- •1.1 Классификация передатчиков
- •1.2. Требования к выходным сигналам и параметрам передатчика
- •1.3. Структурные схемы передатчиков
- •1.4. Структурные схемы основных функциональных узлов и общие сведения о них
- •2.1. Статические характеристики активных элементов
- •2.2. Классификация режимов активных элементов в усилителях мощности
- •2.3. Гармонический анализ косинусоидальных импульсов
- •2.4. Другие формы импульсов тока и их гармонический анализ
- •2.5. Нелинейная модель биполярного транзистора и аппроксимация ее характеристик
- •2.6. Формы токов биполярного транзистора с учетом его инерционности при возбуждении от источника напряжения
- •2.7. Гармонический анализ токов. Расчет у-параметров транзистора в режиме большого сигнала
- •2.8. Гармонический анализ токов и напряжений в биполярном транзисторе при возбуждении от
- •§ 2.7, Выражаем комплексные амплитуды первых гармоник напряжения на входе и тока на выходе ik1 ( через комплексные амплитуды тока базы и напряжения на коллекторе :
- •3.1. Задачи проектирования и реализации
- •3.2. Выбор режима активного элемента в усилителе мощности
- •3.3. Выбор активного элемента для усилителя
- •3.4. Выбор угла отсечки
- •3.5. Расчет усилителя в критическом режиме на заданную мощность в нагрузке
- •3.6. Нагрузочные характеристики усилителя мощности
- •3.7. Влияние амплитуды напряжения возбуждения, питающих напряжений и температуры на режим усилителя мощности
- •3.8. Простые цепи согласования в усилителях мощности
- •3.9. Оценка фильтрации высших гармоник
- •3.10. Учет потерь в простых цепях согласования и общий кпд коллекторной цепи
- •§ 3.8 Уже было
- •3.11. Принципиальные схемы усилителей мощности
- •4.1. Общие соотношения при амплитудной
- •4.2. Модуляция смещением
- •4.3. Усиление модулированных колебаний
- •4.4. Коллекторная модуляция
- •4.5. Комбинированная коллекторная модуляция
- •4.6. Расчет усилителя мощности при коллекторной
- •4.7. Схемы выходных каскадов при коллекторной и комбинированной модуляции
- •5.1. Общие сведения
- •5.2. Параллельное включение активных элементов
- •5.3. Двухтактное включение активных элементов
- •5.4. Мостовое включение активных элементов
- •6.1. Общие сведения о ключевых
- •6.2. Двухтактный кум с переключением напряжения на биполярных транзисторах
- •6.3. Порядок расчета двухтактного кум
- •6.4. Однотактные кум
- •6.5. Расчет режима транзистора в однотактном кум
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Основные уравнения автогенератора
- •7.2.1. Уравнения стационарного режима
- •7.2.2. Расчет частоты автоколебаний. Необходимое условие фазовой устойчивости стационарного режима
- •7.2.3. Расчет амплитуды автоколебаний. Условия амплитудной устойчивости
- •7.3. Расчет и обеспечение устойчивости стационарных колебаний в автогенераторе при кусочно-линейных вольт-амперных характеристиках активного элемента
- •7.3.1. Колебательные характеристики активного элемента с кусочно-линейными вольт-амперными характеристиками в автогенераторе
- •7.3.2. Стационарные режимы в автогенераторах с цепями автоматического смещения. Применение диаграмм срыва и диаграмм смещения для расчета стационарных режимов
- •7.3.3. Анализ устойчивости стационарных режимов в автогенераторах с автосмещением. Режимы прерывистой генерации и самомодуляции
- •7.3.4. Нагрузочные характеристики автогенератора
- •7.3.5. Подход к выбору и расчету режима автогенератора
- •7.4. Схемы автогенераторов
- •7.4.1. Принципы построения схем автогенераторов
- •7.4.2. Высокочастотная эквивалентная схема с идеальным трансформатором
- •7.4.3. Обобщенная трехточечная схема
- •7.4.4. Емкостная и индуктивная трехточки
- •7.4.5. Цепи питания, смещения и связи с нагрузкой в схемах автогенераторов
- •7.5. Регулировочные характеристики автогенераторов
- •7.6. Нестабильность частоты автоколебаний
- •7.7. Кварцевая стабилизация частоты
- •8.1. Основные характеристики радиосигналов с угловой модуляцией
