- •17. Семейство ес эвм. Основные характеристики и параметры эвм серии «Ряд-2».
- •1. Первые эвм. Основные характеристики и парметры эвм бэсм-1.
- •2. Первые эвм. Основные характеристики и парметры эвм м-1.
- •3. Первые эвм. Основы первых эвм, основные характеристики и парметры эвм м-2.
- •4. Первые эвм. Основные характеристики и парметры эвм м-3 и эвм «Стрела».
- •5. История развития аналоговых вычислительных машин в России.
- •6. Первые авм на Пензенском заводе сам и нииСчетмаше.
- •9. Системы малых эвм (см эвм).
- •10. Универсальные эвм. Характеристики семества эвм м-20.
- •7. Обзор характеристик управляющих эвм.
- •8. Управляющая эвм Днепр
- •11. Универсальные эвм. Характеристики серии эвм бэсм.
- •12. Универсальные эвм. Особенности эвм «Весна» и «Снег».
- •13. Универсальные эвм. Особенности эвм «Сетунь».
- •14. Универсальные эвм. Характеристики семейства эвм «Урал».
- •15. Универсальные эвм. Характеристики семейства эвм «Минск».
- •16. Семейство ес эвм. Основные характеристики и параметры эвм серии «Ряд-1».
- •17. Семейство ес эвм. Основные характеристики и параметры эвм серии «Ряд-2».
- •18. Семейство ес эвм. Основные характеристики и параметры эвм серии «Ряд-3» и «Ряд-4».
- •19. Персональные эвм серии ес
- •20. Характеристики супер-компьютеров. Особенности эвм «Cray-1».
- •21. История развития отечественных суперЭвм.
- •22. Основные выводы истории развития вт в России.
- •23. История создания транзистора Дж. Бардин, у. Браттейн и у. Шокли.
- •24. История создания транзистора в Советском Союзе.
- •25. Достижения советских ученых в исследованиях и создании транзистора.
- •26. Зеленоградский Центр микроэлектроники: предпосылки создания и создание.
- •27. Зеленоградский Центр микроэлектроники: расцвет и закат.
- •28. История создания первой микросхемы.
- •29. Первые гибридные ис.
- •30. Первые полупроводниковые ис в сша.
- •31. Первые полупроводниковые ис в ссср.
26. Зеленоградский Центр микроэлектроники: предпосылки создания и создание.
К концу 50-х годов и в СССР, и за рубежом уже созрели предпосылки для создания интегральных схем (ИС) — были промышленно освоены интегральные технологии производства как полупроводниковых приборов, так и толстопленочных и тонкопленочных керамических плат. Вопрос был лишь в том, кого первым озарит счастливая идея использовать их для изготовления многоэлементных изделий — ИС
В руководстве страны пришли к выводу о том, что необходима принципиально новая подотрасль — микроэлектроника. Именно подотрасль, то есть система НИИ, КБ, опытных и серийных заводов, распределенных по всей стране и решающих все специальные проблемы по созданию и тиражированию изделий микроэлектроники
Центр Микроэлектроники (ЦМ) предполагал создание локального, функционально полного комплекса НИИ с опытными заводами. В ЦМ должны разрабатываться технологические процессы, специальные материалы, технологическое и контрольно-измерительное оборудование, непосредственно ИС, а также РЭА на их основе. Все это должно отрабатываться на опытных заводах ЦМ, а затем передаваться для массового тиражирования на серийные заводы
Нашлось и место для ЦМ. С 1958 года у станции Крюково вблизи Москвы строили для легкой промышленности новый город Спутник (Зеленоградом он стал в 1963 г.)
8 августа 1962 года постановление ЦК КПСС и Совмина СССР было подписано. Это было концептуальное постановление — первое в череде за ним последовавших. В нем узаконивалось, что Центр микроэлектроники будет создан в Спутнике, и отныне проблема построения и развития отечественной микроэлектроники стала национальной задачей
Главные задачи ЦМ:
- обеспечение разработок и опытного производства ИС на мировом уровне (догнать и перегнать Америку) в интересах обороны страны и народного хозяйства
- обеспечение перспективного научного задела
- разработка принципов конструирования радиоэлектронной аппаратуры и ЭВМ на основе микроэлектроники, организация их производства
- унификация ИС, условий их применения в аппаратуре на предприятиях страны
- подготовка кадров, в том числе специалистов высшей квалификации
Постановление определяло первоначальный состав предприятий ЦМ — пять новых НИИ с тремя опытными заводами: НИИ теоретических основ микроэлектроники, НИИ микросхемотехники, НИИ технологии микроэлектроники, НИИ машиностроения, НИИ специальных материалов
Cоздание ЦМ было не обособленной акцией, а частью масштабной программы построения новой подотрасли — микроэлектроники. В Москве, Ленинграде, Киеве, Минске, Воронеже, Риге, Вильнюсе, Новосибирске, Баку и других регионах начиналось перепрофилирование имеющихся или создание новых НИИ с опытными заводами и серийных заводов с КБ. Первые должны были разрабатывать, а вторые массово производить ИС, специальные материалы и специализированное технологическое и контрольно-измерительное оборудование
Постановление давало ЦМ (позже — Научный центр, НЦ). право принимать на работу специалистов из любой точки СССР. Строительный задел в Спутнике позволял сразу выделять жилье сотрудникам. Это привлекало в ЦМ высококлассные кадры
К началу 1971 года в НЦ работало 12,8 тыс., человек. В 1976 году на его базе было создано НПО “Научный центр” — 39 предприятий в разных городах страны с персоналом численностью в общей сложности около 80 тыс. человек
