- •17. Семейство ес эвм. Основные характеристики и параметры эвм серии «Ряд-2».
- •1. Первые эвм. Основные характеристики и парметры эвм бэсм-1.
- •2. Первые эвм. Основные характеристики и парметры эвм м-1.
- •3. Первые эвм. Основы первых эвм, основные характеристики и парметры эвм м-2.
- •4. Первые эвм. Основные характеристики и парметры эвм м-3 и эвм «Стрела».
- •5. История развития аналоговых вычислительных машин в России.
- •6. Первые авм на Пензенском заводе сам и нииСчетмаше.
- •9. Системы малых эвм (см эвм).
- •10. Универсальные эвм. Характеристики семества эвм м-20.
- •7. Обзор характеристик управляющих эвм.
- •8. Управляющая эвм Днепр
- •11. Универсальные эвм. Характеристики серии эвм бэсм.
- •12. Универсальные эвм. Особенности эвм «Весна» и «Снег».
- •13. Универсальные эвм. Особенности эвм «Сетунь».
- •14. Универсальные эвм. Характеристики семейства эвм «Урал».
- •15. Универсальные эвм. Характеристики семейства эвм «Минск».
- •16. Семейство ес эвм. Основные характеристики и параметры эвм серии «Ряд-1».
- •17. Семейство ес эвм. Основные характеристики и параметры эвм серии «Ряд-2».
- •18. Семейство ес эвм. Основные характеристики и параметры эвм серии «Ряд-3» и «Ряд-4».
- •19. Персональные эвм серии ес
- •20. Характеристики супер-компьютеров. Особенности эвм «Cray-1».
- •21. История развития отечественных суперЭвм.
- •22. Основные выводы истории развития вт в России.
- •23. История создания транзистора Дж. Бардин, у. Браттейн и у. Шокли.
- •24. История создания транзистора в Советском Союзе.
- •25. Достижения советских ученых в исследованиях и создании транзистора.
- •26. Зеленоградский Центр микроэлектроники: предпосылки создания и создание.
- •27. Зеленоградский Центр микроэлектроники: расцвет и закат.
- •28. История создания первой микросхемы.
- •29. Первые гибридные ис.
- •30. Первые полупроводниковые ис в сша.
- •31. Первые полупроводниковые ис в ссср.
27. Зеленоградский Центр микроэлектроники: расцвет и закат.
ЦМ сразу приступил к созданию принципиально новой продукции. Необходимо было проверить их на реальном изделии и публично продемонстрировать возможности микроэлектроники
Решили сделать микроприемник. Это модель — «Микро». У него была очень острая настройка, в СССР это было недостатком. Но когда Хрущев в 1964 году привез этот приемник в США, он произвел там мировую сенсацию! Статьи в газетах, фотографии: как СССР смог нас обогнать?
В Нью-Йорке, где было около 30 местных радиостанций острая настройка нашего приемника пришлась в самый раз. «Микро» продавали потом за валюту также во Франции, Англии, и везде там за ним в 60-е годы очереди стояли
В 1965 году “Микрон” начал выпуск первой в Зеленограде полупроводниковой ИС “Иртыш”. ИС была разработана в НИИМЭ на основе планарной технологии, созданной в НИИ-35 и поставленной на “Микроне”
В 1966 году “Элма” выпускает уже 15 видов разработанных в НИИМВ специальных материалов, а “Элион” — 20 типов созданного в НИИТМ технологического и контрольно-измерительного оборудования
В 1969 году “Ангстрем” и “Микрон” производят более 200 типов ИС, а к 1975 году в НЦ было разработано 1020 типов ИС. Все разработки передавались на серийные заводы отрасли
Первые результаты
Следует учитывать, что отечественная микроэлектроника создавалась и развивалась в особых условиях — практически в полной изоляции от передовых зарубежных стран. Специальный международный комитет КоКом установил систему правил, запрещающих поставку в СССР и его союзникам все передовые продукты и технологии
Конечно, спецслужбам частично удавалось окольными путями добывать кое-какие изделия, документацию, материалы и оборудование. Но добывалось далеко не все и в крайне малых количествах. Вести разработки и тиражировать изделия в нужных объемах отечественная микроэлектроника вынуждена была самостоятельно
Иногда полученные образцы копировались, но точную копию сделать было невозможно из-за различий в материалах, технологиях, оборудовании и т.п. Иногда делали функциональные аналоги, иногда — целиком собственные разработки. Но всегда разрабатывали и тиражировали сами
Расцвет
Уже первое изделие — радиоприемник “Микро” — не имело равных в мире. Первые гибридные ИС соответствовали мировому уровню. Кстати, первыми в мире ИС, облетевшими Луну (в 1969 г.) и вернувшимися обратно, были ангстремовские “Тропы”. В 1972 г. в НИИП было освоено новое направление — многослойные ИС “Талисман”. Технология создания этих ИС тогда не имела мировых аналогов
Но! В полупроводниковых ИС мы заметно отставали. В 1970-е годы наиболее преуспевающей полупроводниковой компанией стала Intel. По сравнению с ней НИИТТ и “Ангстрем” на ведущих направлениях имели отставание. Но отставание было небольшим.