- •8.2. Структурные схемы передатчиков с угловой модуляцией
- •8.3. Характеристики передатчиков с угловой модуляцией
- •8.4. Методы получения чм- и фм-сигналов
- •8.5. Частотная модуляция в автогенераторах с помощью варикапа
- •8.6. Модуляторы фазы
- •8.7. Интегральные генераторы, управляемые по частоте
- •9.1. Требования к синтезаторам частот
- •9.2. Структуры синтезаторов частот
- •9.3. Источники опорных высокостабильных колебаний
- •9.4 Цифровые вычислительные синтезаторы
- •9.5. Синтезаторы на основе кольца фазовой
- •9.6. Интегральные синтезаторы частот
- •10.1. Конструкция биполярных свч-транзисторов
- •10.1.1. Структура биполярных свч-транзисторов
- •10.1.2. Оксибериллиевый изолятори внутреннее устройство мощного бт свч
- •10.1.3. Паразитные индуктивности и емкости выводов
- •10.1.4. Специализация биполярных свч-транзисторов
- •10.2. Режимы и параметры биполярных транзисторов
- •10.2.1. Питающее напряжение
- •10.2.2. Отсечка тока в биполярных свч-транзисторах
- •10.2.3. Система параметров биполярных свч -транзисторов
- •10.2.4. Модель биполярного свч-транзистора
- •10.3. Свойства биполярных свч-транзисторов в схемах резонансных усилителей с общим эмиттером и общей базой
- •10.4. Схемы усилителей мощности на биполярных свч-транзисторах
- •10.5. Конструкции транзисторных свч-устройств
- •11.1. Общие сведения о пролетных клистронах
- •11.2. Принцип действия пролетного клистрона
- •11.3. Теория группирования
- •11.4. Характеристики пролетного клистрона и способы их улучшения
- •12.1. Общие сведения
- •12.2. Устройство и принцип действия лбв-о
- •12.3. Рабочие характеристики лбв-о
- •12.4. Лампы обратной волны
- •13.1. Общие сведения
- •13.2. Движение электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях
- •13.3. Структура поля и электронного потока при генерации свч-мощности
- •13.4.1. Коэффициент полезного действия
- •13.4. Характеристики и параметры магнетронных
- •13.4.2. Рабочие характеристики
- •13.4.3. Нагрузочные характеристики
- •13.5. Виды магнетронных автогенераторов и усилителей мощности
- •13.5.1. Основные сведения
- •13.5.2. Митрон — магнетрон, перестраиваемый по частоте напряжением
- •13.5.3. Амплитрон — магнетронный усилитель мощности
- •13.5.4. Генераторы на лампах бегущей и обратной волны типа м
- •13.6. Формирование модулированных колебаний в приборах типа м
- •14.1. Основные классы и области применения полупроводниковых диодных генераторов
- •14.2. Принцип действия и характеристики лавинно-пролетного диода
- •14.2.1. Общие сведения
- •14.2.2. Статический режим лпд
- •14.2.3. Понятие о слое умножения и пролетном
- •14.2.4. Пролетный режим лпд
- •14.3. Принцип действия и характеристики диода Ганна
- •14.3.1. Общие сведения
- •14.3.2. Механизм возникновения отрицательной проводимости в дг
- •14.3.3. Домены сильного поля. Динамика доменов
- •14.3.4. Режимы работы дг в генераторной схеме
- •14.4. Конструкции и эквивалентные схемы диодных генераторов
- •14.5. Управление колебаниями диодных генераторов
- •14.6. Способы повышения кпд диодных генераторов
- •Кулешов Валентин Николаевич, Удалов Николай Николаевич, Богачёв Вячеслав Михайлович, Белов Леонид Алексеевич, Коптев Глеб Иванович, Царапкин Дмитрий Петрович, Хрюнов Анатолий Васильевич
3.4. Выбор угла отсечки
Как отмечалось ранее, работа АЭ с отсечкой тока применяется прежде всего для повышения КПД коллекторной цепи
— коэффициент формы импульса тока. где g1 = I к1/ I к0 = α 1/α 0
В режиме класса А (при Θ = 180°) коэффициент формы g1( 180°) = 1, и при типичных значениях ζкр = 0,8...0,9 имеем КПД ηэ = 0,4...0,45. Переход к работе с углом отсечки Θ = 90° при той же полезной мощности Р1 = 0,5UнIк] приводит к увеличению КПД в g1(90°) = 1,57 раза, т.е. до значений ηэ = 0,63...0,71, и, что самое главное, мощность, рассеиваемая коллектором Ррас = [(1 - ηэ)/ ηэ]P1, снижается при этом в 2,6...2,9 раза.
