Контрольные вопросы

1. Какие существуют методы измерения удельного сопротивления полупроводников?

2. В чем суть четырехзондового метода и чем он отличается для толстых и тонких образцов?

3. Каким образом учитываются поправки в четырехзондовом методе, обусловленные конечными размерами образца?

4. В чем суть метода Ван-дер-Пау?

5. В чем суть метода сопротивления растекания точечного контакта и в чем его преимущество перед четырехзондовым методом?

6. Что такое эффект Холла и какие параметры полупроводника можно измерить на основе этого эффекта?

7. Что такое Холл-фактор и как он зависят от механизма рассеяния носителей заряда в полупроводнике?

8. Какие параметры полупроводниковых структур можно измерить с помощью вольт-фарадных методов?

9. Каким образом барьерная емкость р-n перехода зависит от обратного смещения для резкого и плавного переходов?

10. Как зависит емкость МДП-структуры полупроводника п -типа проводимости от приложенного напряжения?

11. Как влияет частота измерительного сигнала на вольт-фарадную характеристику МДП-структуры?

12. Что такое тепловое сопротивление полупроводникового прибора?

13. Каким образом можно измерить температуру электронно-дырочного перехода полупроводникового прибора?

14. Что такое временной и частотный методы измерения теплового сопротивления?