6.2. Задачи

ЗАДАЧА 1. Рассчитать симметричный автоколебательный мультивибратор со следующими параметрами: амплитуда положительного импульса 10 В, длительность переднего фронта , длительность заднего фронта , частота следования F = 10 кГц.

ЗАДАЧА 2. Рассчитать автоколебательный мультивибратор по схеме с фиксацией коллекторных потенциалов, если E_ф = 8 В; E = 12 В. Остальные данные, как в задаче 1. Найти t_ф1, t_ф2 и амплитуду импульса.

ЗАДАЧА 3. Рассчитать автоколебательный мультивибратор при следующих условиях: t_и = 10 мкс, t_п = 2t_и, амплитуда импульса – 12 В.

ЗАДАЧА 4. Рассчитать автоколебательный мультивибратор на основе ОУ, если t_и = t_п =  с. Амплитуда отрицательного и положительного перепада .

ЗАДАЧА 5. Изобразить схему несимметричного мультивибратора на основе ОУ. Нарисовать временные диаграммы и объяснить работу данной схемы.

ЗАДАЧА 6. Используя заданный логический элемент «И-НЕ», построить схему мультивибратора и рассчитать ее элементы, если длительность периода следования импульса , амплитуда 5 В.

6.3. Пример расчета мультивибраторов

Рассчитать автоколебательный мультивибратор со следующими параметрами: период следования время паузы

Решение. Схема рассматриваемого мультивибратора аналогична приведенной на рис. 6.1. В ней используются транзисторы p-n-p типа, так как источник питания имеет отрицательную полярность.

1. Выбираем тип транзисторов из следующих условий:

.

Перечисленным условиям удовлетворяет p-n-p транзистор КТ203Б, для которого U_{кэ max} = 30 В; U_{бэ max} = 15 В;

2. Так как нагрузки мультивибратора не заданы, сопротивление резистора R_к определим из условия I_{к max} = 0,7 I_{к мах} .

Принимаем R_к = 1,5 кОм.

3. Сопротивление R_б найдем из условия обеспечения коэффициента насыщения s = 1,5

4. Емкости конденсаторов С1 и С2 определим из условия получения заданных длительностей паузы t_п и импульса t_и выходного напряжения. Найдем

С₁= ,

С₂= .

Принимаем: С₁=15 нФ; С₂=33 нФ.

5. Длительности фронтов выходного напряжения равны

6. Проверим схему с точки зрения подготовки к следующему переключению.

Для этого

Следовательно условие выполняется.

Более подробные теоретические сведения и расчетный материал можно найти в нижеперечисленных литературных источниках.

ЛИТЕРАТУРА

1. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. – М.: Энергия, 1977.

2. Дулин В.Н. Электронные приборы. ‑ М.: Энергия, 1977.

3. Манаев Е.И. Основы радиоэлектроники. ‑ М.: Радио и связь, 1985.

4. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника: Учеб. Пособие для вузов. ‑ М.: Высш. шк., 1991.

5. Титце У., Шенк. К. Полупроводниковая схемотехника. ‑ М.: Мир, 1982.

6. Опадчий Ю.Ф. и др. Аналоговая и цифровая электроника: Учебник для вузов. – М.: Горячая линия – Телеком, 1999.

7. Миловзоров В.П. Элементы информационных систем. – М: Высш. шк., 1989.

8. Буга М.Н., Фалько А.И., Чистяков Н.И. Радиоприемные устройства. ‑ М.: Радио и связь, 1986.

9. Изъюрова И.Г. и др. Расчет электронных схем. ‑ М.: Высш. шк., 1987.

10. Волович Г.И. Схемотехника аналоговых и аналогово-цифровых устройств. – М.: Изд. дом «Додека – XXI», 2005.

11. Бойко В.И. и др. Схемотехника электронных систем. Аналоговые и импульсные устройства. – СПб.: БХВ ‑ Петербург, 2004.

12. Преснухин Л.Н. и др. Расчет элементов цифровых устройств. – М.: Высшая школа, 1991.

13. Лачин В.И., Савелов Н.С. Электроника: Учеб. пособие. 3-е изд. перераб. и доп. – Ростов н/Д: Феникс, 2002.

14. Дробот С.В., Мельников В.А., Путилин В.Н., Практикум по курсу «Электронные приборы» для студентов всех специальностей БГУИР дневной и вечерней форм обучения. – Мн.: БГУИР, 2003.

15. Ткаченко Ф.А. Техническая электроника. – Мн: Дизайн ПРО,2000.

16. Валенко В.С., Хандогин М.С. Электроника и микросхемотехника. –Мн: Беларусь, 2000.

17. Ерофеев Ю.Н, Импульсная техника:Учеб.пособие.− М.; Высш.шк.,1989.

18. Атаев Д.И., Болотников В.А. Аналоговые интегральные схемы для бытовой радиоаппаратуры. Справочник. –М: Издательство МЭИ, 1991.

19. Цифровые интегральные микросхемы. Справочник. М.И Богданович, И.Н. Грель, С.А. Дубина и др. ‑ Мн.: Полымя, 1996.

20. Полупроводниковые приборы и транзисторы. Справочник. Под ред. Н.Н. Горюнова. ‑ М.: Энергоиздат, 1986.

21. Галкин В.И. и др. Полупроводниковые приборы: Транзисторы широкого применения: Справочник. – Мн.: Беларусь, 1995.

22. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник. Под ред. Б.Л. Перельмана. ‑ М.: Радио и связь, 1981.

ПРИЛОЖЕНИЕ

Связь между параметрами электронных приборов

1. Связь между параметрами четырехполюсника

Параметр	Выражение через параметры других систем		Параметр	Выражение через параметры других систем
Z11			Y21
Z12			Y22
Z21			H11
Z22			H12
Y11			H21
Y12			H22

Примечания: ; ;

.

2. Связь между h‑параметрами и физическими параметрами транзистора

Параметр	Выражение через физические параметры
	схема с ОБ	схема с ОЭ	схема с ОК
h11
h12			−1
h21
h22

3. Связь между h‑параметрами трех схем включения

Схема с ОБ	Схема с ОЭ	Схема с ОК
h11б
h12б
h21б
h22б

4. Другие выражения:

;

; ;

;

; ;

; .

5. Некоторые физические константы :

- скорость света в вакууме

- электрическая постоянная

- заряд электрона

- масса покоя электрона

- постоянная Больцмана

- постоянная Планка

50