Флэш память Принцип работы
Флэш память относится к программируемой памяти с электрическим стиранием. Элементы флэш памяти так же как и элементы E2ROM используют транзисторы с плавающим затвором. При разработке Флэш основное внимание было уделено повышению информационной емкости схем, повышению их надежности, снижению стоимости. Именно обеспечение этих качеств определило массовое распространение этого вида, стимулировав развите целого ряда устройств нового типа (прежде всег мобильных). На нижне рисунке показан общий принцип записи и стирания информации в основном элементе Флэш памяти - транзисторе с плавающим затвором.
Рисунок справа демонстрирует способ записи информации путем подачи на управляющий затвор высокого напряжения, стимулирующего туннелирование на затвор электронов из канала. Для стирания информации направление электрического поля между затвором и каналомм изменяется на обратное и электроны с плавающего затвора переходят в область канала.
Нижние рисунки отображают основные емкости, которые характеризуют накопление заряда плавающим затвором, изменение потенциала плавающего затвора при накоплении заряда, ответствующее изменение характеристики исток-сток, измерение распределения заряда в канале.
|
|
|
|
|
|
