- •2 Биполярные транзисторы.
- •3 Дифференциальные усилители переменного напряжения.
- •4 Полевые транзисторы.
- •Основные параметры и характеристики
- •6 Шумы в транзисторах.
- •7 Усилители с модуляцией и демодуляцией.
- •8 Параметры операционного усилителя.
- •11 Ограничители на полупроводниковых диодах.
- •9. Двухканальный усилитель на базе дифференциального усилителя.
- •10 Эквивалентная схема биполярного транзистора.
- •12 Параметрический стабилизатор напряжения.
- •14 Преобразователи сопротивления в напряжение.
- •15 Повторитель на операционном усилителе.
- •16 Схемы включения биполярных транзисторов.
- •17 Усилитель на полупроводниковом приборе.
- •18 Элементы диодно-транзисторной логики.
- •19 Элементы транзисторно-транзисторной логики.
- •20. Многовходовой сумматор-вычислитель на базе операционного усилителя
- •21 Усилитель с отрицательной обратной связью.
- •22. Интегральные микросхемы на биполярных транзисторах.
- •2 4 Основные параметры кварцевого резонатора..
- •25 Эквивалентная схема оу.
- •26 Триггеры на транзисторах.
- •27 Полупроводниковые стабилитроны и стабилизаторы напряжения.
- •28 Триггер Шмитта.
- •30.Полная частотная коррекция
- •31 Регистры
- •32 Инвертирующий усилитель
- •34 Неинвертирующий усилитель
- •35 Сумматоры ,основные понятия и определения
- •36 Преобразователи кодов, основные понятия и определения.
- •38 Селекторы-мультиплексоры.
- •41 Генераторы с кварцевой стабилизацией
- •42 Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •49 Шифраторы и дешифраторы.
- •56 Схема об.
- •57 Схема оэ.
- •58 Физика процесса в бпт.
- •59 Параллельное соединение стабилитронов.
- •60 Последовательное соединение стабилитронов.
- •62 Рабочий режим пд
- •63 Вахпд.
- •64 Переход метал-пп.
- •69 Рабочий режим бпт.
- •69 Физика процесса в пт
- •70.Схемы питания пт.
- •71 Физика процесса и устройства мдпт
- •73 Устройство и физика процесса в тиристорах.
- •74Туннельные диоды.
- •75.Типы пп резисторов, основные характеристики.
- •76 Составной транзистор, основные характеристики.
- •78 Приборы тлеющего разряда
- •7 9Фоторезисторы.
- •80 Фотодиоды.
- •81Фототранзисторы.
- •82.Светоизлучающие диоды.
- •83 Сравнение н-параметров об и оэ.
- •84Варикапы.
- •85 Фотоэлектронные умножители.
- •86 Фототиристоры.
- •87 Генератор пилообразного напряжения на тиристоре.
- •88 Приборы с гетерогенными переходами.
- •89 Цифро-аналоговые преобразователи.
- •45. Дифференциальный усилитель с оос.
- •43. Инструментальные дифференциальные усилители.
- •50. Инверторы на комплементарных транзисторах.
80 Фотодиоды.
Фотодиоды представляют собой полупроводниковые диоды, в которых используется внутренний фотоэффект. Световой поток управляет обратным током фотодиодов. Под воздействием света на электронно-дырочный переход и прилегающие к нему области происходит генерация пар носителей заряда, проводимость диода возрастает и обратный ток увеличивается. Такой режим работы называется фотодиодным (рис. 13.3). Вольт-амперные характеристики I =f(U) при Ф = const для фотодиодного режима . Если светового потока нет, то через фотодиод протекает обычный начальный обратный ток I0, который называют темновым. А под действием светового потока ток в диоде возрастает и характеристика располагается выше. Чем больше световой поток, тем больше ток. Повышение обратного напряжения на диоде незначительно увеличивает ток.
Имеются
несколько разновидностей фотодиодов.
У лавинных фотодиодов происходит лавине
размножение носителей в n-p
переходе и за счет этого в десятки раз
возрастает чувствительность. В фотодиодах
с барьером Шотки имеется контакт
полупроводника с металлом. Это диоды с
повышенным быстродействием. Улучшенными
свойствами обладают фотодиоды с
гетеропереходами.
81Фототранзисторы.
Значительно выше по сравнению с фотодиодами интегральная чувствительность у фототранзисторов. Биполярный фототранзистор представляет собой обычный транзистор, но в корпусе его сделало прозрачное «окно», через которое световой поток может воздействовать на область базы. Схема включения биполярного фототранзистора типа р — п — р со «свободной», т. е. никуда не включенной, базой, приведена на рис. 13.10, Как обычно, на эмиттерном переходе напряжение прямое, а на коллекторном — обратное. Фотоны вызывают в базе генерацию пар носителей заряда — электронов и дырок. Они диффундирую! к коллекторному переходу, в котором происходит их разделение так же, как и в фотодиоде. Дырки под действием поля коллекторного перехода идут из базы в коллектор и увеличивают ток коллектора. А электроны остаются в базе и повышают прямое напряжение эмиттерного перехода, что усиливает инжекцию дырок в этом переходе в этом переходе. За счет этого дополнительно увеличивается ток коллектора. В транзисторе типа п — р — п все происходит аналогично. Параметры фототранзисторов — интегральная чувствительность, рабочее напряжение (10—15 В), темновой ток (до сотен микроампер), рабочий ток (до десятков миллиампер), максимальная допустимая рассеиваемая мощность (до десятков милливатт), граничная частота.
82.Светоизлучающие диоды.
В качестве малоинерционных полупроводниковых источников излучения все шире применяются светоизлучаю-щие диоды (светодиоды), работающие при прямом напряжении. Иногда их называют инжекционными светодиода-ми. А свечение, возникающее в свето-диодах, относят к явлению так называемой инжекционной электролюминесценции.
При
прямом напряжении
в полупроводниковом диоде
происходит инжекция носителей заряда
из эмиттерной области в область базы.
Например, если концентрация электронов
в n-области
больше, чем концентрация
дырок в р-области, т. е. пn
> > рр,
то
происходит инжекция электронов
из n-области
в р-область. Инжектированные
электроны рекомбинируют с
основными носителями базовой области,
в данном случае с дырками р-области.
Рекомбинирующие электроны переходят
с более высоких энергетических
уровней зоны проводимости, близких
к ее нижней границе, на более низкие
уровни, расположенные вблизи верхней
границы валентной зоны (рис.
13.15). При этом выделяется фотон, энергия
которого почти равна ширине запрещенной
зоны
W,
т.
е.
.
Основные параметры светодиодов следующие:
1. Сила света, измеряемая в канделах и указываемая для определенного значения прямого тока. У светодиодов сила света обычно составляет десятые юли или единицы милликандел. Напомним, что кандела есть единица силы света, испускаемого специальным стандартным источником.
2. Яркость, равная отношению силы света к площади светящейся поверхности. Она составляет десятки — сотни кандел на квадратный сантиметр.
3. Постоянное прямое напряжение 2-3 В).
4. Цвет свечения и длина волны, соответствующие максимальному световому потоку.
5. Максимальный допустимый постоянный прямой ток. Обычно он составляет десятки миллиампер.
6. Максимальное допустимое постоянное обратное напряжение (единицы вольт).
7. Диапазон температур окружающей среды,
Важной характеристикой является диаграмма направленности излучения, которая определяется конструкцией диода, в частности наличием линзы, и другими факторами. Излучение может быть направленным или рассеянным (диффузным).
