2.3 Полевой транзистор irfz44n

Рис. 24. Чертёж корпуса.

Кремниевый диффузионно-планарный транзистор с управляющим p-n переходом и каналом n-типа.

Таблица 8. Технические характеристики полевого транзистора IRFZ44N

Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса, А	41
Максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и стоком (Uзс), В	20
Максимально допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком (Uси), В	60
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе (P), Вт	83

Рис.25. Выходная характеристика IRFZ44N

Строя график зависимости I_c=f(U_зи) при Ucи=5В, мы получаем кривую передаточной характеристики. Данная кривая пересекает ось напряжений затвор-исток в некоторой точке, которая и будет являться напряжением отсечки.

Рис. 26. Передаточная ВАХ транзистора. Определение напряжения отсечки

Рис. 27. Передаточная ВАХ транзистора I^(1/2)=f(U_зи). Определение напряжения отсечки

Построив линию тренда найдём значение напряжения отсечки

. (3.64В)

Используя выходные характеристики транзистора, определим коэффициент пропорциональности β, параметр модуляции длины канала λ .

Рассчитаем параметры модели по выходным характеристикам. Запишем систему уравнений:

(1)

(2)

(3)

(4)

Поделим первое уравнение на второе :

Полученное напряжение отсечки согласуется с измеренным экспериментально

Разделим (3) на (4) уравнения системы и выразим :

Теперь найдём :

Полученное напряжение отсечки согласуется с измеренным экспериментально

Таблица 9. Параметры статической математической модели полевого транзистора

Тип проводимости канала	Напряжение отсечки (пороговое напряжение), В	Коэффициент,	Коэффициент
N	3.8	0.014	2.319

ВЫВОДЫ

В ходе данной курсовой работы были освоены методы и приёмы измерения статических характеристик и идентификации по ним статических параметров. Были сняты основные характеристики диода 6А10, биполярных транзисторов 2SC2570, КТ626А и полевого транзистора IRF740, из которых определили основные параметры структурно-физических математических моделей диода, биполярных и полевого транзисторов. 

Все расчеты, необходимые для выполнения курсовой работы производились в математическом пакете MathCAD 14. Все графики строились в математическом пакете MathCAD 14 и программе Компас-3D. Рассогласование данных может быть обусловлено погрешностями измерительного оборудования, а также влиянием внешней среды на полупроводниковые приборы в процессе хранения и не соблюдением технических условий, несовершенством технологии изготовления прибора.

Список использованной литературы

1. Головатый Ю.П. Курс лекций по предмету «Твердотельная электроника». – Калуга, 2011

2. Зайончковский В.С., Головатый Ю.П. Методические указания к выполнению лабораторных работ по курсу «Твердотельная электроника». – Калуга, 2010

3. Электронный справочник радиолюбителя