2.2.2 Транзистор средней мощности bc32725 (p-n-p)

Рис.16 Цоколевка и внешний вид транзистора BC32725

Таблица 6 Характеристики транзистора

Параметры	Значения
Название	BC32725
Материал	Si
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора:	25 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb)	50 В
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора	45 В
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb)	5 В
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max)	0.5 А
Предельная температура p-n перехода (Tj)	150°С
Тип корпуса	TO-92

Была снята входная характеристика I_б = f(U_бэ) при U_кэ = 0 и U_кэ = 5 В.

Рис. 18. Входные характеристики транзистора BC32725 без нагрузки и с нагрузкой Uкэ = 5В.

Рис.19. Выходные характеристики ВАХ транзистора BC32725

Рис.20. Семейство выходных характеристик ВАХ транзистора ВС32725.

По рис.20. найдем напряжение Эрли.

Графически напряжение Эрли составляет 16 В.

Теперь проверим напряжение Эрли теоретически.

Далее построены передаточная характеристика в активном режиме I_k=f(I_б) и B=f(I_k) при U_кэ=5В.

Рис.21.Зависимость тока коллектора от тока базы.

Рис.22. Зависимость β от тока коллектора.

Из характеристики приведенной на рис.22. найдем ток коллектора при котором наступает спад Iк = 3,2 мА.

Для определения коэффициентов неидеальности и токов насыщения транзистора и диода Б-Э, построим в полулогарифмическом масштабе графики

Рис.23. Зависимость тока коллектора от напряжения эмиттер-база в полулогарифмическом.

Найдём коэффициент неидеальности и ток насыщения эмиттерного перехода:

.

..

Проверим полученные результаты в 2 точках с помощью модели Эберса-Молла

Теоретически результаты хорошо согласуются с экспериментальными.

Найдем коэффициент неидеальности и ток насыщения коллектора транзистора:

1,678

Проверим полученные результаты в 2 точках с помощью модели Эберса-Молла

Найдем последовательное сопротивление базы и коллектора по прямым характеристикам их p-n переходов:

Таблица 7 Параметры модели транзистора BC32725

Параметры модели для биполярного транзистора n-p-n типа	Значение параметра
Ток насыщения диода Б-Э, А
Коэффициент неидеальности диода Б-Э
Ток насыщения коллектора транзистора (для модели Эберса-Молла), А
Коэффициент неидеальности транзистора (для модели Эберса-Молла)	1,678
Напряжение Эрли, В
Ток коллектора, при котором наступает спад, мА	3,2
Последовательное сопротивление базы, Ом	1.5
Последовательное сопротивление коллектора, Ом	50
Степень легирования базы (напряжение обратимого пробоя эмиттерного p-n перехода)	9,8 В
Степень легирования коллектора (напряжение обратимого пробоя коллекторного p-n перехода)	В)