Заключение

Формирование структур на основе нанокристаллов кремния и германия в различных диэлектрических матрицах представляет большой интерес как для развития фундаментальных знаний о квантово-размерных свойствах непрямозонных полупроводников, так и для решения важной задачи создания кремниевой (германиевой) нанофотоники.

С точки зрения применения данных структур наибольшие надежды связываются с возможностью их использования в оптоэлектронных системах как собственно светоизлучающих элементов, а также сенсибилизаторов излучения редкоземельных примесей на коммуникационной длине волны 1,54 мкм (соответствующей окну прозрачности кварцевых оптоволокон), а также в устройствах энергонезависимой флэш-памяти. Эти возможности далеко не исчерпаны. В частности, встраивание излучающих квантовых точек непосредственно в оптические волноводы на кремниевых чипах, особенно, в сочетании с формированием на тех же чипах дифракционных зеркал (резонаторов) открывает возможности для конструирования многофункциональных приборов нового поколения. Представляет большой интерес и изучение возможности формирования нанокристаллов в ряде других оксидных материалов кроме тех, что рассмотрены в данном обзоре. Решение этих задач потребует большого объема дополнительных исследований.