- •2 Биполярные транзисторы.
- •3 Дифференциальные усилители переменного напряжения.
- •4 Полевые транзисторы.
- •Основные параметры и характеристики
- •6 Шумы в транзисторах.
- •7 Усилители с модуляцией и демодуляцией.
- •8 Параметры операционного усилителя.
- •11 Ограничители на полупроводниковых диодах.
- •9. Двухканальный усилитель на базе дифференциального усилителя.
- •10 Эквивалентная схема биполярного транзистора.
- •12 Параметрический стабилизатор напряжения.
- •14 Преобразователи сопротивления в напряжение.
- •15 Повторитель на операционном усилителе.
- •16 Схемы включения биполярных транзисторов.
- •17 Усилитель на полупроводниковом приборе.
- •18 Элементы диодно-транзисторной логики.
- •19 Элементы транзисторно-транзисторной логики.
- •20. Многовходовой сумматор-вычислитель на базе операционного усилителя
- •21 Усилитель с отрицательной обратной связью.
- •22. Интегральные микросхемы на биполярных транзисторах.
- •2 4 Основные параметры кварцевого резонатора..
- •25 Эквивалентная схема оу.
- •26 Триггеры на транзисторах.
- •27 Полупроводниковые стабилитроны и стабилизаторы напряжения.
- •28 Триггер Шмитта.
- •30.Полная частотная коррекция
- •31 Регистры
- •32 Инвертирующий усилитель
- •34 Неинвертирующий усилитель
- •35 Сумматоры ,основные понятия и определения
- •36 Преобразователи кодов, основные понятия и определения.
- •38 Селекторы-мультиплексоры.
- •41 Генераторы с кварцевой стабилизацией
- •42 Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •49 Шифраторы и дешифраторы.
- •56 Схема об.
- •57 Схема оэ.
- •58 Физика процесса в бпт.
- •59 Параллельное соединение стабилитронов.
- •60 Последовательное соединение стабилитронов.
- •62 Рабочий режим пд
- •63 Вахпд.
- •64 Переход метал-пп.
- •69 Рабочий режим бпт.
- •69 Физика процесса в пт
- •70.Схемы питания пт.
- •71 Физика процесса и устройства мдпт
- •73 Устройство и физика процесса в тиристорах.
- •74Туннельные диоды.
- •75.Типы пп резисторов, основные характеристики.
- •76 Составной транзистор, основные характеристики.
- •78 Приборы тлеющего разряда
- •7 9Фоторезисторы.
- •80 Фотодиоды.
- •81Фототранзисторы.
- •82.Светоизлучающие диоды.
- •83 Сравнение н-параметров об и оэ.
- •84Варикапы.
- •85 Фотоэлектронные умножители.
- •86 Фототиристоры.
- •87 Генератор пилообразного напряжения на тиристоре.
- •88 Приборы с гетерогенными переходами.
- •89 Цифро-аналоговые преобразователи.
- •45. Дифференциальный усилитель с оос.
- •43. Инструментальные дифференциальные усилители.
- •50. Инверторы на комплементарных транзисторах.
12 Параметрический стабилизатор напряжения.
К
ачество
работы электронной схемы в значительной
степени определяется стабильностью
источников питания. Напряжение питания
должно оставаться постоянным при
колебаниях напряжения и частоты сети,
изменениях нагрузки, а также при
колебаниях температуры, влажности и
давления окружающей среды и т. д. Для
обеспечения постоянства напряжения на
сопротивлении нагрузки применяют
стабилизаторы напряжения. Для этого
между выпрямителем и сопротивлением
нагрузки (при стабилизации постоянного
напряжения) включают стабилизатор
напряжения. При стабилизации переменного
напряжения стабилизатор включают между
источником переменного тока и выпрямителем.
Существующие стабилизаторы могут быть
разделены на два класса: параметрические
и компенсационные. В параметрических
стабилизаторах
напряжения стабилизация основана на
нелинейной зависимости между током и
напряжением, благодаря чему напряжение
остается постоянным при изменении тока
в некотором диапазоне его значений.
Наибольшее распространение получили
стабилизаторы постоянного напряжения.
