э = 100;
См.
Сопротивление резистора нагрузки
Rн = 3 кОм;
источник сигнала имеет внутреннее
сопротивление Rг = 100 Ом.
Определить коэффициент усиления по
току, напряжению и мощности, величину
входного и выходного сопротивлений.
Решение. Определяем входное сопротивление:
Ом.
Выходное сопротивление:
Ом.
Коэффициент усиления по току находим, используя выражение
Коэффициент усиления по напряжению:
Коэффициент усиления по мощности:
При расчете одиночных каскадов, включенных по схеме с ОБ, можно пользоваться аналогичными выражениями; для схемы включения с ОК необходимо учесть, что параметр h12к = -1.
Пример 2.
Одиночный каскад усилителя на полевом
транзисторе включен по схеме с общим
истоком (см. рис. 4.7). Параметры транзистора
и схемы таковы:
,
μ = 10, величина сопротивления
нагрузки Rн = 5 кОм.
Сопротивление делителя в цепи затвора
R31 = 500 кОм;
R32 = 100 кОм.
Определить коэффициент усиления по
напряжению и входное сопротивление на
низкой частоте.
Решение. Определяем внутреннее сопротивление транзистора:
кОм.
Коэффициент усиления по напряжению
Входное сопротивление на низкой частоте определяется сопротивлением делителя:
кОм.
Пример 3. Усилитель имеет входное сопротивление Rвх = 10 кОм, величина нагрузочного сопротивления Rн = 2 кОм; Rвых = 500 Ом, коэффициент усиления по напряжению Ku = 500. Как изменяются указанные параметры при введении последовательной обратной связи по напряжению, если сигнал обратной связи снимается с делителя R1 = 9,9 кОм; R2 = 100 Ом (см. рис. 4.10).
Решение. Находим коэффициент усиления усилителя на холостом ходу из выражения
кОм.
С учетом шунтирующего действия делителя
Определим коэффициент передачи цепи обратной связи:
Отсюда с учетом обратной связи
кОм;
Ом.
Пример 4. Рассчитать резонансный коэффициент усилителя LC-типа, включенного по схеме с общим эмиттером (см. рис. 4.11), если параметры транзистора и схемы таковы: коэффициент усиления транзистора β = 60, внутреннее сопротивление источника сигнала Rг=500 Ом, сопротивление базы rб = 1200 Ом, rк = 700 кОм, ток эмиттера Iэ = 2 мА, резонансная частота равна 500 кГц, емкость контура С = 5000 пФ. Коэффициент включения со стороны транзистора и нагрузки mк = mн = 1, собственная добротность контура Q = 40, сопротивление нагрузки Rн = 1 кОм.
Решение. Определяем необходимую индуктивность катушки:
мкГн.
Сопротивление потерь в контуре
Ом.
Находим резонансное сопротивление контура:
Ом.
Выходное сопротивление транзистора в схеме с ОЭ
кОм.
Определяем эквивалентное сопротивление контура:
См.
Ом.
Рассчитываем эквивалентную добротность схемы:
сопротивление
Ом.
Усиление на резонансной частоте находим из выражения :
.
В тех случаях, если необходимо рассчитать амплитудно-частотную и фазочастотную характеристики усилителя, можно воспользоваться выражениями, приведенными в подразделе 4.7 или в соответствующих литературных источниках.
