Уровень в
1. По точкам пересечения нагрузочной линии MN с координатными осями M( 9 ) и N( 13,5 ) определите напряжение питания ЕК и сопротивление нагрузки RН усилителя с общим эмиттером.
2. Среди предложенных вариантов ВАХ динистора укажите ВАХ с верно выделенной областью открытого состояния (выбирать из устойчивых состояний).
Уровень С.
1.Нарисовать схему включения полевого транзистора (с общим истоком) с управляющим p-n переходом и каналом n-типа.
2. В семействе выходных характеристик тр-ра КТ301В по схеме с общим эмиттером (см. рис.): а).построить область допустимых значений, ограниченную справочными данными:
б).указать области, в которых транзистор находится в режиме насыщения и отсечки. в).определить величину коллекторного тока при напряжении на коллекторе14 В и токе базы 1,25 мА |
|
;
;
.
Челябинский радиотехнический техникум |
|
||
Экзаменационный билет № _10 |
|
||
комплексного экзамена по дисциплинам «Электронная техника» |
|
||
Для учащихся 1 курса зочного отделения всех специальностей |
|
||
«Рассмотрено» на заседании ЦК ОПД Председатель __________________Карпенко ЛА « ____ » «___________ » 2015г... |
|
«Утверждено» зам. Директора ____________Моторина Н.М. « ____ » «___________ » 2015г.. |
|
Уровень а.
1. К кристаллу p-типа подключен минус источника напряжения, к кристаллу n-типа подключен плюс источника напряжения. Какие носители заряда практически не смогут перейти через p-n переход?
a). отрицательные; |
b). положительные; |
c). основные; |
d). неосновные. |
2.Из представленных условно-графических обозначений полупроводниковых приборов укажите условно-графическое обозначение динистора и биполярного транзистора n-p-n типа
|
3. Среди предложенных вариантов маркировок полупроводниковых приборов укажите маркировку, принадлежащую кремниевому стабилитрону и полевому транзистору
a).КД104А; b).KС175А; |
c). КВ111Б d). АИ101А |
e). ГТ109А; f). АЛ301Б |
k). КП103М; m). 2Н104Б. |
n). КТ606А; p). 2У202Е |
4.Среди предложенных рисунков укажите вольт-фарадную характеристику варикапа.
|
5.Среди предложенных ВАХ укажите выходную ВАХ биполярного транзистора для схемы с обей базой.
|
6.Какая из предложенных схем является схемой электронной настройки колебательного контура с варикапом?
|
7. Среди предложенного набора формул укажите верную формулу для коэффициента усиления по току биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой.
a). |
b). |
c). |
d). |
8.Определите, где применяется полупроводниковый прибор, условное графическое обозначение которого изображено на предложенном рисунке.
|
|
9. Каково назначение цепочки резисторов R1 R2? a).для температурной стабилизации, b) обеспечивает режим смещения фиксированным током c).обеспечивает режим смещения фиксированным напряжением, d). обеспечивает только питание транзисторного каскада от одного источника энергии |
|
10.С какой точки схемы усилительного каскада снята нижняя осциллограмма ? |
|
