- •Уровень а.
- •Уровень в
- •Уровень а.
- •Уровень в
- •Уровень с
- •Уровень а.
- •4.Среди предложенных вах укажите входную вах биполярного транзистора для схемы с общим эмиттером.
- •Уровень в
- •Уровень с
- •Уровень а.
- •Уровень с
- •Уровень а.
- •Уровень в
- •Уровень с
- •Уровень а.
- •1. Кто является основными носителями заряда в кристалле германия с примесью алюминия (валентность 3)?
- •Уровень в
- •Уровень с
- •Уровень а.
- •1. К кристаллу p-типа подключен минус источника напряжения, к кристаллу n-типа подключен плюс источника напряжения. Какие носители заряда обеспечивают прохождение тока через p-n переход?
- •Уровень в
- •Вариант с
- •Уровень а.
- •Уровень в
- •Вариант с
- •Уровень а.
- •Уровень в
- •Уровень а.
- •Уровень в
- •Вариант с
Уровень в
1. По точкам пересечения нагрузочной линии MN с координатными осями M( 12 ) и N( 1 8 ) определите напряжение питания ЕК и сопротивление нагрузки RН усилителя с общим эмиттером.
2. Среди предложенных вариантов ВАХ динистора укажите ВАХ с верно выделенной областью непроводящего состояния (средний p-n переход смещен в обратном направлении).
|
3.В прямоугольниках поставьте номера стабилитронов, обеспечивающих срез соответствующих вершин синусоиды |
Вариант с
1. Выходное напряжение
коллектор-эмиттер изменилось с -25 В до
-15 В. Определить соответствующее изменение
тока коллектора, если выходная проводимость
для схемы с общим эмиттером составила
.
Ток базы считать постоянным
2. Нарисовать схему включения МДП-транзистора (с общим истоком) с встроенным каналом р-типа, работающего в режиме обеднения.