Чтобы решить, насколько оправдано дальнейшее уменьшение Θ, рассмотрим зависимость основных энергетических показателей каскада от угла отсечки при заданной полезной мощности P1. Считаем, что при Θ = 90° требуемая полезная мощность меньше номинальной мощности АЭ, т.е. Р1 < [Р1]тах. Разрешив (3.4) относительно Jкp, найдем нормированную высоту импульса тока, необходимую для реализации заданной мощности Р1:
.
(3.6)
Сравнивая выражения Jкp = ек.э.min кр/Ек и ζкр = (Ек - ек.э. min кр)/Ек , приходим к простому соотношению
ζкр =1-J кp . (3.7)
Рис. 3.3, а иллюстрирует зависимость величин Jкp, ,ζкр , g1 и η э от Θ при условии, что Р1 = 0,5Р1mах при Θ = 90°, т.е.
Р1
=
Sкp
/32.
Из (3.6) следует, что нормированная высота
импульса тока Jкp
минимальна
при Θ = 120°, когда коэффициент α
1(120°)
= 0,536 максимален. При Θ, равном 180° и
90°, поскольку здесь α
1,
= 0,5, значения Jкp
и,
следовательно, ζ
кр
одинаковы и мало отличаются от их
экстремальных значений. При Θ < 75°
требуемое значение Jкp
резко
возрастает. Это объясняется тем, что
заданное значение Iк1
при уменьшении Θ может быть получено
только при увеличении высоты импульса
Фактически
же для поддержания постоянной
мощности Р1 ток Iк1 должен быть увеличен, чтобы скомпенсировать уменьшение ζкp и Uн, обусловленное ростом остаточного напряжения. Так как g1(Θ) при уменьшении Θ растет, график ηэ(Θ) имеет максимум, причем оптимальное значение Θопт лежит в пределах 50...75° и зависит от отношения заданной мощности Р1 к максимально возможной
Ясно, что при увеличении ηэ падает мощность, рассеиваемая на коллекторе. Однако, окончательно выбирая угол отсечки, следует иметь в виду, что при Θ < 75° резко увеличивается высота импульса тока и растет амплитуда возбуждения U6.э, что приводит к значительному увеличению обратного напряжения на эмиттерном переходе и, следовательно, к ограничениям по допустимым значениям iк.доп и еб.э. доп.
Кроме
того, одновременный рост U6.э
и Iб1
= Iк1
/ h21э
обусловливает резкое увеличение мощности
возбуждения (т.е. падение КР,
рис.
3.3, б). В результате рост мощности,
рассеиваемой во входной цепи, может
превысить выигрыш, связанный с повышением
КПД коллекторной цепи. Иными словами,
максимум общего КПД каскада
смещается относительного Θ
0ПТ
в сторону больших углов отсечки Θ =
70...90°. Эти углы отсечки и рекомендуется
выбирать при проектировании транзисторных
усилителей мощности. Аналогичные
рекомендации справедливы для ламповых
усилителей.
