- •Уровень а.
- •Уровень в
- •Уровень а.
- •Уровень в
- •Уровень с
- •Уровень а.
- •4.Среди предложенных вах укажите входную вах биполярного транзистора для схемы с общим эмиттером.
- •Уровень в
- •Уровень с
- •Уровень а.
- •Уровень с
- •Уровень а.
- •Уровень в
- •Уровень с
- •Уровень а.
- •1. Кто является основными носителями заряда в кристалле германия с примесью алюминия (валентность 3)?
- •Уровень в
- •Уровень с
- •Уровень а.
- •1. К кристаллу p-типа подключен минус источника напряжения, к кристаллу n-типа подключен плюс источника напряжения. Какие носители заряда обеспечивают прохождение тока через p-n переход?
- •Уровень в
- •Вариант с
- •Уровень а.
- •Уровень в
- •Вариант с
- •Уровень а.
- •Уровень в
- •Уровень а.
- •Уровень в
- •Вариант с
Уровень в
1. По точкам пересечения нагрузочной линии MN с координатными осями M( 11 ) и N( 16,5 ) определите напряжение питания ЕК и сопротивление нагрузки RН усилителя с общим эмиттером.
2. Укажите ВАХ тиристора с верно выделенной областью малого положительного сопротивления.
|
3. Изобразить выходную осциллограмму на нагрузке. |
Вариант с
1. . Нарисовать схему включения МДП-транзистора (с общим истоком) с индуцированным каналом p-типа
2.
Определить выходное напряжение
коллектор-эмиттер, при котором ток
коллектора
,
если при выходном напряжении
ток коллектора
.
Ток базы считать постоянным. Выходная
проводимость для схемы с общим эмиттером
составила
.
Челябинский радиотехнический техникум |
|
||
Экзаменационный билет № _9 |
|
||
комплексного экзамена по дисциплинам «Электронная техника» |
|
||
Для учащихся 1 курса зочного отделения всех специальностей |
|
||
«Рассмотрено» на заседании ЦК ОПД Председатель __________________Карпенко ЛА « ____ » «___________ » 2015г... |
|
«Утверждено» зам. Директора ____________Моторина Н.М. « ____ » «___________ » 2015г.. |
|
Уровень а.
В двух прижатых друг к другу кристаллах разного типа электроны диффундируют справа налево, а дырки – слева направо. Куда будет направлена напряженность электрического поля (Евнутр.), возникающего в обедненном слое на границе кристаллов?
|
|
|
|
2.Из представленных условно-графических обозначений полупроводниковых приборов укажите условно-графическое обозначение тринистора, и МДП транзистора с индуцированным каналом р типа
|
3. Среди предложенных вариантов маркировок полупроводниковых приборов укажите маркировку, принадлежащую кремниевому выпрямительному диоду и биполярному транзистору
a).КД104А; b).KС175А; |
c). КВ111Б d). АИ101А |
e). ГТ109А; f). АЛ301Б |
k). КП103М; m). 2Н104Б. |
n). КТ606А; p). 2У202Е |
4.Из приведенных рисунков укажите тот, который верно отражает влияние температуры на прямую ветвь ВАХ p-n перехода.
|
5.Среди предложенных ВАХ укажите выходные ВАХ биполярного транзистора для схемы с общим эмиттером.
|
6.Среди предложенных схем укажите схему стабилизатора постоянного напряжения.
|
7. Среди предложенного набора формул укажите верную формулу для коэффициента усиления по току биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой.
a). |
b). |
c). |
d). |
8.Определите, чему будет равен коэффициент передачи тока эмиттера для схемы с общей базой, если коэффициент передачи тока базы для схемы с общим эмиттером равен 20?
|
|
|
|
9. Какой из полевых транзисторов имеет данную стоковую характеристику? Ответ: в)
|
|
|
10. |
Определите способ включения в схему: a). ОК, b). ОБ, c). ОЭ, d). ОИ |
