Строение комплексных соединений

Существует два подхода к строению комплексных соединений - метод валентных связей ( МВС ) и теория кристаллического поля ( ТКП ).

Метод ВС основан на предположении, что связь комплексообразователь -лиганд - ковалентная. Комплексообразователи являются акцепторами элек-тронных пар, а лиганды - донорами. На расположение электронов на орбита-лях комплексообразователя оказывает влияние напряженность поля, создава-емого лигандами. В спектрохимическом ряду лиганды расположены в следу-ющем порядке:

I^-, Br^-, Cl^-, F^-, OH^-, H₂O, SCN^-, NH₃, NO₂^-, CN^-, CO,

в данном ряду напряженность поля лиганда увеличивается

В качестве примера по методу ВС построим ионы CoF₆^3- и Co(CN)₆^3-.

Порядок построения комплексного иона CoF₆^3- :

1. Записываем электронную формулу комплексообразователя :

₂₇ Co⁰ _{. . .} 3d⁷4s²

2. Записываем электронную формулу иона комплексообразователя :

Co³⁺_{. . .} 3d⁶

3. Распределяем электроны комплексообразователя по по орбиталям :

__ __ __ __ __

4d

__ __ __

Co³⁺ . . .__ __ __ __ __ 4s__ 4p

3d

Так как F^- создает слабое поле, электроны распределяются по правилу Хунда.

Строим комплексный ион CoF₆^3- :

­­­__ __ __ __ __

__ __ __ 4d

__ 4p

__ __ __ __ __ 4s

3d

sp³d² - гибридизация

Комплексы делятся на внутриорбитальные и внешнеорбитальные. CoF₆^3- - внешнеорбитальный комплекс, так как происходит заполнение лигандами внешнего 4d-подуровня. Реакционная способность комплексного соединения определяется быстротой обмена лигандами в растворе. Данный комплексный ион - реакционноспособный, так как с внешних орбиталей лиганды обмениваются на другие лиганды, комплекс неустойчивый, парамагнитный ( есть свободные электроны ), октаэдрический.

Порядок построения комплексного иона Co(CN)₆^3- .

CN^- - лиганд, создающий поле сильной напряженности, поэтому d-подуровень комплексообразователя заполняется против правила Хунда.

— — —

— 4p

— — — — — 4s

3d d²sp³ - гибридизация

Комплекс внутриорбитальный, диамагнитный ( нет неспаренных электронов ), прочный, малорекционноспособный, октаэдрический.

Задание 1