- •2 Биполярные транзисторы.
- •3 Дифференциальные усилители переменного напряжения.
- •4 Полевые транзисторы.
- •Основные параметры и характеристики
- •6 Шумы в транзисторах.
- •7 Усилители с модуляцией и демодуляцией.
- •8 Параметры операционного усилителя.
- •11 Ограничители на полупроводниковых диодах.
- •9. Двухканальный усилитель на базе дифференциального усилителя.
- •10 Эквивалентная схема биполярного транзистора.
- •12 Параметрический стабилизатор напряжения.
- •14 Преобразователи сопротивления в напряжение.
- •15 Повторитель на операционном усилителе.
- •16 Схемы включения биполярных транзисторов.
- •17 Усилитель на полупроводниковом приборе.
- •18 Элементы диодно-транзисторной логики.
- •19 Элементы транзисторно-транзисторной логики.
- •20. Многовходовой сумматор-вычислитель на базе операционного усилителя
- •21 Усилитель с отрицательной обратной связью.
- •22. Интегральные микросхемы на биполярных транзисторах.
- •2 4 Основные параметры кварцевого резонатора..
- •25 Эквивалентная схема оу.
- •26 Триггеры на транзисторах.
- •27 Полупроводниковые стабилитроны и стабилизаторы напряжения.
- •28 Триггер Шмитта.
- •30.Полная частотная коррекция
- •31 Регистры
- •32 Инвертирующий усилитель
- •34 Неинвертирующий усилитель
- •35 Сумматоры ,основные понятия и определения
- •36 Преобразователи кодов, основные понятия и определения.
- •38 Селекторы-мультиплексоры.
- •41 Генераторы с кварцевой стабилизацией
- •42 Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •49 Шифраторы и дешифраторы.
- •56 Схема об.
- •57 Схема оэ.
- •58 Физика процесса в бпт.
- •59 Параллельное соединение стабилитронов.
- •60 Последовательное соединение стабилитронов.
- •62 Рабочий режим пд
- •63 Вахпд.
- •64 Переход метал-пп.
- •69 Рабочий режим бпт.
- •69 Физика процесса в пт
- •70.Схемы питания пт.
- •71 Физика процесса и устройства мдпт
- •73 Устройство и физика процесса в тиристорах.
- •74Туннельные диоды.
- •75.Типы пп резисторов, основные характеристики.
- •76 Составной транзистор, основные характеристики.
- •78 Приборы тлеющего разряда
- •7 9Фоторезисторы.
- •80 Фотодиоды.
- •81Фототранзисторы.
- •82.Светоизлучающие диоды.
- •83 Сравнение н-параметров об и оэ.
- •84Варикапы.
- •85 Фотоэлектронные умножители.
- •86 Фототиристоры.
- •87 Генератор пилообразного напряжения на тиристоре.
- •88 Приборы с гетерогенными переходами.
- •89 Цифро-аналоговые преобразователи.
- •45. Дифференциальный усилитель с оос.
- •43. Инструментальные дифференциальные усилители.
- •50. Инверторы на комплементарных транзисторах.
9. Двухканальный усилитель на базе дифференциального усилителя.
AD8270 и AD8273 - это высокоскоростные двухканальные прецизионные дифференциальные усилители с низким искажением сигнала, сконструированные для областей применения, где требуется производить быстрые и точные измерения, не жертвуя качеством сигнала, таких как авиационная электроника, оборудование для управления технологическими процессами и высококлассная звуковая аппаратура.
Дифференциа́льный усили́тель — электронный усилитель с двумя входами, выходной сигнал которого равен разности входных напряжений, умноженной на константу. Применяется в случаях, когда необходимо выделить небольшую разность напряжений на фоне значительной синфазной составляющей.
Выходной сигнал дифференциального усилителя может быть как однофазным, так и дифференциальным. Это определяется схемотехникой выходного каскада.
Схема инструментального дифференциального усилителя на базе ОУ
Следует использовать дифференциальные усилители всегда, когда возможно наличие синфазных помех в сигнале. Например, при измерении электрических потенциалов, снимаемых с определённых точек живого организма: при снятии электрокардиограммы, электроэнцефалографии и подобных методах исследования. Обычно необходимо также использовать специальные линии передачи сигналов, например, экранированную двухпроводную линию для передачи сигнала с микрофона (применяется, например, в линиях с разъёмом XLR).
10 Эквивалентная схема биполярного транзистора.
Эквивалентные схемы применяются для анализа цепей, содержащих транзисторы.
Исходя из того, что биполярный транзистор есть совокупность двух встречно включенных взаимодействующих p-n-переходов, его можно представить в виде эквивалентной схемы на постоянном токе, показанной на рисунке 16, и представляющую собой физическую модель транзистора.
Рисунок 16 – Эквивалентная схема транзистора в виде модели Эберса–Молла
Эквивалентная схема биполярного транзистора на постоянном токе, являющаяся нелинейной физической моделью биполярного транзистора, называется моделью Эберса–Молла. Представленная модель характеризует только активную область транзистора, не учитывая его пассивную (паразитную) область. Отображение пассивной области базы и коллектора за счет введения в эквивалентную схему соответствующих резисторов сильно усложнило бы ее использование, а сама схема потеряла бы свою наглядность. Модель Эберса–Молла хорошо отражает обратимость транзистора – принципиальную равноправность обоих его переходов.
11 Ограничители на полупроводниковых диодах.
О
граничитель
в электронной технике, устройство,
обеспечивающее постоянство уровня
выходного напряжения при значениях
входного напряжения, выходящих за предел
т. н. порога ограничения. О. широко
используют в импульсной технике для
формирования и преобразования импульсов,
в устройствах радиовещания и многоканальной
связи для ограничения уровня сигналов
и т.д. Амплитудные О. обеспечивают
заданный предельный уровень амплитуды
основного колебания (первой гармоники);
О. мгновенных значений «срезают» выбросы
колебаний любой формы. Действие О.
основано на резком изменении проводимости
нелинейного элемента (транзистора,
полупроводникового диода, электронной
лампы и др.) после того, как амплитуда
(или мгновенное значение) входного
напряжения достигла порога ограничения;
благодаря этому дальнейший рост амплитуды
(или мгновенного значения) выходного
напряжения прекращается (рис.).
Различают О. одностороннего (только с
верхним либо только с нижним порогом
ограничения) и двустороннего действия.
Принципиальная схема ограничителя и
графики, поясняющие его работу: А —
рабочая характеристика ограничителя;
Б — эпюра входного напряжения Uвх;
В — эпюра выходного напряжения Uвых;
Uoн
и Uов
— напряжения источников эдс в цепях
диодов, определяющие соответственно
нижний и верхний пороги ограничения;
Uн
и Uв
— нижний и верхний уровни ограниченного
напряжения; Uмг
— мгновенное значение амплитуды
колебаний; а—б — линейный участок
характеристики ограничителя; R
— ограничительный резистор; Rн
— нагрузочный (выходной) резистор; D1
и D2
— полупроводниковые диоды.
