2.4. Задачи
ЗАДАЧА 1. Изобразить схемы включения транзистора с ОБ для транзисторов типов p-n-p. Показать полярности питающих напряжений и направления токов в электродах для случаев работы транзистора:
а) в активном режиме;
б) в режиме отсечки;
в) в режиме насыщения;
г) в инверсном режиме.
ЗАДАЧА 2. Транзистор типа p-n-p включен по схеме с ОЭ (рис. 2.2 б). В каком режиме работает транзистор, если:
а) Uбэ= -0,4 В и Uкэ= -0,3 В;
б) Uбэ= -0,4 В и Uкэ= -10 В;
в) Uбэ=0,4 В и Uкэ= -10 В.
ЗАДАЧА 3. То же, что и задача 1, только для транзистора n-p-n.
ЗАДАЧА 4. Для транзистора заданного типа по семейству входных и выходных характеристик рассчитать h-параметры в заданной точке.
Рис. 2.2 а
ЗАДАЧА 5. Для заданного типа транзистора, используя справочные данные, построить на семействе выходных характеристик области активного режима, режимов насыщения и отсечки.
ЗАДАЧА 6. Используя справочные входную и выходную характеристики заданного транзистора, включенного с общим эмиттером, определить входное и выходное сопротивления по постоянному и переменному токам.
ЗАДАЧА 7. Используя семейство выходных характеристик заданного транзистора для схемы с общим эмиттером, определить значения коэффициентов усиления тока базы при нескольких заданных значениях напряжения Uкэ (например, Uкэ = 5; 10; 15 В) и тока базы Iб. Построить зависимость h21э = f(Uкэ).
ЗАДАЧА
8. Для
транзистора типа КТ312, включенного с
ОЭ, при напряжении Uкэ = 5
В, рассчитать выходные сопротивления
(либо параметр h22э)
для нескольких значений тока коллектора
и построить график
(
).
ЗАДАЧА 9. Для заданного типа транзистора построить на его выходных характеристиках нагрузочную прямую при заданных Ек и Rк.
ЗАДАЧА 10. Используя справочные данные и статические характеристики заданного транзистора, рассчитать параметры физической Т-образной эквивалентной схемы в заданной рабочей точке.
ЗАДАЧА 11. По заданным значениям Rк и Ек построить нагрузочную прямую для конкретного типа транзистора (схема с ОЭ). Для различных точек нагрузочной прямой рассчитать коэффициент передачи тока h21э. Построить график h21э = f(Iб).
ЗАДАЧА 12. Предельная частота для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, равна 10 МГц. Рассчитать предельную частоту для схемы с общей базой, если коэффициент передачи тока |h21б| = 0,98.
ЗАДАЧА 13. Для заданного типа транзистора по его справочным данным построить кривую допустимой мощности и определить область безопасных режимов работы.
ЗАДАЧА 14. Для транзистора с максимально допустимой мощностью рассеяния на коллекторе Pк max = 250 мВт и максимально допустимым током Iк max = 20 мА определить наименьшее допустимое значение Rк, если Uип = 10 В.
ЗАДАЧА 15. Учитывая, что по определению крутизна электронного прибора есть отношение приращения выходного тока к приращению входного напряжения, рассчитать крутизну заданного биполярного транзистора в конкретной рабочей точке, используя его статические характеристики.
3. Полевые транзисторы
3.1. Методические указания
При подготовке к занятиям рекомендуется изучить соответствующие темы:
1. Принцип работы и основные статические характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
Принцип работы и статические характеристики полевого транзистора МДП-структуры с индуцированным каналом.
Принцип работы и статические характеристики полевого транзистора МДП-структуры со встроенным каналом.
Малосигнальные параметры полевых транзисторов.
Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
Предельные и эксплуатационные данные полевых транзисторов.