Основные их преимущества – простота
конструкций, небольшое количество
элементов и высокая надежность, а
недостатки – низкие коэффициент
стабилизации (менее 25) и КПД, малые токи
стабилизации, а также узкий и нерегулируемый
диапазон стабилизируемого напряжения.
П
ростейшая
схема параметрического стабилизатора
напряжения, выполненного на стабилитроне,
приведена на рисунке 1. Схема содержит
балластное (ограничительное) сопротивление
Rб
(это сопротивление является функционально
необходимым элементом), сопротивление
нагрузки Rн
и полупроводниковый стабилитрон VD.
Нагрузка подключена параллельно
стабилитрону. Поэтому в режиме
стабилизации, когда напряжение на
стабилитроне почти постоянным, такое
же и напряжение будет и на нагрузке. Все
изменения напряжения источника при его
нестабильности почти полностью
поглощаются балластным сопротивлением.
Принцип действия параметрического
стабилизатора постоянного напряжения
поясняется путем совместного анализа
ВАХ стабилитрона и балластного
сопротивления, представленных на рисунке
2. Входное постоянное напряжение схемы
равно Uвх1,
а ток стабилитрона составляет Iст1.
Для упрощение предположим, что нагрузка
отключена (Rн = ∞).
Тогда выражение, аналитически описывающее
положение балластного сопротивления
Rб
(линия 1), запишется следующим образом:
Uвх1 = Uвых1 + Iст1Rб.
Если входное напряжение увеличится на
величину Uвх
и станет равным Uвх2,
то характеристика балластного
сопротивления займет положение линии
2, что соответствует выходному напряжению
Uвых2
и току стабилизацииIст2.
Как видно из рисунка 2, выходное напряжение
останется почти неизменным, а приращение
входного Uвх
выделиться на балластном сопротивлении
Rб.
Аналогичная картина будет иметь место
при уменьшении входного напряжения
(при условии, что это уменьшение не вышло
из пределов стабилизации): в этом случае
снизится падение напряжения на балластном
сопротивлении.
1
3
Полупроводниковый
диод –
полупроводниковый прибор с одним
выпрямляющим электрическим переходом
и двумя выводами, в котором используется
то или иное свойство выпрямляющего
перехода.
В
качестве выпрямляющего электрического
перехода используется электронно-дырочный
переход (p-n-переход),
разделяющий p-
и n-области
кристалла полупроводника (также в
качестве выпрямляющего электрического
перехода может использоваться выпрямляющий
переход металл-полупроводник). К p-
и n-областям
кристалла привариваются или припаиваются
металлические выводы (называются анодом
и катодом
соответственно), и вся система заключается
в металлический, металлокерамический,
стеклянный или пластмассовый корпус.
В условном графическом обозначении полупроводникового диода треугольник является анодом, черточка – катодом. Прямой ток проходит тогда, когда анод имеет положительный потенциал относительно катода. Следовательно, треугольник нужно рассматривать как острие стрелки, показывающей условное направление прямого тока. Именно в этом направлении при прямом токе движутся дырки, электроны же движутся в противоположном направлении.
1) Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов.
Классификация диодов производится по следующим признакам:
По конструкции: плоскостные диоды; точечные диоды; микросплавные диоды.
По мощности: маломощные; средней мощности; мощные.
По частоте: низкочастотные; высокочастотные; СВЧ.
По функциональному назначению: выпрямительные диоды; импульсные диоды; стабилитроны; варикапы; светодиоды; тоннельные диоды и так далее.
Условное обозначение диодов подразделяется на два вида: - маркировка диодов;
- условное графическое обозначение (УГО). По старому ГОСТу все диоды обозначались буквой Д и цифрой, которая указывала на электрические параметры, находящиеся в справочнике.
К основным параметрам ППД относятся:
Максимально допустимый прямой ток; Прямое падение напряжения на диоде при максимальном прямом токе; Максимально допустимое обратное напряжение; Обратный ток при максимально допустимом обратном напряжении; Прямое и обратное статическое сопротивление диода при заданных прямом и обратном напряжениях; Прямое и обратное динамическое сопротивление диода.
