23. История создания транзистора Дж. Бардин, у. Браттейн и у. Шокли.

В 1939 г. Шокли выдвинул идею изменять проводимость тонкой пластины полупроводника (оксида меди), воздействуя на нее внешним электрическим полем.

В 1940 г. Шокли и Браттейн приняли удачное решение ограничить исследования только простыми элементами - германием и кремнием.

Попытки построить твердотельный усилитель ни к чему не привели, и были положены в долгий ящик.

Два года упорного труда принесли лишь отрицательные результаты. Бардин предположил заменить плоский управляющий электрод острием. Однажды Браттейн нечаянно почти вплотную сблизил два игольчатых электрода на поверхности германия, да еще перепутал полярность напряжений питания, и вдруг заметил влияние тока одного электрода на ток другого. Бардин мгновенно оценил влияние «ошибки». А 16 декабря 1947 г. у них заработал твердотельный усилитель, который и считают первым в мире транзистором.

24. История создания транзистора в Советском Союзе.

В 1948 произошёл, казалось бы, заурядный случай, 22-летняя дипломница Сусанна Мадоян, сама того не ожидая, оказалась первым разработчиком транзисторов в СССР, выполнив дипломную работу по теме «Исследование материалов для кристаллического триода».

Исследователи раздобыли пластинку полупроводникового материала, вынутую из какого-то трофейного немецкого датчика, а затем Сусанна соорудила конструкцию из двух контактных пружинок, сделанных из бериллиевой бронзы, и двух стальных скобок. Эта контактная пара перемещалась взад-вперед по пластинке с помощью горизонтального винта, приводимого в движение отвёрткой, а вся миниатюрная экспериментальная установка по виду мало отличалась от обыкновенного реостата или потенциометра

Передвигая контакты по пластинке можно было снимать характеристики и отыскивать точки дававшие лучшие показатели

В конце 1948 г. было зарегистрировано первое наблюдение «транзисторного эффекта» и, по сути дела, создание первого советского триода (слова «транзистор» тогда никто не знал), авторами которого и стали инженер А.В. Красилов и студентка-дипломница Сусанна Мадоян

25. Достижения советских ученых в исследованиях и создании транзистора.

А 1950 г. экспериментальные образцы германиевых транзисторов были созданы также в Физическом институте Академии наук и Ленинградском физико-техническом институте

В 1953 г. в НИИ-35 были изготовлены планарные транзисторы П1, П2, П3. Вскоре в лаборатории С. Г. Калашникова был получен германиевый транзистор для частот 1,0 — 1,5 МГц, а Ф. А. Щиголь сконструировал кремниевые сплавные транзисторы типа П501-П503

Только в 1955 году начались разработки новой конструкции транзистора, так называемого П6

В 1955 г. началось промышленное производство транзисторов на заводе «Светлана» в Ленинграде. В 1956 г. московский НИИ-311 с опытным заводом переименован в НИИ «Сапфир» и переориентирован на разработку полупроводниковых диодов и тиристоров

Полупроводниковая промышленность СССР развивалась достаточно быстро: в 1955 г. было выпущено 96 тысяч, в 1957 г. – 2,7 млн, а в 1966 г. – более 11 млн. транзисторов