Например, динамическое ОЗУ емкостью 4 Кбит Intel выпустила в 1974 г . — “Ангстрем” в 1975-м, 16 Кбит — соответственно в 1977-м и начале 1978 г
В 1979г. НИИТТ разработал однокристальную 16-разрядную ЭВМ К1801ВЕ1 с архитектурой “Электроника НЦ” (в нынешней терминологии — микроконтроллер). По заключению межведомственной госкомиссии, принимавшей разработку, такой ЭВМ за рубежом тогда еще не было
В целом в период с 1964 по 1980 год отставание разработок в НЦ по различным типам ИС по сравнению с зарубежным уровнем колебалось в пределах от нуля до трех лет. Таким образом, можно утверждать, что разработки зеленоградского НЦ в те годы в целом соответствовали мировому уровню
Рядом НИИ был разработан комплект технологического оборудования “Корунд”, обеспечивающий массовый выпуск ИС и полупроводниковых приборов по планарной технологии
Оборудование было принято в качестве базового комплекта для оснащения промышленных предприятий отрасли на следующую пятилетку (1971-1975 г.). Накопленный положительный опыт эксплуатации опытных линий “Корунд” на заводе “Микрон”, Воронежском заводе полупроводниковых приборов, опытном заводе НИИ “Пульсар”, позволил приступить к разработке новых высокопроизводительных автоматизированных линий для массового промышленного выпуска полупроводниковых ИС, планарных транзисторов и диодов на пластинах повышенного диаметра (до 75 мм), что должно было привести к резкому снижению их стоимости, повышению производительности труда
Сроки были жесткие — предъявить линии для эксплуатации в начале 1971 г. Это были очень сложные задачи для всех предприятий, т. к. НИИМЭ и завод “Микрон” в 1968 г. еще работали на пластинах диаметром 25-30 мм, в 1969-70 — на пластинах диаметром 40 мм. Технологически минимальные размеры в 1968 г. были 8-10 мкм, в 1970 г. — 2-5 мкм
Закат
Однако по объемам выпуска интегральных схем СССР значительно отставал от зарубежного уровня. Средств для развития производственных мощностей серийных заводов (а они в микроэлектронике очень дороги) не хватало. В результате резко возросла нагрузка на зеленоградские опытные заводы. Создавшееся положение, когда опытные заводы НЦ в основном оказались загруженными серийным производством интегральных схем, начало пагубным образом сказываться на дальнейших перспективах развития микроэлектроники
В 1957 г. в СССР было выпущено 24 млн. приборов, в том числе 2,7 млн. транзисторов, против 28 млн. транзисторов, выпущенных в США, а к 1967 году эти объемы составили соответственно 134 млн. и 900 млн. штук
Примерно с 1980 года началось прогрессирующее отставание. Причин много:
- навязанная заказчиками политика и практика воспроизводства зарубежных образцов, заведомо программирующая отставание
- нежелание других отраслей народного хозяйства разрабатывать и производить материалы и спецоборудование для электронной промышленности с соответствующими характеристиками по чистоте и точности
- загрузка опытных заводов серийной продукцией
- отвлечение ресурсов отрасли на массовое производство непрофильной продукции: товаров народного потребления, видеотехники, вычислительной техники
Наступившая “мода” по разработке и производству продукции народного потребления на оборонных предприятиях значительно отвлекало средства для развития микроэлектроники. Разработка и производство магнитофонов никак не гармонировала с его основной специализацией. Было требование: на каждый рубль заработной платы — рубль товаров народного потребления
В США, Японии, Западной Европе вкладывались огромные средства в развитие микроэлектроники, понимая, что именно она является ключом к прогрессу в научно-технической и промышленной составляющей экономического развития. Несмотря на жестокую конкурентную борьбу, между западными странами была широко развита продажа лицензий, патентов, имелась возможность оперативно закупать документацию на технологические процессы, новейшие технологическое контрольно-измерительное и оптико-механическое оборудование, материалы и т. д.
