2.2 Биполярные транзисторы

2.2.1 Маломощный транзистор s8050 (n-p-n)

Рис. 8. Чертёж корпуса.

S8050(D) — кремниевый высокочастотный биполярный транзистор малой мощности n-p-n–проводимости.

Таблица 4. Предельно-допустимые режимы эксплуатации транзистора S8050

Номер технических условий	ЖКЗ.365.200 ТУ/02
Максимальное напряжение К-Б при заданном обратном токе и разомкнутой цепи Э (Uкбо макс), В	40
Максимальное напряжение К-Э при заданном токе К и заданном сопротивлении в цепи Б-Э (Uкэr макс), В	25
Максимально допустимый ток К (Iк макс), А	1,5
Максимальная рассеиваемая мощность К ( Pк), Вт	1
Температура перехода (Tj), °C	120

Была снята входная характеристика I_б = f(U_бэ).

Рис.9. Входные характеристики транзистора S8050

Рис.10. Выходные характеристики транзистора S8050

Если проведем прямые через линейные участки характеристик до пересечения с осью Uкэ, то графически получим значение напряжения Эрли, равное: Uэрли = - 30,5 B

Рис.11. Выходные характеристики транзистора

Теперь напряжение Эрли определим теоретически, по формуле:

Uкэ1, В	1
Uкэ2, В	1,5
Iк1, мА	0,45
Iк2, мА	0,457

получим: U_Эрли = - 31,4B

Далее построены графики прямых передаточных характеристик Iк=f(Iб) и В=f(Iк), где В= Iк/Iб – статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером, рассчитанные по выходным характеристикам, снимались при постоянной разности потенциалов коллектор эмиттер, Uкэ = 1 В.

Рис.12. Передаточная характеристика

Рис.13. Зависимость B от тока коллектора

Для определения коэффициентов неидеальности и токов насыщения транзистора и диода Б-Э, были построены в полулогарифмическом масштабе графики . I₀=1A

Входная характеристика в полулогарифмическом масштабе

Рис.14. Зависимость тока базы от напряжения Б-Э

Рис.15. Зависимость тока коллектора от напряжения Б-Э

Графически определим ток насыщения диода база-эмиттер и ток насыщения транзистора. Для чего продлим кривые до пересечения осью ln(Ik),ln(Ib).

Найдём коэффициент неидеальности и ток насыщения эмиттерного перехода:

.

..

Проверим полученные результаты в 2 точках с помощью модели Эберса-Молла

Найдем коэффициент неидеальности и ток насыщения коллектора транзистора:

1,09

Найдем последовательное сопротивление базы и коллектора по прямым характеристикам их p-n переходов:

Таблица 5. Параметры модели для биполярного транзистора n-p-n типа

Параметры модели для биполярного транзистора n-p-n (p-n-p) типа	Значение параметра
Ток насыщения диода Б-Э, А
Коэффициент неидеальности диода Б-Э
Ток насыщения коллектора транзистора (для модели Эберса-Молла), А
Коэффициент неидеальности транзистора (для модели Эберса-Молла)	1,09
Напряжение Эрли (для модели Гуммеля-Пуна), В	-31,4
Ток коллектора, при котором на ступает спад h21э	-
Последовательное сопротивление базы, Ом	0,85
Последовательное сопротивление коллектора, Ом	50