- •A. E. Медведев элементы систем автоматики Тексты лекций
- •1. Вводная тема
- •1.1. Предмет и задачи курса
- •1.2. Основные понятия и определения дисциплины
- •Автоматика и автоматизация
- •Управление техническими объектами,
- •Системы
- •Функции системы
- •1.3. Элементы
- •2. Датчики
- •2.1. Определение и общие характеристики датчиков
- •2.2. Датчики положения объектов (дпо)
- •2.2.1. Назначение, классификация, структура
- •2.2.2. Электроконтактные датчики положения объектов
- •Датчик – микровыключатель
- •2.2.3. Индуктивные выключатели
- •2.2.4. Магнитные выключатели типа дкпу
- •2.2.5. Оптические, радиоактивные, ультразвуковые дпо
- •2.2.6. Генераторные дпо
- •2.3. Датчики перемещений (дп)
- •2.3.1. Назначение и классификация дп
- •2.3.2. Потенциометрические дп
- •2.3.3. Индуктивные дп
- •2.3.4. Магнитные дп
- •Дифференциально-трансформаторный дп
- •Сельсины
- •Индуктосины
- •2.3.5. Емкостные датчики
- •2.3.6. Цифровые дп
- •Разрешающая способность этого датчика равна
- •2.3.7. Локационные датчики (лд)
- •2.4. Датчики скорости
- •2.4.1. Тахогенераторные дс
- •2.4.2. Магнитоиндукционные датчики
- •2.4.3. Цифровые датчики скорости
- •2.5. Датчики усилий
- •2.6. Датчики крутящего момента
- •2.7. Датчики вибраций
- •2.8. Датчики токов и напряжений
- •3. Усилительно-преобразовательные элементы
- •3.1. Общие положения
- •3.2. Магнитные усилители
- •3.2.1. Однотактные магнитные усилители
- •3.2.2. Двухтактные магнитные усилители
- •3.3. Релейные преобразовательные устройства
- •3.3.1. Общие положения
- •3.3.2. Электромагнитные реле
- •3.3.3. Полупроводниковое реле
- •3.3.4. Гамма-реле
- •3.3.5. Тепловые реле тока
- •3.3.6. Реле времени
- •4. Автоматические регуляторы
- •4.1. Общие положения
- •4.2. Регуляторы непрерывного действия
- •4.3. Позиционные регуляторы
- •4.4. Импульсные регуляторы
- •4.5. Микропроцессорные регуляторы
- •4.5.1. Микропроцессорные регуляторы протар
- •4.5.2. Микропроцессорные регуляторы минитерм 300
- •4.5.3. Регулятор трм-38
- •4.5.4. Регулятор микропроцессорный Протерм 100
- •4.5.5. Микропроцессорный комплекс пролог 101
- •4.6. Электрические регулирующие комплексы
- •5. Программируемые контроллеры
- •5.1. Общие положения
- •5.2. Регулирующий микропроцессорный контроллер
- •Входы/выходы алгоритма ран.20
- •Параметры настройки алгоритмов регулятора
- •5.3. Универсальные программируемые контроллеры
- •5.3.1. Контроллер adam-5510
- •5.3.2 Контроллеры текон
- •5.3.3. Контроллеры simatic
- •5.3.4. Контроллеры кросс-500, трасса-500,
- •5.4. Промышленные компьютеры
- •6. Исполнительные устройства
- •6.1. Общие положения
- •6.2. Электромагнитные исполнительные элементы
- •6.3. Электродвигательные исполнительные устройства
- •6.4. Гидравлические и пневматические исполнительные
- •Пневматические управляющие элементы
- •7.1. Общие положения
- •Условные обозначения элементов в пневматических схемах
- •7.2. Мембранные пневматические элементы усэппа.
- •Регулирующие устройства комплекса «Старт»
- •Струйные пневмоэлементы
- •Элементы систем автоматики
- •Редактор з. М. Савина
Индуктосины
Используются в металлорежущих станках для контроля линейных и угловых перемещений с высокой точностью (до 1 мкм для линейных индуктосинов).
Индуктосин (ИС) – это воздушный датчик (без магнитопровода) с печатными обмотками, которые наносятся на изоляционные пластины (линейные, круговые), располагаемые с зазором 0,1 – 0,5 мм (рис. 2.26). В ИС используется принцип электрической редукции, заключающийся в том, что одному периоду изменения положения (обороту или шагу) механизма соответствует несколько периодов изменения выходного электрического параметра датчика положения.
На линейке ИС выполняется одна обмотка, а на головке – две обмотки с пространственным сдвигом на 1/4 шага (см. рис. 2.26, б). Токи в соседних проводниках сдвинуты по фазе на 180 (имеют противоположное направление).
Напряжение
питания повышенной частоты (5
20
кГц) можно подавать как на обмотки
съемника (двухфазное), снимая с однофазной
обмотки линейки выходное напряжение,
так и наоборот, когда однофазное
напряжение питания подается на обмотку
линейки.
ИС может работать в фазовом или амплитудном режиме.
При
использовании фазового режима на
пространственно сдвинутые обмотки
головки подаются напряжения возбуждения
со сдвигом по фазе на
:
(2.3)
где
,
– амплитуда и круговая частота питающего
напряжения.
С выхода ИС снимается напряжение
(2.4)
где α – угловое положение подвижного элемента ИС относительно начала шага или оборота (в эл. град.). Для линейного ИС
,
(2.5)
где x – перемещение головки относительно начала шага (перемещение объекта); s – шаг обмотки (принимается обычно равным 2 мм).
Из выражения (2.4) с учетом (2.3) после преобразований получим зависимость выходного напряжения от перемещения объекта
,
(2.6)
где – фаза выходного напряжения (для круговых ИС ).
В амплитудном режиме работы ИС на обмотки головки подаются напряжения питания со сдвигом по фазе, равным (в противофазе). Амплитуда выходного напряжения для круговых ИС определяется выражением:
,
(2.7)
где
– максимальная амплитуда;
– угловое перемещение головки относительно
заданного углового положения 3
(начального угла установки ИС).
Рис. 2.26. Линейный индуктосин: а – конструктивное исполнение; б – взаимное расположение обмоток
2.3.5. Емкостные датчики
Чувствительным элементом емкостных ДП является плоский (или цилиндрический) конденсатор, емкость которого изменяется под воздействием перемещающегося объекта. Для плоского конденсатора емкость определяется выражением:
(2.8)
где
s
– площадь взаимного перекрытия пластин;
d
– расстояние между пластинами;
– относительная диэлектрическая
проницаемость среды между пластинами;
– диэлектрическая проницаемость
вакуума.
Любой из параметров выражения (2.8) может изменяться при приближении объекта к датчику. Широкое применение в схемах технологической автоматики получили емкостные ДПО (выключатели), работающие на принципе изменения диэлектрической проницаемости. Так действует, например, емкостная защита стрелы экскаватора от удара ковшом, емкостная защита человека от попадания в запретную зону. В приведенных примерах при приближении объекта к датчику емкость защитной антенны изменяется вследствие изменения диэлектрической проницаемости среды.
В емкостных ДП чувствительный элемент включается в одно из плеч измерительного моста, питаемого высокочастотным источником, для повышения чувствительности датчика. Выходной сигнал моста через усилитель включается в схему контроля или управления.
